当下的碎片化信息时代,随着碎片式内容的日益丰富,移动设备的使用频次越来越密集,一款集时尚轻薄的外形与快速充电于一身的充电设备,自然更得消费者青睐。所以, 更智能且支持快充的移动电源方案便应运而生。 用户通常都是在远离电源的场合使用移动设备如玩游戏、看视频、发微信等,需要随时随处频繁为移动设备充电,这种需求促进移动电源市场的增长。根据有关市场调研机构的预测,移动电源的出货量将从2016年的不到5亿只增加到2019年的超过9亿只,从而使得市场年均增长率高达17.5%。TMR最新研究报告指出,预计到2022年,全球移动电源市场规模将超过361亿美元,2014-2022期间年复合增率高达25.9%。 图1:移动电源市场趋势 在市场发展的不断推动下,仅仅具备简单的充电功能的移动电源,已经远远不能满足消费者的期望, 而更智能的特性和更前沿的设计则是消费者的普遍期待,尤其是能使电池尽快充满电的移动电源,可将不便减至最小。安森美半导体高度集成的单芯片移动电源方案LC709501F,可实现功能丰富且更具差异化特性的智能移动电源产品,更智能且支持快充,帮助移动电源供应商在市场竞争中处于有利地位。 开创的功能:与移动设备通信,于移动设备显示电池信息数据 相信很多消费者都有过因携带的移动电源电量不足而无法为移动设备充电的恼人经历。安森美半导体的智能充电控制器LC709501支持通过USB 2.0 全速主机控制器获取移动电源电池信息如1% 步进剩余电量、电池温度、电池电流及电池健康指标(电池充放电周期数),提供行业首款电池信息数据显示App用于移动设备,让消费者通过移动设备随时知悉所携带的移动电源的各项指标,大大提高用户体验。 如图2所示,只要基于LC709501的移动电源被连接到移动设备如智能手机,创新的移动电源应用程序就自动启动,移动电源的详细运行信息及关键参数将显示在智能手机的屏幕,如移动电源电池剩余电量及动画运行、移动电源电池使用时间、剩下的充电时间、电池温度、快充开关按钮等等,并且该方案还支持移动电源供应商在该App界面显示其公司Logo。 图2:与智能手机的通信显示电池健康和充电信息 系统架构简单且高度集成 传统的移动电源方案通常包括微控制器(MCU)、低压降稳压器(LDO)、USB检测模块和充电稳压模块等多个元件,需要大量的设计整合时间,以及软件开发时间来处理逻辑和控制功能。安森美半导体新的单芯片方案LC709501F 将多个元件集成到单个封装,减少元件数,节省约20%的空间,实现紧凑的、超薄的高性能系统,支持平台设计,外置的FET还可扩展充电能力。该单芯片方案包括集成的电量计功能、可配置的I/O、LED驱动器、I2C接口、USB 2.0全速主机控制器,和用于外部功率MOSFET的预驱动器,提供领先业界的功率密度。 图3:移动电源之传统方案架构对比安森美半导体方案架构 支持最新的快充标准 为加快充电速度,缩短充电时间,市场上产生了各种快速充电标准,其规格和充电速度及输出功率如图4所示。一般而言,输出电流和输出电压越高,充电越快。安森美半导体的移动电源方案LC709501可自动检测移动设备的电池标准,并集成最佳充电方式选择功能,通过更新固件支持最新的快速充电标准,如高通快速充电QC2.0和QC3.0等专有充电协议,并可通过额外的软件支持USB PD和Type-C连接,资深用户甚至可对LC709501F重新编程以实现定制的充/放电协议,通过改变外部MOSFET支持最大12V、2.5A(30W)的输出功率等级。 图4:快速充电标准概览及比较 丰富的保护机制 移动电源的安全问题不容忽视,如若其保护机制的设计不合理,将有可能引发火灾、爆炸等安全事故。安森美半导体的LC709501F提供过流检测、过压检测、安全计时器和冗余电池保护等全面的保护机制,并采用一个热敏电阻用于温度监测,增强安全性。此外,其自适应充电算法能在兼顾电池健康状态的同时,实现最大化的电荷存储容量,确保更长的电池使用寿命。 能效测试 安森美半导体对LC709501F作了6组能效测试,6组数据的能效都超过90%,如图5所示。 图5:能效测试曲线 总结 安森美半导体打造的行业首款支持快充的智能单芯片移动电源方案LC709501F,开创了移动电源与移动设备通信的功能,可准确可靠地于屏幕显示电池信息数据,提供全新的用户体验,具备智能特性以及同类最佳的集成度,系统架构简单,有利于实现紧凑的、时尚轻薄的移动电源,支持平台设计,并兼容最新的快速充电标准,满足消费者对随时随地为便携式电子产品充电的需求,提供宽广的功率和5 V、9 V甚或12 V工作的电压输出范围,通过简单的FET选择,最大充放电能力达30 W,全面的保护机制增强安全性并确保电池使用寿命。此外,为帮助移动电源制造商加速产品上市进程,安森美半导体还提供参考设计套件,最大限度地缩减设计人员重设计硬件的时间。
大多数商用雷达系统,特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统,均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz汽车雷达系统满足自适应巡航控制时的高速度要求,但它们体积过大、过于笨重,占用了大量电路板空间。 随着车辆中雷达传感器数量的不断攀升,目前车辆中至少有10个雷达传感器(前置、后置和车角),空间上的限制就要求每个传感器必须体积更小、功耗更低,并且性价比更高。某些正处于开发阶段的现有雷达系统将促使发射器、接收器、时钟和基带功能集成在一个单芯片内,而这将把前端芯片的数量从4个减少到1个,不过这只适用于雷达前端。 通过充分利用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,并将嵌入式微控制器 (MCU)和数字信号处理(DSP)以及智能雷达前端集成在内,TI已经将集成度提升至新高度。前端具有处理功能将尽可能降低雷达系统尺寸、功率、外形尺寸和成本,从而进一步实现车辆内多个雷达系统的安装。 图1:由CMOS实现的单芯片集成 CMOS技术的传统优势包括更高的晶体管密度和更低功率。CMOS内的数字缩放降低了功率,缩小了尺寸,并且提高了每个节点的性能。在数字晶体管改进的推动下,CMOS的速度不断提高,现已足以满足79GHz ADAS应用的需要了。 79GHz波段提供4GHz带宽,这对更高范围的分辨率至关重要。未来的雷达系统还将需要对短距离的支持,将更佳的角分辨率转化为雷达系统内的更多天线。采用CMOS技术的TI传感器能够支持此项扩展能力,实现高容量的大批量生产。 CMOS技术进一步提高了TI在模拟组件中嵌入数字功能的能力,从而实现了在雷达系统部署方面的全新系统配置和拓扑。例如,TI单芯片毫米波(mmWave)传感器内的嵌入式MCU可实现射频(RF)和模拟子系统的半自主控制。TI的CMOS传感器为模拟组件提供数字辅助,以便适应环境和生产过程中的变化,同时保持灵活性和稳健耐用性,数字辅助能够灵活生成调频信号并能实现实时高级自监控。 一个雷达系统的动态范围取决于接收器噪底,以及在保险杠反射所导致的自干扰下的耐受能力。而这在很大程度上取决于架构和系统能力,这样就使一个CMOS系统——具有更宽的中频(IF)带宽、更多信道和精确的低噪声线性闭环调频信号生成——对于特定的雷达应用具有出色的系统级性能。 CMOS技术改变了毫米波传感器的设计,并嵌入更高的智能化和功能性。CMOS技术已经使TI能够提供高性能、低功率毫米波传感器产品组合,涵盖了从高性能雷达前端到单芯片雷达的整个范围。
意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。 意法半导体的碳化硅制程可以制造出稳健性极高、正向电压同级最好(VF最低)的二极管,给电路设计人员更多的发挥空间,用低价的小电流二极管取得高能效和高可靠性,让碳化硅技术更容易打开成本敏感的应用市场,例如太阳能逆变器、工业电机驱动器、家电和电源适配器。 同时,意法半导体最新的1200V碳化硅二极管可满足高性能应用对高能效、低重量、小尺寸或最好的散热性的要求。更低的正向压降(VF)产生更高的能效,给很多汽车设备带来重大利好,例如,车载充电器(OBC)和插电式混动汽车或纯电动汽车(PHEV/EV)充电桩。另一方面,总体比较稳健的电性能确保其最适合电信级电源、服务器电源、大功率工业开关式电源(SMPS)及电机驱动器、不间断电源(UPS)和大型太阳能逆变器。 除最大限度提升碳化硅能效外,最低的正向压降VF 还有助于降低工作温度,延长应用设备的生命周期。此外,意法半导体的制程确保产品具有很小的VF (数据手册规定的正向电压)压差,在原始设备制造商量产电路时,这可以确保电路有很好的再现性。 意法半导体的新系列1200V 碳化硅二极管覆盖2A至40A额定电流范围,包括DPAK HV(高压)和D²PAK贴装的汽车级元器件或通孔TO-220AC和TO-247LL (长脚)封装产品。目前市场上只有意法半导体一家公司提供D²PAK封装的1200V 碳化硅二极管。TO-220AC封装的10A STPSC10H12D二极管。
在过去的半个世纪,硅一直是现代电子工业的基础,原因很显然:到现在为止,硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在,面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料,硅的局限性受到了挑战。 这种颠覆性材料就是氮化镓(GaN),自上世纪90年代以来主要用于LED和RF器件的化合物。尽管GaN并不是刚刚发现或新奇的材料,但是GaN刚刚进入下一代电子设备的功率半导体应用,创造了速度和转换效率的新高度。 Dialog与台积电(TSMC)合作,推出市场上首个高电压GaN功率IC +控制器组合。该功率产品组合(以SmartGaNTM产品系列为先锋)将实现转换效率可达94%的快速充电技术。 我们的新PMIC DA8801与Dialog具有专利的数字式 Rapid Charge™电源转换控制器结合使用,可以实现比目前的硅场效应晶体管(FET)设计更高效、更小、功率密度更高的适配器。事实上,DA8801可以使硅PMIC的功率损耗和尺寸几乎减半,进而使该技术的成本减半。 我们计划首先将这种技术应用于PC和手持设备的快速充电适配器。目前在快速充电适配器市场上,凭借Rapid Charge™快速充电技术,Dialog的市场占有率已超过70%。GaN具有十分惊人的促使这类产品的功能、外观和成本发生革命性变化的潜力:因为GaN技术可使功率电子器件的尺寸减小50%,一个典型的45W GaN驱动的适配器的尺寸可与传统25W设计的尺寸一样甚至更小。通过更紧凑的设计,适配器能变得更轻巧,有助于在不久的将来实现能为所有移动设备供电的通用适配器。 GaN技术提供全球速度最快的晶体管,这些晶体管是高频和超高效功率转换的核心。Dialog的DA8801半桥将栅极驱动和电平转换电路与650V功率开关相集成,可使功率损耗降低达50%。同样重要的是,这些特性有助于无缝应用GaN技术,而无需设计复杂的外围电路。 这使GaN技术能够顺利地集成入其他产品。因此,DA8801集成式GaN半桥为提升各种技术的效率带来了几乎无穷的可能性,从助力更快速的物联网(IoT)应用,到提升服务器和数据存储操作的效率。到目前为止,硅材料对我们提供高效、敏捷的技术发挥了重要作用,而GaN将会在未来带我们走的更远。
MACOM 于今日推出MAAL-011141-DIE。下一代测试和测量系统需要简单易用、外形更小、性能更好的宽带元件,用来实现更小的模块化解决方案与缩短上市时间。MACOM的宽带低噪声放大器便是满足这些测试和测量要求的理想解决方案,其工作频率范围为DC至28 GHz。 60多年来,MACOM的设计和应用专家始终在射频、微波和毫米波领域引领创新。经过考验的工程和应用支持团队继续书写着这种传奇,设计出下一代宽带MMIC解决方案,可满足要求最为严苛的客户应用。 性 能 分 析 MAAL-011141-DIE在整个频率范围内都具有低噪声系数特性,可实现宽带应用(如测试和测量以及任务关键型航空航天与国防应用等)的信号完整性。MAAL-011141-DIE只需正压,无需负压电源,从而所需元件和电源轨更少,可减轻客户设计负担。 此外,这款低噪声放大器还具有可变偏压特性,为客户提供更大的自由度去折衷线性度和功耗。MAAL-011141的输入和输出均为50 Ω匹配,典型回波损耗>15 dB。通过创新的设计,这款放大器的噪声系数比其他替代品更低,尤其是在低频范围内表现更出色。 “ 增益平坦度高、噪声系数低以及阻抗完全匹配的特性使得这款产品非常适合高要求的测试和测量应用。而且正偏置电源和可变偏压特性也极大拓宽了其应用范围。MAAL-011141-DIE仍将以5 mm QFN封装的形式发布,属于下一代MACOM宽带放大器全新系列的一部分。 ” —MACOM产品经理Paul Beasly
奥宝科技作为工艺创新技术解决方案和设备的领先供应商,致力于推进全球电子产品制造业变革,公司将于5月17日至19日在中国苏州举行的CTEX 2017上展出一系列最新的创新的PCB量产制造解决方案。 奥宝科技解决方案现场演示于5月17日至19日在苏州国际博览中心C1号展厅AJ12号展位举行。 针对PCB制造商不断向超高精密的印刷和柔性电路板转变的趋势,奥宝科技将重点介绍一系列支持mSAP制程、先进HDI制造和自动PCB应用的前制程、生产和良率管理解决方案。即将亮相的mSAP型解决方案包括用于高精密量产DI(直接成像)的Nuvogo Fine10、AOI(自动光学检测)的Ultra Fusion 300进一步提升性能,目前可实现自动化二维测量制程质量控制,以及用于AOS(自动光学成形)的Precise 800——业内唯一一款针对断路、缺口和短路的一站式解决方案。 公司还将展出面向工业4.0的新型奥宝科技智能工厂解决方案。该解决方案与奥宝所有产品相连,可以实现实时的生产分析、双向通信和数据分享,以及可追溯性和按需数据分析。此外,奥宝科技还将展出CAM与工程软件解决方案InCAM和InPlan。 CTEX期间,奥宝科技会在展览会的NPI(新品发布)研讨会上举行两次会议。在第一次会议(5月17日13:00-13:40)上,奥宝科技亚太区高级市场经理郑晶晶女士将介绍奥宝科技的mSAP整套解决方案。第二次会议(5月18日13:00-13:40)由奥宝科技亚太区市场经理王俊杰先生主持,他将展示奥宝旗下符合工业4.0理念的解决方案——奥宝科技智能工厂——如何提供可以实现全面监控的可追溯性工具,从而帮助全亚洲的客户优化工作效率。 奥宝科技亚太区总裁Hadar Himmelman先生表示:“我们发现,随着‘超级’智能手机型号的日益增多,PCB制造商对mSAP和先进HDI应用的需求也不断增加。通过与客户的持续合作,奥宝科技研发了一系列全面的生产解决方案,用于满足mSAP和先进HDI应用的关键需求。Nuvogo Fine和Precise 800可以帮助我们的客户生产适用于市场上最先进应用的高品质PCB,同时最大程度提升良率,提供最佳的成本结构。CTEX期间,我们还会展示奥宝科技智能工厂解决方案和用于AOI的二维测量插件,这些都可以满足PCB制造商对可追溯性、测量和自动化的需求。” 即将在CTEX 2017上亮相的奥宝科技PCB生产解决方案包括: Nuvogo Fine10:Nuvogo Fine10是奥宝科技旗下行业领先直接成像(DI)解决方案的一员,专为mSAP、先进HDI和FPC PCB应用而生。Nuvogo Fine配备奥宝科技一流的光学、机械和电子系统,能够提供高分辨率(L/S=10/15μm),同时兼具出色的成像质量和超高产能。Nuvogo Fine采用了奥宝科技经过业界验证的大镜面扫描技术(Large Scan Optics Technology),能够提供无可比拟的景深(DoF)和成像均匀度。多波长激光技术(Multi Wave Laser Technology)的运用也赋予了它最佳的曝光灵活性。 Ultra Fusion 300+2D计量:UltraFusion 300是一款mSAP和先进HDIAOI解决方案,是奥宝科技推出的领先市场的高性能AOI系列的一员,运用多重影像技术(Multi-Image Technology),实现出色的检测,减少误报。奥宝科技的Ultra Fusion 300进一步提升性能,现在可以利用自动化二维测量实现IPQC(制程质量控制),可以对顶部和底部的导线宽度持续进行自动在线检测,并且通过快速、简单的采样和先进的可追溯性确保精确、可重复的测量结果。 Precise 800:突破性的Precise 800是唯一一款“一站式”自动光学成形(AOS)解决方案,专为mSAP、先进HDI和复杂多层板PCB制造市场而生,能够采用一站式自动化过程对任何缺陷进行成形:断路、裂纹和短路。Precise 800能够对最先进的PCB设计进行精准、高品质的3D成形,几乎避免PCB报废,从而大幅提升产品良率。Precise 800可以解决全部缺陷,包括内层和外层、多线路、角落和焊接点缺陷的缺陷。 具有超高速自动化功能的Sprint 200:具有超高速自动化功能的Sprint 200文字喷印机是奥宝科技专门针对PCB生产打造的量产数字化文字喷印解决方案。作为奥宝科技高性能PCB文字喷印机系列的最新产品,它可以凭借极具成本效益的方式带来最高品质的工业级喷印,即使是最复杂的文字设计,都能以始终如一的品质进行准确生产,满足任何制造量需求。文字喷印机支持自动和手动两种模式,是一款成本效益极高的先进解决方案,可满足当前和未来的PCB文字和序列化喷印需求。 InCAM和InPlan:InCAM和InPlan是适用于硬板、软板和软硬结合板生产的软件解决方案。InCAM这款专用的CAM解决方案将分析和编辑功能与自动化生产数据优化相结合,为PCB制造提供高精准的CAM工具。InPlan是一款自动化工程系统,将复杂的工程实践知识与尖端制前计划工具相结合,从而设计最佳生产流程。
外媒报道,芯片设计巨头ARM已与美国研究人员合作开发出了一种大脑芯片,这种芯片可以被植入人脑中。 这种芯片的设计目的是为了帮助脑部或脊椎损伤的病人。它可以被植入人的头骨内。 它不仅可以让人们执行各种任务,而且还能够接受感官反馈信息。 但是,我们可能需要等待一些时日才能看到这种芯片的好处。 ARM公司将为华盛顿大学感觉运动神经工程中心(CSNE)设计的移植物开发芯片。 这些研究人员已开发出了早期的原型机。 “他们已开发出了一些原型机。”ARM卫生保健科技负责人彼得-弗格森(Peter Ferguson)说,“现在的挑战就是能耗和热量问题。他们需要个体超小、能耗超低的芯片。” 第一阶段就是设计“芯片系统”,帮助将大脑的信号传递给骨髓中植入的刺激物,从而让那些患有脊椎或神经疾病的人恢复控制他们的身体活动。 最近这个研究团队,包括位于俄亥俄州克里夫兰的凯斯西储大学的研究人员,率先在一个全瘫患者身上进行了试验,并帮助患者恢复了由大脑控制的手和手臂运动。 但是,CSNE还希望该设备能够将感官信息传回给大脑。 “它们不仅要能读取大脑的信号,而且还要能给大脑传回信号。”弗格森解释说。 这种设备可以让人们衡量他们抓取物体的牢固程度,或感受物体的温度。 研究人员称,这种反馈信息还可能帮助大脑恢复正常工作,帮助某些病患者恢复正常,例如中风患者。 “想一想吧,对于那些有脊髓损伤的患者,这种技术可以帮助联通脊髓,让肌肉群再次活动起来。” 弗格森说。 与此同时,他表示,这种技术还可以被用来治疗中风患者、帕金森氏症患者和老年痴呆症患者。 ARM公司位于英国剑桥,去年它作价240亿英镑卖给了日本软银公司。 在今年3月,软银据说准备将其25%的ARM公司股份销售给一家沙特阿拉伯投资公司。
近日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在京发布了《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》。这是我国首部集成电路产业人才专题的白皮书,对我国集成电路产业人才的供需状况进行了全面的分析和总结。CSIP同期举办了主题为“如何营造适合中国集成电路产业发展的人才培育环境”的论坛。中国教育学会会长、原北京师范大学校长钟秉林,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武,中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)主任卢山,工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰等出席并致辞。来自展讯通信、中芯国际、清华大学、中科院等业界代表共计100余人出席了活动。 中国教育学会会长钟秉林在致辞中表示,《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》的发布可以推动我国高等院校更加明晰人才培养目标和规格,深化人才培养模式的改革。高校应加强与企业合作、产教融合,为产业发展真正提供高素质人力资源支持。白皮书的发布也为其它学科探索适应产业发展需求的人才培养方式树立了典范。 国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示,《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以来,我国集成电路产业得到快速发展。与此同时,人才匮乏的问题凸显出来。白皮书的发布让业界首次系统认识到集成电路人才的层次、数量、来源及其区域分布。 中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心主任卢山介绍,《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》是为进一步贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》文件要求,准确把握我国集成电路产业人才状况,了解我国集成电路产业人才结构和分布,联合新思科技、安博教育、摩尔精英共同编撰,对我国集成电路产业人才状况进行了全方位的摸底和分析。卢山表示,随着集成电路产业的快速发展,人才的短板成为无法回避的问题。希望白皮书的发布能够促使更多人关注集成电路人才的培养,更多优秀人才加入到集成电路产业发展中来,更期望我国集成电路产业能够培育更多的大家、名匠。 工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰表示,人才是集成电路产业的第一资源,也是制约集成电路产业发展的关键瓶颈。CSIP联合相关机构共同编撰的这部《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》具有很强的现实意义,是CSIP在集成电路人才工作方面的重要成果,填补了产业界的一项空白。 安博教育集团董事长黄劲表示,安博教育集团通过创新集成电路人才培养模式,来推动各重要要素的完善和发展。黄劲董事长本人以及安博教育集团核心团队多位成员都是硅谷顶尖的集成电路设计专家。安博教育集团又在软件及互联网人才培养领域深耕十余年,与国内数百所高校合作,培养数十万人才。黄劲表示,此次白皮书的编制与发布只是一个开始,编委会将继续携手合作,对中国集成电路人才进行跟踪研究,每年发布一版白皮书,推动产业的发展。 新思科技中国区董事总经理葛群认为,人才是加速创新的核心驱动力。新思科技自成立至今一直致力于集成电路人才的培养,坚持集成电路人才的培养需要高校和产业相结合,通过培育实践创新相融合的战略,将全球工业界最新技术融入教学及实训体系建设,帮助中国集成电路产业培养复合型创新人才,为中国集成电路产业的跨越式发展提供强有力的支撑。 工业和信息化部软件与集成电路促进中心副处长徐珂对白皮书进行了解读:《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》编委会对我国集成电路全产业链的600余家企业以及开设有微电子等相关专业的100余所高校开展了调研,对我国集成电路人才数量、结构、地理位置分布、薪酬状况、学历分布、高等院校人才培养状况等业界普遍的关心问题进行了多维度分析。 按照白皮书的总结,我国集成电路产业人才现状有四大关键词:一是我国集成电路产业人才呈“一轴一带”分布:东起上海、西至成都、重庆的“沿江分布轴”和北起大连,南至珠江三角洲的“沿海分布带”。二是我国集成电路人才“缺”:产业人才的供给与产业发展的增速不匹配,依托高校培养IC人才不能满足产业发展的要求。三是重点关注集成电路人才“供给侧改革”: 面对新时期产业发展对人才提出的新要求,关注人才供给侧,改革创新人才培养方式,注重高端集成电路产业人才培养工作。四是“产学研”融合培养:产学研深度融合,共同来发现人才、培养人才、储备人才。 对于我国高校集成电路人才培养状况,白皮书指出,一是我国高校地域分布不均衡;二是高端人才数量缺口巨大;三是创新人才培养机制,需要“产学研”协同育人。 《中国集成电路产业人才白皮书》将按照年度发布,并无偿向社会公开。
近日,一件传言很久的大新闻终于尘埃落定:一家主导了世界上几乎所有芯片架构的公司要落户中国了。这家公司就是ARM,它将和厚安创新基金合资成立公司,然后提供芯片设计所需的知识产权、技术支持和培训。 ARM可以说是承包了地球上几乎所有的芯片架构,不管是你的手机还是kindle、系统是iOS还是Android。这样一家公司如今进入了中国这个芯片消费大国,中国的芯片厂商很开心,而芯片霸主高通可能此时正哭晕在厕所。 目前,绝大部分手机处理器架构都基于ARM架构,不论是高通、三星、华为,但ARM不亲手去做芯片,而是通过对外开放授权的方式,出售说明书,厂商自己设计生产。你可以把ARM的架构理解为一份秘制基础菜谱,它销往世界各地,不同的芯片厂商是不同的厨师,根据自己的需求,用这份基础菜谱做成不同的菜系。 ARM授权的方式主要有两种,一种是套餐,授权打包解决方案,把ARM架构和IP内核都拿出来,厂商可以直接用。这种方案也叫公版架构。 另一种是单点,只授权ARM架构,内核由厂商自己设计,也叫自主架构。 ARM公司拥有版权的只是他们每年更新出来的公版架构。公版架构性价比较高,不需要耗费研发时间和人力,买下最时尚的芯片架构,用最经济的方式跟随潮流,联发科、三星、海思的芯片使用的都是ARM公版架构。 不少芯片厂商都选择先买一年的套餐,随后等到自己的相关技术成熟之后,再根据以前买的版本发展私有版本。三星此前一直采用ARM公版Cortex内核,但从2015年开始也在Exynos上采用了自主研发的Mongoose内核。 而像高通这样的公司,虽然也会在心有余力不足的情况下选择ARM公版,但是大多数情况会选择自主架构。买下ARM架构,然后根据自己的需求设计内核,有更高的自由度。这样的方式更加烧钱,也有可能在性能上超越公版。 但高通的野心不止于此。 高通除了在芯片设计上还是使用ARM,在基带芯片和通信技术上基本垄断了所有专利,几乎没有任何一项技术能绕过高通这个专利收费站。高通之所以成为世界上最赚钱的公司之一,是因为可以双渠道赚钱:一个是芯片销售费,另一个就是专利授权费。 高通差不多算是芯片界“人缘”最差的公司了。手机厂商当中,除了苹果、三星、华为和小米,大多数的厂商都还不够实力研发自己的CPU处理器,而会选择高通性能更好的CPU。高通也因此建立了“专利收费站”的坏名声,常被指责欺负人,然后吃反垄断罚单。 2015年2月,高通向中国反垄断部门支付了9.75亿美元罚款,12月遭到欧盟反垄断控诉,2016年12月,韩国反垄断部门对高通开出了8.54亿美元的罚单。 就在5月13日,高通还收到了来自英特尔和三星的诉状书,称高通滥用专利,在向手机厂商授权技术专利时采用了不正当竞争方式。三星的Exynos芯片因为高通不愿意授权,所以无法出售给其他非三星的电子设备。 虽然ARM的食谱可以卖给世界各地的厨师研发自己的菜谱,比如高通、三星。但是高通除了是一名会做菜的厨师,同时还种菜,其他厨师就算有了菜谱,也要从高通那买食材。 而高通如今连菜谱都不想用ARM的了,想要研究自己的菜谱。在骁龙820/821处理器上完全使用自己的Kryo架构处理器,最近推出的骁龙835处理器也采用半定制化Kryo八核。想要摆脱ARM的控制自己单干的意图很明显。 而在国产手机厂商当中,除了华为和小米研发自己的处理器,大部分手机厂商都只能依赖高通做研发生产。数据显示,2016年中国集成电路进口额高达2271亿美元,连续4年进口额超过2000亿美元,这个额度甚至超过了石油行业,成为第一大进口商品。中国每年消费的芯片价值超过1千亿美元,占全球出货总量的近1/3,但芯片产值却仅占全球的6%-7%。 尤其垄断霸主高通的自研的势头还越来越强。在去年7月日本软银收购ARM后,还有很多人担心还中国和ARM之间多出一层微妙的关系,离自己制造芯片越来越远。中国拥有庞大的消费市场,却不具备自主“造芯”的实力,中国政府和制造业一度痛心疾首。 面对越来越膨胀的高通,ARM抢先一步进入中国,不仅确立了自己“独家菜谱”的江湖地位,还打消了中国人对ARM被收购后的顾虑。 要为ARM这次入华加一句对高通说的台词的话,可以是:你可以做自己的菜谱,但是大部分厨师都还是要买我的。
全球知名的高品质机电开关品牌之一 C&K 今天宣布推出使用寿命更长并具有即时检测功能的全新系列检测开关。全新 ATS 开关针对智能电表、报警系统和 POS 终端等新一代通信设备开发,可为需要可靠检测设备被拆开或被攻击的应用提供经济型解决方案。 C&K 全新 ATS 系列结构小巧,具体尺寸为 6 x 3.8 mm。该系列高度为 3.2mm,采用软启动器,机械行程达 1.1mm。这包括0.4mm 超程,用于使设计人员轻松实现集成。 C&K 全新 ATS 开关的防护等级为 IP54、防腐蚀,是适用于恶劣环境和防篡改应用的理想解决方案。 该系列开关以 2000 件一捆的方式交付,交货周期为标准交货周期。
德州仪器(TI)正将前所未有的高精度和智能化引入包括汽车、工厂和楼宇自动化、以及医疗市场在内的广泛应用中。TI的全新毫米波单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)产品组合包括5个解决方案,横跨具有完整端到端开发平台的76至81GHz传感器的两大产品系列。AWR1x和IWR1x传感器产品组合提供比目前市场上毫米波解决方案高3倍的感测精度,样片现已供货。精密模拟设计技术与数字信号处理的完美结合能够让设计人员在其系统中实现智能化和非接触式感测。 毫米波传感器产品组合的主要特性和优势 · 高度集成:借助全集成式CMOS单芯片(集成同类产品中最佳的数字信号处理器(DSP)和微控制器(MCU)或只有一个MCU或DSP),设计人员可以根据需要选择最佳的处理能力。每个芯片都能够提供智能、高精度的独立感测,具有小于4厘米的距离分辨率,距离精度低至小于50微米,范围达到300米。 · 全面的产品系列:由5款器件组成的产品组合让设计人员能够选择合适的解决方案来满足其设计需求,同时,功耗和电路板面积减少50%。 · 高度智能化:TI的毫米波76至81GHz单芯片传感器产品组合可以动态地适应不断变化的情况与条件,支持多种功能模式,以避免误报,并为多种应用提供大范围的感测。 · 环境灵活性:IWR1x和AWR1x 毫米波传感器可以透过塑料、干燥墙壁、衣服、玻璃和很多其它材料,并且能够穿过光照、降雨、扬尘、下雾或霜冻等环境条件进行感测。 · 立即开始工作:TI全新的毫米波软件开发套件(SDK)包括示例算法和软件库,它们通过不到20个的简单应用编程接口(API)简化RF设计。通过利用TI的mmWave SDK平台,工程师可以在不到30分钟内开始他们的应用设计工作。 专为汽车雷达设计的具有突破性的精度 通常,开发人员在车辆中创建美国汽车工程师学会(SAE)国际2级及以上功能时会遇到阻碍,主要来自传感器尺寸和为特定组件供电。通过内置的质量标准、在小外形尺寸和低功率封装中所达到的前所未有的精确度,TI的AWR1x 毫米波产品组合让开发人员能够满足这些要求,同时实现低成本。设计人员不但可以提高高级驾驶员辅助系统(ADAS)和自主驾驶的安全特性—包括可实现汽车安全完整性等级(ASIL-B)的ISO 26262—而且提供了自动泊车辅助、行人探测,以及承载率和驾驶员监控等全新特性。 将稳健耐用的毫米波感测引入到工业应用中 为了应对工厂、楼宇自动化系统和智能基础设施中对于更高效率的需求,开发人员现在能够充分利用TI的智能化且稳健耐用的毫米波传感器产品组合。此外,在一些需求不断增长的应用领域,如医疗设备、箱内液位感测、机器人视觉和无人机等,这项感测技术可用于改造现有的一些功能。TI的IWR1x 毫米波非接触式传感器不受环境中的光照、降雨、灰尘、下雾或霜冻的影响,这使它们在室内或室外都能稳健运行。通过确定设备周围物体的所处范围、速率和角度,这些传感器能立即适应动态变化的场景。
说到“内容为王”,也许大家第一时间联想到的新媒体或者是电视台、新闻门户网站等媒体渠道的内容运营,但其实越来越多电商网站的运营也逃离不了“内容为王”的原则。近两年,内容电商在蓬勃发展,阿里划分了微淘发现、淘宝头条、必买清单等多个频道,京东上了一个发现频道,苏宁也有了青春社区频道……可以说在内容大潮之下,巨头都在布局。 如果说,各大巨头们做内容,一方面是对未来的投资,一方面是怕被时代淘汰的无奈之举。那么今天笔者要分析的元件分销行业的垂直电商——世强元件电商,则更像是要通过内容,带动整个产业链的发展。 世强元件电商在2016年1月上线,短短一年多的时间里,已经成功累积了数万份的新元件、新技术、新方案的资讯,超十万份的机密元件资料,逐渐成为智能硬件工程师研发设计过程中,必不可少的“工具书”。不仅如此,世强元件电商还上线了技术支持模块,并为此组建了一个由近百位资深专家组成的FAE技术团队,帮助工程师们解决单单看“工具书”不能解决的研发设计难题,创造性的解决了广大中小企业硬件工程师因原厂资源分配的问题获取创新服务难的问题。 不难看出,世强元件电商这个平台就是想通过“内容为王”来帮助和吸引更多硬件工程师——用对硬件工程师有用的内容将其吸引,再通过创新服务帮助他们解决研发设计中面临的实际难题。不仅解决了工程师的难题,也通过内容的持续更新解决了现今大部分以销售为核心的元件电商用户粘性低的问题。 世强元件电商通过以创新服务为核心的元件电商模式,将线下的创新服务移到了线上,打破了以销售为核心的元件电商模式中小企业获取创新服务难的局面。以扫地机器人为例,在世强元件电商首页输入“扫地机器人”,进行搜索,弹出页面的相关内容包含了扫地机器人优选器件方案、最近资讯、技术资料、技术问答、元件供应等多个方面的内容,其中优选器件方案所推的元件产品都是经过客户端验证过、已成功DI或实际案例支撑的,整个方案具有型号具体化、应用实例化的优势,可以说为硬件工程师提供了最有价值的信息。 值得一提的是,目前世强元件电商线上可供下载的资料,包括数据手册、测试报告、应用手册、优选方案、白皮书、应用方案开发工具等内容,覆盖了工业电子、汽车电子、通信设备、消费电子、测试测量等领域。基于此,世强元件电商通过为硬件工程师提供大量的内容服务和技术服务,创造性的将内容切到元件供应模块,完成交易,最终再通过资料资讯的持续更新增强工程师对平台的粘性,循环往复,实现平台的良性发展。 通过上图,我们可以清晰的看出,世强元件电商的商业理念。而这种理念,不仅提升了用户的使用体验、增强了平台的粘性,还把传统的以技术服务为导向的分销模式移至到了线上,填补了销售型元件电商缺少创新服务的遗憾。据笔者了解,目前世强元件电商作为首家以内容为切入点的元件分销电商平台已经小有成就,短短一年就覆盖了百万工程师,服务2、3万家创新企业。在未来,这种模式能否形成更大量级的发展,带动整个元件电商领域销售额的爆发,我们拭目以待。
派更半导体公司首席执行官Jim Cable近日宣布,派更半导体将对其高管团队进行重大调整,公司将任命Stefan Wolff担任新的派更半导体首席执行官。而Cable将转任派更半导体公司主席兼首席技术官,并担任派更半导体母公司村田制作所(Murata)的全球研发总监。这一系列大胆举措的目的均旨在增强派更的半导体业务能力。 Jim Cable表示:“我们都非常熟悉Stefan,我们与他及他的团队已开展了多年合作,我很高兴他能够与我们一道加快我们及母公司村田制作所的发展。同时,我也非常期待回归自己的技术专业,专注于推动村田制作所的创新发展。我们的未来发展将越来越好,我非常高兴看到这样的改变。” Stefan Wolff拥有近15年的半导体与通信技术领域综合管理经验。在加入派更半导体之前,他在德国慕尼黑担任英特尔公司移动通信业务副总裁兼总经理。在英特尔任职期间,Wolff领导一支全球团队开发和生产蜂窝调制解调器及移动连接产品,成功开展了多项备受关注的研发合作,并与领先经销商签订了多项重要订单。在就职英特尔之前,Wolff在英飞凌公司负责管理智能手机与射频业务部门,并曾在西门子移动美国公司负责领导射频开发中心。他的职业生涯起步于汽车电子行业,担任博世公司射频设计工程师。除具备杰出的领导才能之外,Wolff还拥有深厚的技术背景,包括获得柏林工程应用科学大学的电子工程学士学位。所有这些教育背景及职业成就都将使Wolff完全胜任派更半导体公司首席执行官这一新角色,并在高管层面引领公司的技术成长。 Wolff表示:“多年来,我一直十分赞赏村田制作所及派更半导体团队,两支团队间存在着很好的协同效应。同样,我还看到了任何其它公司所无法实现的创新。我已迫不及待地想要看到我们将会为行业带来哪些重大技术变革。” 除上述重大调整以外,Cable还任命Dylan Kelly担任公司新的首席运营官。Kelly自2010年起就开始担任派更半导体移动无线解决方案业务部副总裁兼总经理。Kelly于2000年加入派更半导体,曾在产品开发、营销及销售部门担任过多个技术与管理职务。在加入派更半导体之前,Kelly还曾在摩托罗拉公司从事收发器设计工作。他拥有德克萨斯大学奥斯汀分校电子工程学士学位及加州大学圣地亚哥分校电子工程硕士学位。他撰写了多篇技术论文,并拥有37项专利和正在审批的专利。 Cable说:“多年来,Dylan为我们移动业务的增长做出了巨大贡献,在公司内外赢得了广泛的尊敬。我相信他有能力在派更半导体公司担任肩负更大职责的领导角色。” Kelly表示:“凭借我们的创新文化,我的职业生涯都奉献给了派更半导体公司。自公司成为村田制作所旗下一员以来,我们获得了惊人的成长。因此,此次高管人员调整表明,我们的团队将有能力去创造更多的创新。我很自豪能够成为这个充满活力的领导团队的一员。” 村田制作所通信与传感器业务/能源业务部执行副总裁Norio Nakajima称:“我们将半导体视作技术组合的重要组成部分。半导体一直以来都是我们解决方案的一部分,但未来我们将投入更多资源,推动半导体产品达到新的水平。为实现这一目标,我们将组建一个新的半导体部门。” Nakajima还表示:“我们期待派更半导体公司团队帮助我们开发出尖端的射频半导体及独一无二的全新产品。由Jim、Stefan和Dylan组成的领导团队是实现这一愿景的理想选择。我与Stefan认识和合作已有20年了,我非常尊敬他,欢迎他加入派更半导体团队。多年来,Dylan成功管理和领导派更半导体的移动业务取得了巨大成功,而Jim是一个有理想的技术专家,我们需要他推动派更半导体获得更多的半导体业务创新,助力实现村田制作所的远大目标。”
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求,宽频范围可达9kHz~8GHz,并配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。派更半导体推出的全新高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、一流线性度,及快速开关时间与安定时间等特征,拥有业内领先的高掷数配置性能规格与灵活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是滤波器组切换及信号发射/接收(T/R)路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“派更半导体推出的全新SP6T、SP8T和SP12T开关实现了无可比拟的高掷数配置灵活性与高性能。基于较宽的频段范围及外接VSS脚,我们的团队对PE42562、PE42582和PE42512进行了优化,使其能够满足测试与测量市场的独特需求。测试与测量工程师们可借助这些高掷数开关,使自己的设计兼具高性能、可靠性与灵活性。” 这些高掷数开关产品具有一种先进的功能,即镜像端口选择功能,可通过单一控制总线实现射频路径同步选择。在双开关配置中,可使用两只高掷数开关,而无需使用多只单刀双掷(SPDT)开关。只需将一只开关的逻辑选择(LS)脚接地,第二只开关的LS脚“留空”,即可激活镜像端口选择功能。这一简化布局(一个逻辑控制信号同时发送至两只开关)可大大节省电路板空间和布局时间。了解镜像端口选择功能的更多信息,请登陆派更半导体公司网站下载“应用说明68:双开关配置中的同步路径选择”(Application Note 68: Simultaneous Path Selection in a Dual-switch Configuration)。 产品特性、封装、价格及供货 UltraCMOS PE42562(SP6T)、PE42582(SP8T)及PE42512(SP12T)开关适用于测试与测量应用程序,可覆盖9 kHz至8 GHz的频段范围。这些吸收性开关配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。这些高度灵活的开关在整个频段范围内都具有极高的端口间隔离度及较低的插入损耗。每只高掷数开关的高线性度可达60 dBm IIP3,连续波(CW)功率处理能力高达33 dBm,快速开关时间仅为200纳秒以内,并可实现快速的安定时间。 PE42562和PE42582均采用24引脚4x4 mm QFN封装,PE42512则采用32引脚5x5 mm QFN封装。样片与评估工具现已上市,量产零件将于3月底上市。订购1万片的价格为每只PE42562(SP6T)开关4.99美元,每只PE42582(SP8T)开关5.87美元,每只PE42512(SP12T)开关10.28美元。
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS® PE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员,PE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得极大成功的基础之上,并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一种取代砷化镓(GaAs)分立PIN结二极管功率限幅器的单片式方案,可保护设备不会受到过高RF功率、故意干扰及ESD事件的损害。PE45361能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“派更半导体的单片功率限幅器为我们的客户提供了一种增强射频功率保护的新奇而强大的方案。我们推出的PE45361基于我们UltraCMOS限幅器的关键射频性能及物料清单(BOM)成本优势,并可提供100瓦功率处理能力,实现较低的限幅阈值,从而保护敏感的低噪声放大器(LNA)。” 与PIN结二极管功率限幅器相比,UltraCMOS功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍,线性度(IIP3 )改善了10~40 dB,静电放电(ESD)保护能力提高了20倍。此外,UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于PIN结二极管功率限幅器。最后,UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚(VCTRL)调节限幅阈值,无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。 与其它UltraCMOS功率限幅器一样,PE45361也设有两种工作模式:功率限幅和功率反射,从而最大程度地提高性能与灵活性。用户可通过可编程管脚VCTRL选择模式。在功率限幅模式下,限幅器对负载不起作用。当输入射频信号功率超过VCTRL设定的限幅阈值时,限幅器将限制输入的射频功率。在极端环境中使用功率反射模式时,限幅器将把大部分入射功率反射回功率源。 产品特性、封装、价格与供货 PE45361功率限幅器覆盖10 MHz~6 GHz频段,可为高性能功率限幅应用提供卓越的功率保护功能。该限幅器可处理高达50 dBm或100瓦的大脉冲功率,可调限幅阈值为7 dBm~13 dBm,正向阈值控制为0伏至0.3伏。在6 GHz时,PE45361的低插入损耗为0.95 dB,高回波损耗为12 dB。PE45361的快速响应时间仅为0.6纳秒,迅捷恢复时间为1纳秒,线性度(IIP3)达37 dBm。PE45361静电放电功能极强,可达7 kV HBM。 量产零件与评估工具现已上市。PE45361采用紧凑型12引脚3x3 mm QFN封装,订购1万片的价格为每片4.30美元。