半导体

美国禁令后的巨头联合，华为有望脱困

美国对华为实施芯片禁令后，对全球的半导体行业都产生一定的影响。比如台积电，高通，联发科，sk海力士等公司和华为一样，都是这条政策的受害者。如今，在禁令实施的两个月后，抓住美国大选这个特殊机会，正是华为等企业发展的好机会。因而，在美国众多企业的联合游说下美国商务部放宽政策，因而众多企业得到出口许可证。根据网络上的信息来看，索尼、三星、英特尔、微软都已经获得供货华为的许可，有消息称，只要不涉及5G领域，那么一般都会取得供货华为的许可。之前还有消息称台积电也开始恢复与华为合作，但是仅限制在28nm产品以上，这还是无法满足华为手机芯片的需求。对于台积电来讲，唯一一个能够称之为对手的大概就是三星了。只是三星方面每一次都晚台积电一步，让台积电占据优势。而台积电方面与华为之间也保持着良好的合作关系，超过了20年。华为目前是全球第二大智能手机厂商，尽管海外销量有所下降，但是国内市场的份额还在不断上升，与华为合作对台积电只会更加有利。台积电现在面临的麻烦是，尽管仍然是全球最大的芯片代工厂，但是高通在此前已经宣布了，5nm芯片的代工订单全部被三星拿走，如果还不能拿下华为的订单，那么台积电的地位将再次受到影响。有相关数据显示，光是在2019年，华为就为台积电贡献了超过360亿元的营收，在台积电所有零售之中占只有了14%的比例。华为早就已经成为了台积电的第二大客户。这第一大客户当然就是我们所熟悉的苹果。但是美国方面对于华为的打压，让台积电方面也受阻。美国方面接连三次修改规则，使得台积电方面不能够实现自由出货，失去华为，台积电是万万不想的。前面讲到过台积电每年都会拥有巨额的营收，而其中14%就来源于华为，失去华为就相当于去失去了巨大的因素，所以为了恢复与华为之间的供货，台积电一直以来也是非常的努力去寻找解决的办法。而芯片禁令过去两个月的时间，如今新消息传来，台积电，高通，联合会，华为表态此次三家企业三管齐下，芯片的问题或许会得到解决。美国方面表示，如果能够证明产品不是用在设备至少那么就很快能够拿到许可，即便是用在移动设备上也是可以的。这就意味着美国方面已经妥协，于是高通方面和台积电都纷纷向美国多次递交就是希望能够恢复与华为之间的供货。华为对于台积电来讲非常重要，对于高通来讲当然也是非常重要的。 11月5日高通方面发布了2020年第四季度以及全年的财报，同时高通还在当天宣布，高通已经获得华为一次性支付的18亿美元的专利和解费，而且已经提出继续供货华为的申请。华为与高通和解的目的很明显，就是为自己的手机芯片铺平道路，目前自己的芯片无法生产，联发科芯片性能很是一般，这样的情况下高通就是一个不错的选择了。据悉，失去华为，高通方面将会面临着80亿美元的市场营收，这对于高通来讲可是一个不好的消息。毕竟自己的老对手联发科正在伺机超越，在这样的情况下，高通如果真的失去了华为，那么联发科超越简直就是轻而易举。所以此次高通与台积电联手希望能够向美国拿到申请，再看看华为这边，为了能够在半导体领域上有所发展，华为方面也是费尽心思。面向全球招聘了四十多位芯片，其中就涉及到芯片的测试以及封装等等，也就是说，华为逐渐向着设计制造测试封测等等转型。任正非也就此事做出了表态，表示向上捅破天，向下扎到根。如此可见，此次华为是铁了心想要完成自主研发之路了。而最近又有消息表示，华为已经开始着手在上海建立一条完全去美化的生产线，将会从45纳米开始。到2021年年底将制造出28纳米芯片，而在2022年年底将会制造出20纳米的芯片。台积电，高通那边努力争取许可证递交申请，希望能够恢复出货上的自由而建设了一条自己的生产线，自主研发芯片，三管齐下，华为在芯片上所遇见的问题相信很快就能够迎刃而解。华为和台积电和高通之间本就有着很深的联系，这一次几大企业联手上演了一场双簧戏，高通表示与华为签署了全新的长期专利许可协议，这份专利授权费可是高达18亿美元，直接令高通的营业额翻了四倍还多，这也是芯片禁令以来高通首次回归正增长。

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芯片的“核心力”不仅仅只是设计，还应拥有制造能力

众所周知，华为如今最棘手的问题在于芯片，华为旗下的手机板块对芯片巨大的需求量，但是华为旗下芯片设计公司华为海思只具备芯片设计，不具备芯片加工能力，因而华为屡屡却被限于芯片加工。近日，华为创始人任正非的一席话引起一番讨论，他表示“华为今天遇到的困难，是设计的先进芯片，国内的基础工业还造不出来，华为不可能又做产品，又去制造芯片。”众所周知，国内半导体产业国产替代的这场马拉松已经冲刺多年，而我国半导体产业被卡，最关键的一环就是在芯片制造，而以光刻机为代表的设备更是国内无法突破的重要原因。设备是半导体制造的基石但市场基本被外资垄断光刻机被誉为半导体产业 “皇冠上的明珠”，是芯片制造中最核心的机器，整个光刻过程也是芯片生产过程中耗时最长、成本最高、最关键的一步。目前，光刻机产业基本被荷兰的 ASML、日本的尼康和佳能这三家供应商垄断。根据赛迪顾问数据，全球光刻机市场规模约160亿美元，ASML、尼康和佳能三大龙头总共占据95%市场，其中EUV市场几乎被ASML一家独占。其实，中国也能生产光刻机，但以中国目前的技术，只能够生产低端一些的光刻机设备，能够制造90nm及以上工艺的芯片，而能够生产7nm甚至5nm芯片的高端光刻机基本上全部靠ASML供货。国产半导体设备发展正当时随着中美贸易摩擦的升级，打破垄断、提高国产化率，力争实现半导体设备自主可控是重中之重。在这样的背景下，国家从政策、资金方面支持半导体设备的国产化，国家大基金二期支持重点就放在国产半导体设备和材料上，其中提到将加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备，以及关键零部件的投资布局，填补国产工艺设备空白。在国家政策及基金等因素的支持下，如今，中国的光刻产业也有了一定的起色。近日，据业内人士透露，上海微电子已经宣布研发出28纳米光刻机，预计这28纳米光刻机将在2021年底到2022年之间进行量产，而且这个28纳米光刻机通过多次曝光之后，可以用于生产14纳米甚至10纳米的芯片。作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业，中芯国际历时多年，制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。日前，一站式IP和定制芯片企业芯动科技官方宣布，已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。而在光刻机技术研究上，今年以来也是好消息不断：2020年6月，由中国科学院院士彭练毛和张志勇教授组成的碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果，并实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技术的全球领先地位;2020年7月，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所成功研发出了一种新型5nm高精度激光光刻加工方法。虽然这些技术都处于实验室阶段，但至少在一些基础理论上已经取得了突破，未来这些实验室技术有可能会转化为现实的生产技术。相信在我国科研人员、企业等各方的共同努力之下，实现国产替代，缩小跟国际顶尖水平的差距! 芯片加工制造的不足，不仅仅体现于半导体行业，也反应了整个中国与西方国家在制造业上的区别。在制造工艺上，我国制造技术唯有一步一步地慢慢向前探索，绝无捷径可言。

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18年追赶，联电停止12nm以下先进工艺的研发

在半导体行业，每一次变革都十分重要，处于局中，很难判断半导体下一次变革的方向。对于新一代的芯片工艺，面对超高的成本压力以及利益诱惑，到底是放弃还是坚持，只有选择后才知道对错。两年前，新一代工艺开发所要面临的成本压力以及技术压力，使得晶圆代工厂陷入了一场赌局——是硬着头皮搞下去，还是另谋出路。当时，身为全球第三大晶圆代工厂的联电就做出了一个轰动业界的选择，即停止12nm以下先进工艺的研发。两年后，台积电和三星在3/5nm先进制程上的你追我赶吸引了整个业界的目光，但根据今年8月拓墣产业研究院最新调研结果显示，我们发现，联电在晶圆代工行业的地位依旧稳固(2018年，全球晶圆代工厂的前三位分别是：台积电、格罗方德、联电。在这两年间，虽有三星这匹黑马强势闯入前三甲，但从营收上看，联电的地位依旧没有改变)。但从增长情况上看，联电以23%的同比增长成绩，足以傲视其他晶圆代工厂商。而在这个势头中也隐隐透露出了一丝稳中取胜的味道。一、18年的追赶者，联电的一念之间 2018年，联电做了一个决定——停止12nm以下先进工艺的研发，在晶圆代工市场上不再拼技术，而是更看重投资回报率，赚钱第一。联电这一念，也意味着他将结束18年的追赶者身份。 2000年，联电作为晶圆代工厂的第二名紧追台积电，双方在代工工艺上一度不相上下。但28nm改变了这种局势——台积电28nm率先量产，其产能及技术成熟度遥遥领先于联电。结果就是，在接下来的一年中，台积电28nm的营收占比迅速从2%爬升到了22%，台积电掌控了这场竞赛的优势。至此以后，联电就一直追着台积电跑。试图通过研发更先进的工艺来超越的联电，却花了十八年都没有实现这个目标。据相关报道显示，联电由于过度的投资先进制程，导致每次生产时产能利用率必须达到9成以上才能盈利，而这样的营收方式显然不能长久。于是，联电采取了重大市场策略调整，淡出先进制程的较量，转向发挥在主流逻辑和特殊制程技术方面的优势，强化对成熟及差异化工艺市场的开发。当时联电表示，在12nm及以上的工艺代工市场上，联电的占有率只有9.1%，营收规模约为50亿美元，一旦市场占有率增长到15%，那么还有60%的市场空间增长，营收将达到80亿美元以上。摩根士丹的分析师认为，联电这次的举动是把钱用在了正确的地方。事实也的确如此，根据联电最新发布的2020年第三季度的财报中看，联电在该季度中实现了448.7亿元新台币的营收，这也创下了2004年第二季度以来的新高。值得关注的是，第三季度中联电的28nm营收占比为14%，季增一个百分点。二、联电手中还有筹码如果说，选择深耕成熟工艺让联电小赚了一笔，那么，8英寸晶圆需求量的猛增，则是市场坐庄，让联电血赚了一笔。 8英寸以成熟制程为主，功率器件、电源管理IC、影像传感器、指纹识别芯片和显示驱动IC等都需要8英寸晶圆的支持。2015年末，由于终端市场开始发生了变化，一波一波的新热潮，使得产业开始对8英寸晶圆厂芯片产生了热情。根据广发证券的调研报告显示，汽车电子及物联网中应用的芯片，包括先进辅助驾驶系统及感测器、车用电流控制IC、物联网MCU等在8寸晶圆厂中大量投产，使得2016年下半年开始8 寸晶圆厂的投片量快速提升。在2018年年初，电源管理、影像传感器、指纹识别芯片和驱动IC带动了8英寸晶圆代工的需求。但与此同时，12英寸晶圆代工也逐渐成为了市场的宠儿，但这却需要相关企业进行大量的投资，而由此产生的巨大成本，以及建厂时程长及新客户拓展不易等诸多因素，使得12英寸晶圆代工的推进还需要很长的一个过程。因此，8英寸晶圆代工仍是众多器件的首选。到了2019年，市场对8英寸晶圆的需求再次掀起了一个顶峰。据中国证券报的报道显示，国金证券分析师郑弼禹认为，本轮8英寸晶圆产能紧缺始于2019年多摄像头手机带动CMOS图像传感器需求提升。而受疫情影响，全球在家办公、在线教育增多，使得笔记本电脑、平板类产品需求增长，从而拉动驱动芯片及其他半导体产品需求增长，叠加三季度是旺季，使得本轮8英寸晶圆代工景气度超过往年。而根据市场的情况来看，这种供不应求的状况一直持续到了2020年。在联电最新的财报会议上，王石也指出，在面板驱动IC、电源管理芯片等需求带动下，8英寸产能吃紧情况将延续到明年。联电近些年来的8英寸产能，也能体现这种市场需求。根据广发证券的调研报告显示，从2017年报披露数据来看，目前联电8寸晶圆产能约占总产能的一半， 2016年平均产能利用率为88.6%，而2017年则攀升至了94.4%。而根据联电最新的财报显示，在2020年第三季度中，联电出货量达到225万片约当8吋晶圆，8英寸晶圆代工产能依旧紧俏。联电联席CEO王石表示，这主要反映了居家上班与在家学习趋势，持续带来终端市场的稳定需求，例如智慧型手机、电脑设备高速I/O控制器中的无线连接、以及电源管理IC等应用。 (2020年第三季度联电季产能情况) 供不应求的市场状况，也导致了8英寸晶圆身价的水涨船高。据公开资料显示，联电曾在2018年的一次股东会上确定了启动“一次性涨价”计划。据相关报道显示，当时其旗下 8 英寸厂接单满载，且因硅晶圆涨价明显、导致成本增加，联电自6月起调涨 8英寸代工价格。两年后的今天，在市场对8英寸晶圆产能需求依旧不减的情况下，联电也再次宣布了一项涨价计划。根据联电在其最新的财报会议上的内容显示，由于目前8英寸需求相当强劲，产能持续紧俏，联电已与客户讨论2021年的产品定价，预计2021年8英寸价格将调涨，而12英寸价格将维持平稳。联电也表示，8吋晶圆代工产能高度紧俏，联电将持续受惠于涨价效益，同时，其旗下28纳米制程也获许多客户肯定，可望带动12英寸需求看增，其2020年业绩可期创新高。三、联电8英寸晶圆代工的布局第一座8寸晶圆厂诞生于1990年，大部分现存8寸晶圆厂建成的时间也都有10年甚至更久。而不抛弃不放弃，也使得8英寸晶圆代工在经历了低谷后，在新应用的爆发下，迎来了新的成长。根据芯思想研究院的报告显示，联电8英寸代工厂一共有7座。从1995年开始，联电就在8英寸晶圆上下了不少功夫。 1995年7月，联电和Alliance、S3合作成立联诚半导体(United Semiconductor Corp.，USC)，即是现在的FAB 8B厂。 1995年8月，联电与Trident、ATi、ISSI等七家公司合作成立联瑞科技(United Integrated Circuits Corporation，UICC)，是现在的FAB 8D厂。 1995年9月，联电和两家IC设计公司合作成立联嘉积体电路(United Silicon Incorporated Corp.，USIC)，是现在的FAB 8C厂。 1995年9月，联电8英寸晶圆厂(原UMC3，现在FAB 8A)开始生产。 1998年4月，联电收购合泰半导体(现盛群半导体，Holtek)的8英寸晶圆厂(现FAB 8E)。 1998年5月，联电UMC5(现FAB 8F)动工兴建。 2004年7月，联电并购硅统半导体的8英寸晶圆制造厂，是现在的FAB 8S厂。 2013年3月，联电完成收购和舰科技，是现在的FAB 8N厂。其中，位于苏州的和舰也是联电8英寸晶圆代工的重要角色之一，联电也频频对该厂进行了布局。2018年底，联电宣布将投资超过六十亿人民币去扩充其八英寸和十二英寸产能。根据规划，8英寸厂产能优化将会以子公司苏州和舰科技为主，预计将扩充1万片。在之前，和舰的月产能为六万片，扩产之后，这个数字将会提升到7万片。最近，还有市场传出，联电因应8吋晶圆代工需求强劲并扩大营运规模，有意斥资新台币百亿元以内，以收购日商东芝8吋晶圆厂。对此，联电则表示，不回应市场传言，强调对并购抱持开放式态度。除了建厂收购以外，联电对8英寸的投入还表现在投资上。根据公开消息显示，联电在2020年的资本支出预算为10亿美元，以因应中长期客户和市场的需求。联电也将持续执行切入新的市场并扩展既有市场，藉着联电在制程技术及世界级晶圆专工服务的核心竞争力，更加强化在逻辑与特殊制程解决方案的产业地位。联电在其最新季度的报告中指出，资本支出方面，联电将维持10亿美元年度预算不变，即1.5亿美元用于8英寸，8.5亿美元用于12英寸。四、加码12英寸晶圆代工布局市场对8英寸的需求，使得联电赚的盆满钵满。同时，我们也看到，联电正在加紧布局12英寸晶圆代工项目。这或许也是联电走向未来的筹码之一。 8英寸晶圆代工需求的火爆，其中一个原因是大部分8英寸晶圆厂设备已折旧完毕，固定成本较低。大部分晶圆厂现已完全折旧完毕，因此，8英寸晶圆产品在经营成本上极具竞争力。但硅片尺寸扩大也的确会带来成本的降低，伴随着未来产线的成熟，12英寸晶圆代工势必会成为一种趋势，所以，这也引起了晶圆代工厂商们的加紧布局。目前来看，联电拥有4座12英寸晶圆代工产线，分别是位于台南的Fab 12A、位于新加坡白沙晶圆科技园区Fab 12i、位于中国厦门的联芯FAB12X以及位于日本三重县的USJC。其中，联电集团于2014年与厦门市政府等合作，在厦门火炬高新区投资建立联芯12寸晶圆厂，2016年开始投产，联电集团持股逾六成，是集团在大陆布局12寸晶圆代工的重要基地，初期以40/55nm制程为主，目前已导入28nm制程技术。今年2月，联电发布公告称，公司将透过子公司苏州和舰，对厦门联芯(12寸晶圆厂)增资，总金额人民币35亿元(约新台币149.87亿元，以下都以人民币计算)，协助联芯扩产。在联电最新的财报会议上，公司也表示，将维持厦门联芯12英寸厂的扩厂计划，目标2021年中左右，将从目前约2万片提升到2.5万片/月。在12英寸晶圆代工的布局上，联电还曾于去年9月获准以544亿日圆，收购该公司与富士通半导体(FSL)合资的12英寸晶圆厂日本三重富士通半导体(MIFS)全部股权。据相关报道称，此举将扩充联电12英寸晶圆代工产能。先前放弃12nm以下先进工艺的联电，在晶圆代工市场最后还是选择了回报率第一。但是如今在8英寸市场下赚的盆满钵满的联电，最终还是选择以12英寸晶圆代工为未来的筹码。

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微电子所提出基于忆阻器的人工感受神经系统的具体方案

当前，人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效甄别、处理和决策，并对重复无意义的信息进行有效过滤。因此，基于生物感受神经系统的功能特性构建具备生物现实性的高效智能信息感知系统将成为一个重要发展趋势。近日，中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队构建提出了基于忆阻器具备习惯化特性的人工感受神经系统的实现方案，并利用习惯化这一生物学习规则构建了可应用于机器人自主巡航避障的习惯化脉冲神经网络。研究团队基于Mott忆阻器和传感器构建了感受神经元，该神经元能够感知外界的模拟信号并转化成实时的动态脉冲信号，实现了对外界信号进行感知并传输的基本功能。感受神经元进一步通过突触器件与中继神经元相连接构建了习惯化感知系统。该突触器件具有连续刺激下权值的习惯化演进趋势，进而影响感受神经元信号向中继神经元传输的效率，使中继神经元的输出呈现频率下降特性(即习惯化特性，如图a所示)。基于这一习惯化特性，团队进一步构建习惯化脉冲神经网络用于实现机器人避障功能。测试结果显示，基于习惯化的学习规则所构建的所示忆阻器基人工感受神经系统能够有效提升机器人的避障效率。该习惯化感受神经系统还可通过不同的传感器应用于不同的感知系统，如嗅觉、味觉、视觉、听觉等。通过实现生物现实的感知系统，有望实现更具生物智能的终端系统。 a、忆阻器基习惯化感受神经系统示意图及系统响应特性。b、忆阻器基习惯化脉冲神经网络在提升实现机器人避障效率上的验证

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汽车CMOS芯片，百亿美元大市场

今年8月，华为旗下投资公司哈勃科技投资有限公司宣布投资参股安防领域CMOS图像传感器隐形冠军—思特威(SmartSens)。这家成立于2011年的国内CMOS图像传感器芯片设计公司，避开了传统巨头垄断的手机市场，转而切入安防市场并快速占据市场领先位置。就在华为宣布投资的几乎同一时间，思特威首次推出首款车规级图像传感器产品，同时亮相的还有面向智能交通监控的产品。如今，思特威再次宣布推出一款面向舱内应用(包括DMS)的车规级图像传感器产品，意味着这家华为系公司全面进军汽车行业。一、百亿美元大市场 3年前，CMOS传感器刚刚经历一轮全球需求的爆发增长期，智能手机及其他移动终端、安放监控行业是主要的推动力。如今，随着智能手机、传统安防监控领域步入低速增长期，CMOS图像传感器需要寻找一个新的高速增长行业。目前，在全球汽车市场，安森美、索尼、三星、豪威占据市场主要份额。数据显示，去年全球汽车图像传感器约10亿美元市场。按照未来三年车载摄像头配置数量变化(车内新增1-3颗、车外从之前的5颗逐步增加了8-12颗)，市场将持续受益智能化渗透率提升。此外，高阶产品需求开始出现，从传统的100-200万像素逐步提升至500-800像素。而自动驾驶系统对于摄像头要求更加复杂，性能更高。不过，相比于其他领域，汽车是一个极具挑战性的市场，对于企业来说，没有失败的空间。作为思特威AT系列首颗车规级图像传感器产品，SC100AT具有高达140dB的超高动态范围，以极其出色的高品质明暗细节成像应对车内/外的强烈光线变化。此外，SC100AT通过搭载思特威特有的PixGain HDR技术可实现出色的无拖尾成像，而低至0.58e-的读出噪声，更使其能够在低光照环境下输出清晰、细腻的夜视影像画面。而此次新推出的适用于DMS系统的SC133GS CMOS 130万像素CMOS传感器，在低光驾驶环境下，超高灵敏度(QE @ 940 nm > 40%)能够读取近红外光。结合120 fps帧速率和单帧HDR技术，提供实时图像清晰可见明暗细节，准确地捕捉最细微变化。与此同时，思特威还在今年6月发布其专有的LED闪烁抑制(LFS)技术，帮助CMOS图像传感器有效减轻LED闪烁带来的危险，以支持ADAS及自动驾驶的特殊要求。相比于其他同行已经推出的类似解决方案，思特威选择了一种更独特的方法，基于专有的QCell技术增加了传感器的灵敏度和动态范围，以适应昏暗或波动的照明场景。为了强化汽车业务，思特威还在今年6月宣布收购位于深圳的Allchip Microelectronics(安芯微)，后者是一家专门为汽车应用提供CMOS图像传感器的公司。思特威看中的是，到2025年，全球汽车市场摄像头模块将超过100亿美元的庞大市场。二、智能化的基础无论是镜头、模组还是CMOS，相比于车外ADAS的高性能(功能安全)要求应用，舱内DMS等应用要求相对较低，但同样对成本、尺寸、功耗等等有更高的要求。比如，豪威在今年推出的全球首款汽车晶圆级摄像头CMOS传感器OVM9284，尺寸为6.5 x 6.5毫米，功耗比平均水平低50%以上。 OVM9284基于豪威公司的OmniPixel 3-GS全球快门像素架构，能在940nm波长下提供量子效率，在接近或完全黑暗的情况下可以获得最高质量图像。集成的全视图像传感器(图像传感器、信号处理器和晶片级光学器件)，有3微米像素和0.25英寸光学格式，分辨率为1280 x 800。这款计划在今年底量产的芯片级摄像头，规避了传统舱内摄像头尺寸过大的弊端，方便汽车制造商和DMS方案商更灵活选择安装位置以及与座舱其他组件的集成。 “DMS可能是ADAS之后的下一个增长市场，因为驾驶员分心正成为一个主要问题，相应的监管和法规也在陆续推出。”行业人士表示，这几年产业链上下游企业都在不断加码。与此同时，摄像头也在成为智能化的重要元素。同时，视觉感知仍是adas及自动驾驶的重心所在。以手机为例，2017年苹果在iPhone的发布会上，约有10%的时间“推广”摄像头;去年，时间占比接近50%，而不是其他手机功能。如今，在汽车行业也是如此。搭载摄像头的数量，以及摄像头的像素也在成为新车智能化营销的重点之一。不过，对于思特威来说，汽车前装导入周期较长，考虑到华为的投资入股，以及其在智能汽车领域进入量产阶段，后续想象空间不小。此前，因为美国的出口禁令，使得索尼暂停了对华为手机的CMOS传感器出货。这意味着，在汽车行业，华为同样在通过投资参股的方式，扶持自有供应链体系。而持续的资本加持，正在加快思特威进军第二个“安防”市场。随着车载摄像头搭载数量的快速增加，不仅使核心CMOS芯片性能要求增高，更加速了细分市场的竞争程度。

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三星寻求强化与ASML合作，加速3nm芯片制程工艺研发

近日，据外媒报道，在芯片制程工艺方面一直落后于台积电的三星电子，目前正在寻求加强与极紫外光刻机供应商ASML的合作，以加速5nm和3nm制程的研发。 2015年，由于苹果合同A9 芯片在 iPhone 6s的生存能力低于台积电制造的芯片，三星一直无法获得苹果A系列处理器的合同订单，苹果订单已移交给台积电。尽管失去了苹果订单的三星仍收到高通等公司的订单，但三星在芯片加工处理方面也落后于台积电一段时间。台积电是第一个在同一过程中大规模投入生产的公司。来自国外媒体的最新报道显示，在芯片加工技术上落后于台积电一段时间的三星被用来加速5nm和3nm工艺的研究和开发。很难说三星能否超过台积电，加速5nm和3nm工艺的发展。作为芯片加工工艺的领先制造商，台积电的5nm工艺于今年第一季度大规模投入生产，第三季度的收入约为10亿美元，预计第四季度将超过26亿美元。在更先进的3nm工艺方面，台积电也在按计划推进，计划在2021年进行风险试产，在2022年进行大规模生产。此外，台积电与世界上唯一的极端紫外光刻机供应商阿斯麦密切合作，他们获得了大量的极端紫外线光刻机。在8月份的全球技术论坛上，台积电透露，世界上目前使用的极端紫外光刻机中约有一半，生产能力预计将占世界总量的60%。

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聚焦ICT技术，华为帮助车企“造好”车、造“好车”

汽车是工业的集大成者，挑战高利润大。吸引了很多业内业外的行业巨头纷纷想要加入造车队伍。通信电子以及互联网领域的巨头们都想在汽车行业分杯羹，索尼就为推销他们的汽车电子产品而专门造了一辆样车，谷歌、阿里、百度琢磨车机系统，LG更深入，直接造核心部件，动力电池。当然，华为也杀进来了，车轮上的华为开始加速华为有一个著名的压强战略，任正非曾用坦克和钉子来比喻：几十吨重的坦克能够在沙漠中突击，是因为它采用了面积比轮胎大得多的履带，由此使单位面积的承重减小不至于陷下去;而钉子虽轻，却能穿透硬物，在于极细的顶部拥有更强的压强。压强战略在企业管理中的意义是，集中力量对准业务的城墙口，以达到力出一孔，利出一孔。那么，专注ICT行业的华为杀进汽车领域是不是违背压强战略了?并不是，华为在汽车领域也是有所为有所不为，它要做的是把自己原有的能力整合到汽车行业。华为的策略是聚焦ICT技术，在智能座舱、智能网联、智能驾驶、智能车云服务、智能电动等领域为车企提供智能网联电动汽车的增量部件，帮助车企“造好”车、造“好车”。这正符合汽车加速智能化的趋势。用华为轮值董事长徐直军的话讲：“所有传统汽车涉及的部件，华为都不做;传统汽车走向智能网联电动车过程中，车辆所需要的部件和能力才是华为的主攻方向。” 并且，从去年开始，华为的汽车业务也开始执行压强战略。转折点是，去年5月底，华为成立智能汽车解决方案BU，汽车业务上升到集团战略层面。目前，该BU已经有4000多人的团队，仅今年内的投入就会达5亿美金，短期内不考虑盈利。上个月北京车展前夕，华为专门开了一场智能汽车解决方案生态论坛，介绍汽车相关的战略和产品;在北京车展，华为在整车馆租了展台;车轮上的华为在加速。华为的汽车布局：深淘滩，广撒网华为智能汽车解决方案BU在组织上大致分为五个部门，智能座舱部门、智能网联部门、智能驾驶部门、智能车云服务部门和智能电动部门。 1、智能座舱部门的关键词是鸿蒙车机系统、鸿蒙车域生态、智能硬件。按照华为的说法，鸿蒙系统是一个面向全场景的分布式操作系统，它的两大特点就是全场景和分布式。全场景指，鸿蒙系统可以运用在手机、平板、IOT等产品以及车机之中;分布式指运用鸿蒙系统的各设备之间可以互相调用硬件能力;打个比方，进入车内，手机播放的视频可以选择直接在车机屏幕上无缝切换，手机可以控制汽车内的音响，车机可以操控家里的智能家居设备，这样以来，各种设备之间就可以无感连接。目前，华为的手机和PC已经能够实现分布式能力，华为手机的整个界面可以在华为PC上显示，设备联通后，在华为PC上就能操控手机，包括打电话。不过，鸿蒙系统还未完全成型，鸿蒙车机系统也还在测试阶段。近期消费者真正能用到的是类似Apple CarPlay的华为HiCar轻量级系统，包括沃尔沃、比亚迪已经把华为HiCar作为一个产品卖点。在华为上海全球旗舰店，摆放的一辆沃尔沃XC90就是用来演示HiCar的。上个月的华为开发者大会上，华为消费者BG CEO余承东表示，华为HiCar已经与超过20家汽车制造厂商、150多款车型进行了合作，合作应用超过30款，目标2021年超过500万台车预装华为HiCar。鸿蒙车域生态好理解，就是鸿蒙在汽车领域的生态。华为的目标是，把手机的生态搬到汽车里，解决目前汽车可用APP服务欠缺的问题。华为在北京车展已经发布了部分智能硬件，包括车载智慧屏、AR HUD等。车载智慧屏就是华为版的汽车中控屏，目前还不知道具体的产品特点，据说不久后华为的一场发布会会详细介绍。你可能会问，AR HUD这东西跟华为之前的技术有关系吗?有的，毕竟华为都有AR眼镜的产品，这里面肯定有共通的技术，华为的AR HUD预计在2023年装车。华为在智能座舱领域的目标是做到汽车生命周期内，可实现硬件即插即用、软件持续升级，保证用户座舱系统体验的平滑演进。 2、智能网联部门的产品包括4G/5G车载移动通信模组/T-Box、车路协同C-V2X芯片等，比如，刚刚上市的北汽新能源 ARCFOX αT就搭载了华为5G模组MH5000。 3、智能驾驶部门业务包含MDC智能驾驶计算平台、传感器两条产品线以及ADAS自动驾驶解决方案。MDC智能驾驶计算平台这条线，与英伟达、Mobileye的产品存在竞争关系。华为的MDC主体由人工智能芯片NPU和通用计算芯片CPU组成，支撑汽车的计算和控制。不过，华为提供的MDC主要是支持车企实现自动驾驶，而自动驾驶更多就是以人工智能推理计算为主，把摄像头、激光雷达，毫米波雷达感知到的信息进行处理，然后进行推理，再向四个轮子发出指令。华为的思路是，虽然自家的MDC完全可以满足整车的计算推理需求，但基于安全性的考虑，会设置三个域控制器，同时也有三个操作系统匹配，分别是鸿蒙车机系统、自动驾驶操作系统AOS、智能车控操作系统VOS，以支持座舱系统、MDC、车辆动态控制系统的安全冗余，互为备份。上个月，华为发布了最新的MDC 210和MDC 610，分别提供48 TOPS、160 TOPS的算力，支持L2+、L3-L4级别的自动驾驶。之前，华为也已经有了MDC 300和MDC 600两款产品，目前MDC有四款产品，覆盖各种需求。其中，MDC 600早在2018年就发布了，集成8颗华为昇腾310人工智能芯片，算力高达352 TOPS，支持L4级别自动驾驶;产品发布之时，华为与奥迪就公布了合作计划，奥迪Q7用MDC 600的高阶版本进行自动驾驶的道路测试。非常具有前瞻性的是，MDC系列产品，物理尺寸保持一致，在智能汽车的生命周期里，可支持计算平台的平滑替代升级。目前，华为MDC产品已经有50多个合作伙伴。比如，使用华为的MDC产品，Momenta、禾多科技在乘用车领域打造了HWP、AVP等高级别自动驾驶解决方案;希迪智驾，在商用车领域打造了智能重卡解决方案，新石器打造了无人配送解决方案;在作业车领域，元戎启行打造了港口集卡解决方案，慧拓打造了无人矿卡解决方案。传感器这条线，华为有前视双目摄像头、超级鱼眼摄像头、毫米波雷达以及激光雷达。激光雷达方面，2021年底，华为第一代激光雷达将量产，到2024年，第二代华为激光雷达将量产，为全固态。激光雷达量产之时，华为将把目前昂贵的激光雷达成本降至几百乃至一百美金。其实，传感器也是华为已有技术的拓展，毫米波雷达用到的技术与华为的5G毫米波技术同源。此外，这个部门也负责向主机厂提供整体的ADAS自动驾驶解决方案。华为今年的目标是在城市道路上做到测试车辆自动驾驶1000公里无干预，力争2022年初将相关部件、系统正式装车。 4、智能车云服务。9月份，华为在智能汽车解决方案生态论坛发布了华为智能车云服务2.0，聚焦自动驾驶、高精地图、电池安全、OTA、V2X，包括四大子服务，自动驾驶云服务、高精地图云服务、车联网云服务和V2X云服务。自动驾驶云服务帮助客户构建一站式自动驾驶数据驱动的闭环方案;车联网云服务包含三电云服务、OTA和智能增值服务等服务能力;高精地图云服务将打造高精度动态地图聚合平台;V2X云服务通过全新发布的云控平台为丰富的V2X业务场景赋能，构建智能网联云端大脑。各项服务不再分别进行具体讲解。举两个例子，据华为介绍，八爪鱼自动驾驶云服务，提供数据服务、训练服务、仿真服务，三大服务贯穿自动驾驶开发、测试及商用优化的全生命周期，形成了以数据为驱动的自动驾驶闭环方案。而三电云服务能力是华为基于基站、手机等电池领域积累，结合云计算、AI、大数据等技术推出，可以实现车辆状态云端可视、电池故障预警、热失控防控、电池健康状态精准评估、电池剩余寿命精准预测以及电池控制策略优化。 5、智能电动部门。不久前，华为在广州成立了华为电动技术有限公司，应该是三电部门的法人主体，但华为智能电动相关业务只有就已经有了。北京车展期间，华为展示了mPower整体解决方案，包括三合一电驱动系统、多合一电驱动系统、电池管理系统、车载充电系统模块等，某些产品已经运用在运营商充电站中。很有看点的是华为的多合一电驱动系统DriveOne，号称业界首款超融合电驱系统，其集成了电动机、减速器、BCU(电池控制单元)、PDU(动力驱动单元)、DCDC(驱动电源单元)、MCU(微控制单元)、OBC(车载充电器)七大部件，做到了小巧紧凑，120千瓦(192马力)版仅重65公斤。包括比亚迪在内的主机厂已经在搭车测试，明年量产。不造车的华为，可再造一个博世连电机都做，可见华为涉水之深，难怪业界多次传出华为会造整车的传闻，但华为多次予以否定。徐直军之前解释：“未来汽车价值的构成70%不会发生在传统的车身、底盘等部件，而是在自动驾驶的软硬件、以及计算和连接等技术上。”换言之，从产业价值角度来看，华为没必要造车。确实，华为不做整车，而为所有整车厂提供方案，从硬件、到软件，从底层的芯片、操作系统系统，到上层的系统模组、整体解决方案，从智能座舱系统、到智能驾驶系统、再到电驱电控系统、云服务等等，产品几乎囊括所有智能网联汽车的增量部分，丰富得不能再丰富。放弃高成本、竞争激烈的整车行业，变为整车厂的供应商，华为既擅长又风险小、且每年足够有300-500亿美元的市场空间，假如顺利，华为将成为一个“新博世”。从To B行业，跳到To C行业，成功的鲜有，但华为仍然实现了在消费电子领域从默默无闻到世界顶级的蜕变。

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为什么晶体管在电路中常被用做开关？

晶体管可以用作开关和放大器，并且在电路中起到很大的作用。那么我们如何连接晶体管，才能使其用作电路中的开关? 首先，为什么晶体管在电路中被用作开关? 有很多不同种类的开关，以下陈列的是各种开关：按钮开关，翘板开关，滑动开关，DIP开关，按键开关，拨动开关，刀开关，它们的功能与晶体管相同，它们在电路中连接到开关输出侧的负载，下面的电路使用单刀开关来打开或关闭负载(LED)。如果以上这些开关具有相同的用途，那么为什么晶体管经常被用作电路中的开关呢? 原因是晶体管是电气开关。与上面的机械开关不同，晶体管通过电流来导通或截止。机械开关，例如单刀开关，按钮开关，需要人工进行开关。但是，晶体管的开启和关闭不是通过人为干预，而是通过电流来控制。两者都有自己的用途。机械开关通常在电子电路的外部使用，在这种情况下，人们需要控制各种功能，例如用于打开或关闭设备的ON-OFF开关，音量控制等。当我们只想通过晶体管的通断状态来接通或关断器件时，就使用晶体管。作为晶体管完美地用作电气开关的主要示例，我们将在下面介绍。如何将晶体管作为电路中的开关进行连接? 现在我们知道了为什么将晶体管用作开关，现在我们讨论如何连接晶体管以在电路中用作开关。晶体管是三引脚器件，由双极结型晶体管(BJT)的基极，集电极和发射极组成。发射极是第一引脚，基极是中间引脚，集电极是第三引脚。为了将晶体管作为电路中的开关连接，我们将将晶体管导通的设备的输出连接到晶体管的基极。发射极将连接到电路的接地端。集电极将连接到晶体管将导通的负载和电路的电源电压。该电路中有几个不同的部分。检测运动的部分是PIR运动传感器。当此传感器检测到运动时，它将运动能量转换为电流。许多电子设备都这样做。它们将机械转换为电流。PIR运动传感器可以做到这一点。一旦检测到运动，便将电流输出到其引脚3的输出引脚。由于此输出为电流，因此可用于导通晶体管。由于PIR运动传感器输出电流，并且晶体管是开关，因此它是与晶体管工作的理想开关。机械开关是人需要按下操作时使用的开关，晶体管是电流接通时的开关。因此，当我们希望电流控制电路中开关的状态时，可以使用晶体管。当PIR传感器未检测到运动时，它不输出电流，因此晶体管不会导通。当晶体管的基极没有接收到足够的电流时，没有电流可以从发射极流到集电极为负载供电，在这种情况下，负载是电动机。即使晶体管的集电极需要正电压(对于NPN晶体管)才能工作，它也不会仅仅因为有电压而导通。这是因为当晶体管没有接收到足够的基极电压时，它会充当开路。当晶体管开路时，没有电流可以流到地。因此，提供给直流电动机的+ 9V直流电压没有电势。电动机两端的电压均为+ 9V。只有当晶体管导通并且电流可以流到地时，才有确定的电位。当运动检测器检测到运动时，它会从其输出引脚输出电流到晶体管的基极。该电流使晶体管导通，因此晶体管现在可以为其负载(即电动机)供电。在该电路中，晶体管充当开关和放大器。如果使用PNP晶体管，则将负电压提供给集电极。

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英特尔在芯片业的制造难题无法轻易解决？

在英特尔最近公布的2020财年第三季度业绩报告中显示，英特尔当季营收183.3亿美元，净利润为42.8亿美元。而台媒MoneyDJ援引MarketWatch的消息称，英特尔未对转型计划过多解释。不过有分析人士称，英特尔的经营困境恐怕才刚开始，甚至美国银行分析师Vivek Arya认为，英特尔遇到的制造难题恐怕无法轻易解决，尤其是在高度竞争的芯片业。原因在于，英特尔的庞大规模恐怕会让该公司在寻找晶圆代工伙伴时遭遇挑战。 Vivek Arya说，英特尔究竟要部份还是完全转型为IC设计商，目前仍不清楚。现在也不知道晶圆代工厂是否还有多余产能为英特尔制造晶体管，或愿不愿意在短时间内帮助竞争对手，待后者改善内部制程后撤单，最终留下一座空荡荡的晶圆厂。另外，Jefferies分析师Mark Lipacis发表研究报告指出，若台积电同意在英特尔积极追赶时、以先进制程为英特尔打造CPU，那么台积电等于是在帮英特尔翻身，最终拱手让出AMD及Nvidia这两个高成长客户的订单。从战略的角度来看，Mark Lipacis相信只有在英特尔放弃打造先进制程晶体管的前提下，台积电才会为英特尔代工CPU。英特尔首席执行官鲍勃•斯旺针对延迟上市的7nm芯片指出，公司将在2021年初决定是采用自己的技术还是交由第三方代工生产7纳米芯片。

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比亚迪半导体车规级MCU装车量实现重大突破

近日在北京举行的第十六届北京国际汽车展览会零部件展中，比亚迪半导体携车用功率器件、智能控制IC、智能传感器、智能车载等多种技术和产品参展，全面呈现其在车规级芯片产品和技术上的强大研发实力及快速迭代能力，再次彰显其在电动车领域的领先地位。早在2007年，比亚迪半导体就进入了MCU领域，从工业级MCU开始，坚持性能与可靠性的双重路线，发展到现在拥有工业级通用MCU芯片、工业级三合一MCU芯片、车规级8位MCU芯片、车规级32位MCU芯片以及电池管理MCU芯片等系列产品。截至目前，比亚迪半导体车规级MCU已经装车突破500万颗，工业级MCU累计出货超20亿颗，实现了国产MCU在市场上的重大突破。自研车规级MCU全面覆盖值得注意的是，在比亚迪半导体发布的汽车半导体产品官宣视频中，有一个小器件的身影——自主研发的MCU。MCU即微控制单元，是将CPU、存储器都集成在同一块芯片上，形成芯片级计算机，可为不同应用场景实施不同控制，可应用于电控系统、电池管理系统、充电逆变系统、整车热管理系统、ADAS、车身及其他附件。 MCU广泛应用于汽车的不同系统中比亚迪半导体MCU芯片，在今年发布的高端旗舰车型比亚迪“汉”的前大灯、后尾灯、室内灯、空调控制面板以及后视镜控制等诸多应用场景中，均扮演了十分关键的角色，每一个功能实现的背后都离不开复杂芯片组的支撑。得益于自研MCU芯片的强大实力，比亚迪电动车的超凡智能化性能得以落地并具备持续迭代升级的能力。 MCU助力汽车智能化作为汽车电子系统内部运算和处理的核心，MCU是实现汽车智能化的关键。据iSuppli报告显示，一辆汽车中所使用的半导体器件数量中，MCU芯片约占30%。这意味着每辆车至少需要使用70颗以上的MCU芯片。随着汽车不断向智能化演进，MCU的需求增长也将越来越快。不断升级车规级MCU，引领电动车智能化发展近几十年来，国内 MCU多集中在消费类领域。公开数据显示，中国车规级MCU市场占全球份额超过30%，但却基本100%依赖于进口。在过去很长的一段时间内，车规级MCU技术都掌握在国际巨头的手中，为国外厂商垄断，国产替代空间巨大。随着比亚迪半导体的入局和突破，逐步打开了国产工控和汽车级MCU芯片的大门。相比消费电子领域，尤其是在汽车领域，车规级芯片存在研发周期长、设计门槛高、资金投入大和认证周期长等特点。做车规级MCU的难点，在于车载产品要求做到零失效，品质达到AEC-Q100 Grade 1，使用周期 15到20 年，技术难度远远大于消费电子类芯片。此外，车规级MCU仅仅是单个产品的资金投入就高达几千万甚至上亿人民币。因此，只有具备丰富芯片设计经验、全面产品质量管控、充足人力物力的公司，才有可能研发出满足汽车正常运行需求的MCU芯片。这也使得国内很多厂商对车规级MCU望而却步。结合多年工业级MCU的技术和制造实力，比亚迪半导体实现了从工业级MCU到车规级MCU的高难度跨级别业务延伸，在2018年成功推出第一代8位车规级MCU芯片，2019年推出第一代32位车规级MCU芯片，批量装载在比亚迪全系列车型上，已累计装车超500万颗，标志着国产车规级MCU在市场上迈出了一大步。比亚迪半导体还将推出应用范围更广、技术持续领先的车规级多核高性能MCU芯片。

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国产云端AI芯片落脚的难点与机会

数据中心在数字化、信息化推动社会和产业发生了巨大变革的过程中充当了重要的角色，随着人工智能在各行业的渗透，以及庞大应用场景使AI模式越加复杂，而其中数据中心的计算能力需要更高的要求与发展，而算力的核心就是芯片。正是基于这个原因，近年来全球涌现出不少致力于AI芯片开发的企业，燧原科技就是其中之一。在成立之初，公司就瞄准了云端训练芯片市场缺口，并提出了“做大芯片，拼硬科技”的目标。在这种愿景的驱动下，从2018年3月成立至今的短短2年半时间内，燧原科技就陆续发布了云端AI训练芯片“邃思DTU”、搭载该芯片的AI加速卡“云燧T10”以及基于OCP加速模组OAM的“云燧T11”。2020年9月，燧原科技再次迎来了里程碑式的突破——其第一代人工智能训练加速卡云燧T10和由其组成的多卡分布式训练集群已在云数据中心落地，正式进入商用阶段。近日，燧原科技携“云燧T10/T11” 首次亮相第三届全球IC企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会(IC China 2020)，在本次大会期间，燧原科技的负责人和相关专家为我们介绍了AI芯片实现商用的过程中存在着诸多挑战，以及燧原科技作为一家初创企业又是怎样完成了云端AI大芯片的迅速商用化落地。一、AI大芯片落地的难点众所周知，新场景对算力的需求，使得AI芯片在设计、制造和封测等方面进行了升级，由此也促生了很多新技术，这不仅为大量初创企业带来了发展机会，也同样为他们带来了诸多的挑战。以芯片设计为例，设计企业需要在架构、IP、SoC等方面进行创新。而芯片越大，则意味着整个芯片设计难度也会呈指数级上升，这为设计企业带来了难题。除此之外，AI芯片要处理大量的数据，所以这类芯片对性能的要求就导致了它对先进工艺和先进封装方面也具有较高的要求。而在解决了在这三个环节中的问题后，也仅仅是企业成功推出了相关产品，离实现商业化落地还存在着一段距离。 “量产是AI大芯片实现商用要翻越的一座大山”，燧原科技创始人兼COO张亚林表示：“在推出产品到实现量产的过程中，需要解决产品质量、性能功耗以及良率这三大核心问题。” 为了保证产品质量，燧原科技通过用验证方法学和验证覆盖率来确保芯片设计质量和制造质量。在性能功耗优化方面，则通过软硬件联合性能以实现端到端的性能调优，这包括三个部分，即进行芯片性能极限测试、硬件性能调优以及软件性能优化。在良率方面，存在着晶圆测试(CP)良率挑战、2.5D封装良率挑战以及分级良率挑战。对此，燧原科技选择了与产业链上下游伙伴共同合作来提高产品良率。除了在技术层面上存在产业化应用的挑战外，与之相匹配的软件生态系统也是AI大芯片难以落地的另一重要因素。为此燧原科技推出了计算及编程平台“驭算”。据介绍，该平台支持主流深度学习框架，并针对邃思芯片进行了特定优化。整个平台不仅包括传统的算子加速库，还为数据中心大规模训练集群提供高效灵活的调度机制。 (驭算软件架构) 二、大芯片背后的硬科技实现量产是商业化过程中重要的一环，量产后走向市场并受到市场的青睐则是更重要的环节，而这就需要依靠产品的硬实力。通过相关技术降低芯片成本，也是云端AI训练芯片硬实力的一种体现。其中，芯片架构的创新是实现算力普惠的一个重要因素。借本次全球IC企业家大会的机会，燧原科技创始人兼首席执行官赵立东发布了燧原科技的芯片架构——“GCU-CARA”(通用计算单元和全域计算架构)。据赵立东介绍，该架构具有完全可编程、全模式计算、全精度计算和高并行度的特点。据现场燧原科技专家介绍，GCU-CARA具有256个张量计算单元，每个计算单元支持1个32 bit MAC，支持所有精度输入以及混合精度运算。GCU-CARA拥有广泛的标量、向量、张量计算形式以及各种精度格式的支持，可以提供极其灵活的编程方式和张量切分/复用方式，从而支持最广泛的编程需求。据悉，燧原科技GCU架构还包括GCU-CARE(计算引擎)、GCU-DARE(数据架构)、GCU-LARE(智能互联)、GCU-PARE(先进封装)四大核心技术，旨在为人工智能产业注入了新动能。目前，燧原GCU已应用到云燧T10,T11产品以及数据中心AI训练系统和集群中。而今年云燧T10和由其组成的多卡分布式训练集群正式进入商用阶段，也从另一方面说明了燧原科技的硬实力受到了市场的认可。三、燧原科技开启2.0时代在云燧T10实现商用化落地的前四个月，燧原科技还获得了新一轮的融资，借助这轮融资，燧原科技得以从1.0跨越到了2.0时代。张亚林表示：“在1.0时代，燧原科技实现了从0到1的目标，在这个阶段公司的工作重心是放在建设中国顶尖的工程化团队，完成产品研发和量产、实现产品热启动，并完成首个人工智能训练解决方案的商业化落地。” 已经实现商用的云燧T10和由其组成的多卡分布式训练集群是燧原科技完成1.0阶段任务的代表作之一。从上文AI大芯片的商用落地难处便可看出，仅靠一块芯片或是一种产品难以支撑云端服务器的使用。从目前市场情况来看，由AI芯片所组成的分布式集群在云端服务器发展的过程中起到了重要作用，针对这种商业诉求，燧原科技所推出的多卡分布式训练集群，就能够为普惠云端训练的实现提供助力。 “多卡分布式集群的建成并不是一件简单的事”，张亚林表示：“在这个过程中，燧原科技需要解决多卡之间连接问题，还需要考虑每个板卡的工作分配，使之在尽可能小的功耗下发挥出最高的性能。” (云燧T10商用化案例展示) 人工智能训练平台的商业化落地不仅为燧原1.0画上了完美的通关句号，还为燧原科技打开了通往2.0时代的大门。 “2.0时代，燧原科技将进行从1到N的发展”，据张亚林介绍：“在2.0时代，燧原科技会专注于建立市场销售和服务支持体系，迅速拓展业务。同时，公司还将加强国内外学术端的合作，引进高端人才，构建产业生态。” 在产品规划方面，作为一个务实的企业，实现商业化落地是燧原科技所追求的目标之一。以此为基础，燧原科技在进行芯片设计之初就瞄准了市场痛点，大大加速了产品的商业化进程。张亚林表示：“未来，燧原科技也将以应用为导向，进行产品的拓展。在2.0时代，燧原科技还会持续产品的研发和迭代，构建云端训练和推理平台完整解决方案。为了实现这一目标，燧原科技将会在明年推出推理AI芯片。” 根据燧原科技的计划来看，公司将用3年时间来构建燧原科技2.0时代。燧原科技之所以能够在短时间内得到如此迅速的发展，是因为云端AI训练芯片还处于起步阶段，算法和架构方面还有很大的上升空间。从云端训练芯片巨头英伟达的发展中看，2019年其数据中心业务营收达到30亿美元，AI训练卡则贡献了其中的20亿美元和最大利润。而英伟达几乎垄断了云端AI训练芯片市场，一家独大的市场情况就导致了AI云端训练的成本很高。而燧原科技瞄准这块市场，就是期望能够提供可替代的解决方案来推动普惠算力的实现。据张亚林介绍，燧原科技瞄准的是云端计算芯片的存量和增量两大市场。存量市场指的是目前已有的，并可进行方案替代的市场，例如云服务商等领域。增量市场则是未来通过技术迭代并进行方案替代的市场。他表示：“在国外厂商已经构建了强大的优势之下，其他厂商要想进入这个市场首先就要适应已有的生态系统，通过提供可替代的解决方案是打入这个市场方法之一。这也是为未来突破国外厂商垄断所奠定的基础。” 从国内云端AI芯片竞争格局来看，由于现阶段国内致力于发展云端AI芯片的企业并不多，且在市场前景巨大的情况下，抢先争取相关人才和发展生态合作伙伴就成为了驱动企业未来发展的重要引擎之一。而这也是上文所提到的，燧原科技要在2.0时代大力发展的部分之一。因此，燧原科技正在积极与全产业链的伙伴达成合作，联合伙伴孵化行业解决方案，深度参与AI产业联盟;积极建立生态，联合建立高校联合实验室;并开放底层能力，赋能定制开发，深度参与社区，贡献测评标准。在算力即是生产力的今天，业界对普惠算力的需求日益高涨。在这种市场需求之下，在云端训练芯片这片蓝海当中，既是挑战又是机会，而燧原科技的成长也为国内云端AI芯片的商业化发展提供了选择。

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二极管具体是什么样的？

根据二极管只能单向导电的标志性性能特征，我们常常用“二极管”来形容那些看问题单向思维考虑，没有逆向思维，死钻牛角尖的人。那么“一根筋”的二极管具体是什么样的呢? 一、二极管是什么? 二极管是用半导体材料(一般由硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。只允许电流由单一方向流过。即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。因为这一单向导电的特性，在各种电子电路中，其应用非常广泛，如LED灯中的发光二极管，调频收音机等; 二、结构组成二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。三、二极管的分类 1、按半导体材料，可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。 2、根据其不同用途，可分为普通二极管、检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、变容二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、磁敏二极管、隧道二极管等。 3、按不同封装分类：可分为玻璃外壳二极管、金属外壳二极管、塑料外壳二极管、环氧树脂外壳二极管等。 4、按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 a、点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流(不超过几十毫安)，适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。 b、面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流(几安到几十安)，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 c、平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。四、常见二极管电路中的符号对照表五、二极管的作用二极管的作用有很多种：如整流、检波、稳压、钳位、开关、续流、瞬态抑制、发光、变容、测温、补偿等。整流：将交流电转化为直流电，通常包括半波整流、全波整流(包括桥式整流)、晶闸管可控整流(具备调压功能)等。检波：从高频调幅波信号中将调制的低频信号解调出来。常用于收音机中; 稳压：利用二极管的反向齐纳击穿时的稳压特性，获得稳定的电压。在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。开关：利用其单向导电性，让特定方向、特定值的信号通过，起到单向开关的作用。发光：常见为LED，即半导体发光二极管，用于高效率地将电能转化为光能。变容：是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器 ;变容二极管与反向偏压件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用，如使用于电视机的高频头中。

半导体二极管
手机半导体芯片开启新纪元：5nm工艺时代

2020年10月，随着苹果A14仿生与华为麒麟9000两款基于5nm工艺制程制造的处理器相继面市，手机半导体芯片领域正式步入一个新的纪元，即5nm工艺时代。结合近期的行业消息，三星的5nm工艺SoC——Exynos1080也已被提上日程，年内便会正式问世! 三星Exynos1080在目前已知的5nm工艺芯片中堪称一匹黑马，首先，Exynos1080在基于5nm先进工艺打造的同时，还采用了ARM最新一代的A78架构CPU。从ARM公司此前公布的官方数据可以得知，在相同主频、相同功耗的前提下，A78架构较A77架构单核性能提升了20%。而在同等性能的前提下，A78的功耗相较A77下降了50%。同时，Exynos1080还采用了ARM最新的Mali-G78图形图像处理架构，这也就表示，Exynos1080的GPU性能较前代也得到大幅提升。从日前安兔兔曝出的跑分数据能够看到，Exynos1080在该平台得到了693600的综合性能得分，相较现阶段主流Android旗舰普遍搭载的骁龙865移动平台高出了90000分左右。毫无疑问，届时Exynos1080一经问世，将会成为Android阵营的新一代性能怪兽。 Exynos1080能有如此强悍的表现，还与三星在5G和AI技术上的丰富积累，以及从芯片设计到生产制造方面的实力也有着密不可分的关系。据悉，从2000年开始，三星就通过对双核、四核、八核等芯片技术的发展引导，以实现高性能、低能耗为目标，不断开发新的工艺制程。 2016年，三星着手研发NPU(神经网络单元)，开始不断与全球各大公司机构展开合作，吸引优秀人才的同时积累相关经验。2018年发布的Exynos9820 SoC就采用了三星自研的首款NPU，自此，三星电子开始着力布局人工智能领域。去年，三星高级技术研究院推出了On Device的AI轻量级技术，让AI运算变得更高效、更省电。在5G商用领域，三星在2018年8月就率先推出了业界首款5G双模芯片Exynos Modem 5100。2019年4月，三星Exynos开始量产5G全面解决方案，在5G移动通信市场获得了技术的主导权。同年，三星联合vivo研发了业内首款双模5G AI芯片——Exynos 980，带来了更丰富的5G体验的同时，也加速了5G的普及和产业化进程。从来自三星官方的消息能够了解到，Exynos1080芯片将会在年内正式发布并商用，可以看到，无论是5nm工艺制程，还是A78+G78的核心架构，都将助力Exynos1080成为一款名副其实的高端旗舰芯片。可以预见，Exynos1080将会成为2021年行业主流SoC芯片中的性能担当，后续将搭载该芯片的终端产品也令人感到期待。

半导体三星手机处理器 soc芯片
博世“芯”动力，碳化硅功率芯片和域控制器芯片

在东海汽车测试技术中心举办的“2020年博世汽车与智能交通技术创新体验日”上，博世特别展示了其碳化硅和智能座舱域控制器解决方案。“博世，不仅是一家汽车零部件公司，同时也是半导体公司”。从产品角度来说，博世半导体产品主要有三大类。一块是MEMS，这是博世最大的半导体版块，包括惯性、角速度传感器;压力传感器，用于自动驾驶，安全气囊系统包括汽车动力系统、悬架等。除此之外还有两块，一是集成电路，也就是我们说的IC(integrated circuit)或者是ASICS，是专用系统芯片和传感器，用在特定的汽车应用中。(目前，这部分的产品主要还是对内使用。)另一块，博世功率半导体。一、电动汽车发展“芯”动力，碳化硅SiC 博世中国汽车电子事业部市场经理王骏跃表示：“碳化硅会成为电动汽车未来发展的“芯”动力。这个“芯”，一方面是核心、很重要的意思，另外也是一个芯片的意思。因为碳化硅的大部分产品是以芯片的形式，加上各种封装，封装成分立器件或者模块的形式对外出售。所以从这个角度来说，我们称之为“芯”动力。” 从市场应用的前景来说，碳化硅在电动车中应用主要有逆变器、车载充电器、DC/DC直流转换以及充电桩上。从整个市场规模的预测来看，2024年碳化硅市场规模大概可以到20亿美金左右。2018到2024年，市场规模年复合增长率大概在30%左右。王骏跃认为 “碳化硅主要的应用或者说未来占据整个市场主流的产品会是模块，据预测，2023、2024年模块会开始进入相对成熟的阶段。2024年以后，碳化硅的模块量会有较大的突破，预计年复合增长率会比30%更高。” 博世于2019年10月在德国正式宣布其开始碳化硅相关业务。功率碳化硅半导体生产基地位于德国罗伊特林根，主要来生产碳化硅的晶圆以及MOSFET。德国罗伊特林根生产基地主要涉及的产品主要有种，一是有不同结构的裸芯片产品，客户基于芯片进行封装成为模块后可以用在新能源车的逆变器当中。另一是可以提供分立器件MOSFET，它有两种封装的形式，一种是直插式的THT，如TO-247、263等等不同的封装形式，以及贴片式的SMD封装，主要是用在充电桩、车载充电以及DC/DC直流转换等。裸芯片和MOSFET均可以提供两种电压型：一种是1200V，用于高性能逆变器和充电器;另一种是750V，用于标准性能逆变器和充电器。在特性上，博世碳化硅可以做到更长的短路耐受时间(大概可以做到3微秒)，高雪崩稳定性。另外，应用双通道沟槽技术，可以实现较低的RDS(ON)，通俗来说就是导通电阻比较低，有助于降低能耗。结温温度会到175度，裸芯片200度。同时针对两款电压，裸芯片的RDS(ON)最低分别做到8毫欧和12毫欧。此外，博世基于150mm晶圆自主制造芯片，符合车规标准。碳化硅MOSFET有两种技术趋势，一种是现在市场上比较主流的，我们称为叫平面型结构，基于这个结构产品的间距比较大，意味着器件的体积会比较大。如果做到系统里面，用多个器件，这个系统体积就会变得比较大。而现博世双通道沟槽技术，可以保证在有较小的RDS(ON)同时，可以将这个间距做得更小，让系统实现小型化、轻量化。博世碳化硅产品的技术路线图，裸芯片，预计2021年的年底会上市。分立器件MOSFET这块，大概会在2022年初上市，基于对于客户的需求的匹配。二、“芯”动力，座舱域控制器电子电器架构发展趋势博世座舱域控制器实现了多个操作系统的集成，能够同时支持仪表、中控、副驾娱乐、HUD、空调、后排等多块显示屏，并且整合了驾驶员和乘员监控(DOMS)、360 环视(AVM)、及人脸识别(FaceID)、多麦克风输入、主动降噪等功能。这一强大而灵活的系统解决方案不仅保障了行车安全，也能极大限度地提升车内环境的用户体验。随着用户功能需求提升，车载娱乐域使用的ECU越来越多，具有消费电子外观和体验的信息娱乐系统仍然是OEM的主要竞争优势。而通过将多个ECU整合为座舱域控制器可以降低整车成本(BOM)、减少布线、减轻重量，并且可以降低软件开发难度以及整车集成验证周期，达到更好的OTA能力。主芯片选型层面，博世座舱域控制器搭载了高通 8155 芯片。从芯片性能、高低搭配的平台化、本地支持等多方面考虑，博世选择了高通作为座舱域控制器的主芯片。“在博世汽车多媒体的设计里，电子屏是车机座舱内最大的人机交互系统，而高通8155芯片可以完美实现“一芯多屏”的设计构想。” 平台化设计层面，博世通过软硬件分离，兼容性规范，保证一套应用在多个硬件平台上兼容。博世领先且成熟的硬件平台化设计，精通软硬分离的合作开发模式并积累了大量经验，尤其是QC6155/8155。三、“芯”动力，新未来博世半导体领域的发展，历史悠久。据悉，博世从1970年开始就已经在做半导体相关的产品。从产品的角度来说，从最开始的ASICS，到传感器到功率半导体，以及到最新的碳化硅的功率半导体一步步演进。从生产线的角度来说，最开始的6英寸的晶圆片，逐步发展到8英寸，以及2010年的时候，8英寸开始落地生产，2018年在德国德累斯顿，开始12英寸晶圆片的生产。博世“芯”动力，座舱域控制器芯片和碳化硅功率器件在飞速发展着。因为过去，我们相信未来，同时，我们也期待博世“芯”未来。

半导体汽车控制器功率芯片
半导体存储行业的“东亚模式”

在半导体存储器领域，韩国双雄三星和海力士，日本的铠侠半导体(KIOXIA 原东芝存储)，再加上台湾地区的中小厂商，东亚地区就是存储器领域的超级存在。随着SK海力士收购Intel存储部门，行业的天平还会继续向东亚倾斜。一、无敌的东亚存储圈花费90亿美元，SK海力士一口气收购了英特尔NAND SSD业务、NAND元件和晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。只要交割顺利完成，SK海力士就将成为全球第二大NAND闪存芯片供应商。成立于1983年的SK海力士总部位于韩国首尔，专攻存储业务，根据IC Insights公布的2020上半年全球半导体厂商营收排名，位列第4名，紧随代工巨头台积电之后。根据集邦咨询公布的数据，简单估算一下，SK海力士并购后在NAND领域的市占率将提升到23.2%，跃升至第2位。最有意思的是，这个榜单的前三位将全部是东亚面孔，分别是三星、SK海力士和铠侠，其市占率总和将达到71.8%。注意，NAND 仅仅是半导体存储器中的一个品类。在另一大品类DRAM中，SK海力士也是排名第二，仅次于三星。而整个市场基本由五大厂商所把持，分别是三星、SK海力士、美光、南亚科和华邦电子。除去硕果仅存的美系厂商美光，这个市场也完全掌握在东亚厂商的手中。可怕的是，来自东亚的巨头们依然保有“饥渴感”，还在不断扩军备战，让整个行业的竞争惨烈程度不断加剧。处于追赶者地位的SK海力士一直有很强的危机意识，希望能稳定在业内前三。根据日本媒体报道，SK海力士构想了一个大联盟的计划。除去收购Intel闪存业务，SK海力士还通过谈判获得了铠侠上市后取得15%股权的权利。铠侠一旦上市，SK海力士就有望成为其第3大股东。如果计划顺利，SK海力士将有实力同三星在NAND上相抗衡。 SK海力士近年来还持续推行扩张战略，不论NAND闪存还是DRAM，都持续投资新工厂，包括韩国利川新工厂、中国无锡工厂扩建等。一位业内人士就表示，收购英特尔在大连的工厂将为SK海力士的NAND闪存补充很多产能。老大三星为了坐稳王座，更是不遗余力的加大投入。2020年2季度，三星的资本支出达82亿美元，同比增长了58%，其中的大部分就投向了存储器领域。三星还加快了产能扩张的速度。中国西安生产基地和韩国平泽生产基地都在扩建。除了平泽的存储器工厂(P1)已投产先进NAND Flash和DRAM，于2018年投资建设的P2工厂也在2020年进行设备投资，生产第二代(1ynm)和第三代(1znm)10nm级DRAM，包括建设极紫外光刻(EUV)生产线。同时，三星还投资了8兆韩元(70亿美元)在5月开工建设NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片。在IPO进程中的铠侠也不闲着，原本预定2021年9月动工的四日市工厂Fab7 厂房工程，也计划推前至2021年4月。目前铠侠已取得用地，而不论IPO的进度如何，都会积极推动建厂计画。反观欧美系硕果仅存的美光，处在四面被围的局面中，即便明年将资本支出上调到90亿美元，在东亚友商面前依然掀不起风浪。而且，美光实现业绩的主要工厂都在东亚和南亚地区，如日本工厂主要负责生产DRAM，新加坡工厂主要生产NAND Flash，中国台湾工厂则负责封装，只有最新的3D Xpoint工厂设在美国的犹他州(Utah)。从某种意义上来说，美光也算半个东亚企业。在这个资金密集、人力密集、技术密集的产业，东亚厂商短期内是无敌的存在。二、产业转移美国推动存储行业有今天的局面，背后是产业转移的力量，当然也离不开美国的功劳。图半导体产业转移路径日本是承接产业转移的第一批受益者。从上世纪50年代，索尼创始人盛田昭夫从美国引入晶体管技术之后，日本的半导体就进入大发展时期。到了70年代，为了补齐在行业短板，日本政府启动了”DRAM制法革新”国家项目。由日本政府出资320亿日元(3亿美元)，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元(3.8亿美元)。总计投入720亿日元(6.8亿美元)为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”。这一为期4年的项目让日本获利丰厚，终于在1982年登顶全球DRAM第一的位置，并将大部分美国企业逼入困境，发明DRAM的Intel公司也因此退出这个领域。美国惧怕日本在半导体技术上超越自己，逼迫日本签下《日美半导体协议》，使NEC等公司开始缩减产能，同时扶植韩国厂商来制约日本。美国向韩国提供大量的资金支持用于研发和技术更新，同时持续的给予技术支持。 1990 年，三星开发出世界第三个 16M DRAM。进入 90 年代,韩国 DRAM 技术的国产化步伐加快,水平也有很大的提高,16M RAM、64M DRAM 相继在 1990 年、1992 年开发成功,256M 和 1G DRAM 接踵于1994 年、1995年问世，韩国终于在 DRAM 领域超过日本，摘下世界第一的桂冠。日本企业让出了市场份额，但美国人没有料到的是，韩国企业却在美日交战中平地崛起。特别是2008年的金融危机，欧洲的奇梦达和日本的尔必达(日立、NEC等DRAM业务部组成)受到重创，韩国企业却逆势投资，终于成为行业新霸主。韩国的奇迹崛起也在于不断效法日本。1981年，韩国政府为推动集成电路产业的发展，制定了“半导体工业育成计划”，加强了对集成电路产业技术的开发。政府还颁布了半导体产业的基础性长期规划(1982-1986)。正是得到了政府的直接刺激和承诺，三星、现代等企业才宣布大举参与超大规模集成技术水平的大规模芯片生产，特别是DRAM的开发。韩国和日本的在半导体行业发展路径极为相似，不同的是，韩国企业坚定不移的信心和持续投入度更强。从三星创始人李秉喆以战略性眼光决定发展半导体芯片产业开始，再到后任会长李健熙的坚持，在家族式大财团模式下，无论全球市场如何波动，企业政策一直保持了连续性。特别是三次逆周期投资，更是奠定了三星今日的王位基础。两国政府的推动也是左右行业发展的重要因素。日本有DRAM制法革新项目，韩国随后效仿，由电子通信研究所(KIST)牵头，联合三星、LG、现代与韩国6所大学，一起对4M DRAM进行技术攻关，1986-1989三年间，韩国政府共计投入 1.1亿美元，并且承担了研发项目中57%的研发经费。当然，这两条还不足以说明韩日为什么会在存储器领域遥遥领先，因为美国和欧洲也有类似的做法。最终的答案可能就在于存储器本身。知名半导体行业专家莫大康认为，存储器是标准产品，设计上差异性不大，要靠规模取胜。谁能够在一个集成电路上集成更多稳定的存储单位，“能够制造出稳定的存储器”，是产业获胜的关键。而这恰恰是日本工匠哲学的基本要求。在稳定性得到保证之后，之后才是其他特性。韩国也继承了这一品质，因此才能将存储芯片做到极致。三、东亚模式和技术进化半导体存储器行业有今日的格局，可被视为“东亚模式”的最佳表现。二战后东亚国家先后崛起，创造了一系列经济奇迹，人们将这一过程总结为“东亚模式”。 “东亚模式”本质上是一种“经济发展模式”。它是指出口导向型的工业化战略或外向型的经济发展战略。 “东亚模式”最显著的特色是强力政府加上具有强烈的经济建设意识和强大的导向作用。 “东亚模式”其特征表现为：东亚各国、各地区的经济增长和工业化是其致力于经济增长和现代化的政府理性地进行制度创新和制度安排并有效地予以实施的结果。美国和欧洲为东亚各国开放了市场，使得其得以扩大出口，同时进口所需要的原材料，再加上政府的引导，促成了制造业的快速发展。按照世界银行2019年公布的数字，全球制造业GDP最大的五个国家是中国、美国、日本、德国和韩国，其中东亚的中日韩三国都名列世界制造业五强之内。东亚模式发展到经济高速增长的后期，有规划下的产业政策、科技型产业补贴和转型升级、进口替代，也是重要的特色。很多行业依赖于强势政府的产业规划和政府补贴而崛起，比如光伏产业、新能源汽车和半导体存储器行业。这种模式为东亚地区带来了存储器产业的荣光，但未来是否依然有效，现在还不得而知。可以看到的是，存储器行业在比拼产能的同时，也更加重视技术创新。Intel将大部分存储业务卖给了SK海力士，唯独保留了Xpoint单元。这也说明Intel依然看好3D闪存的未来。对于SK海力士和三星来说，两者之间也在技术层面不断针锋相对。SK海力士于2018年成功开发了全球首款基于电荷撷取闪存(Charge Trap Flash，CTF)的96层4D NAND闪存，并于2019年开发了128层4D NAND闪存。而三星存储同样也在2018年5月推出了9X层的第五代V-NAND闪存颗粒，并在2019年通过独特的通道孔蚀刻技术，推出了功耗更低性能更快的1XX层的第六代V-NAND闪存颗粒。可以预见，有了Intel闪存技术的加持后，SK海力士对三星的挑战还将进一步升级。对于中国存储产业来说，身处“东亚怪物房”也并非都是坏事。能近距离观察学习领先者的经验，又背靠巨大的市场，这都是我们的优势。

半导体半导体存储器东亚

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