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  • NiteN“另辟蹊径”，推出新型LED替代性光源

    据报道，NiteN推出了一款名为2D-LiteLED磁盘的LED替代性光源，可以显著降低SSL灯具成本。NiteN预计将于2014年推出60W替代灯泡，价格约为10美元/800流明。作为灯泡替代品，它的独特设计可能不会立即产生共鸣，但它能产生全方位均匀的光，并且可以降低制造成本。坦率的说，目前已有多家企业推出了几十种针对SSL改造的模型，但迄今为止，没有一个取得了市场成就，不过NiteN产品的独特设计使得它具有讨论空间。从它的垂直中心线横截面可以看出很大不同，单独的印刷电路板（PCB）用于承载LED和驱动器电子设备。该设计消除了LED和驱动器电子设备的互连，金属镀覆的印刷电路板作为一个散热片和反射器。该设计使用了两个基板（COB）背靠背安装在印刷电路板的两侧。单独一个COBLED不能提供全方位的光束模式。产品低成本优势明显，2D-Lite的设计会自动组装在表面贴装线路，不需要连接或手工焊接/装配，灯泡的螺丝灯座也在PCB一部分的实施范围内，在灯泡边缘每侧的PCB（绿色垂直沿基地）可以看到爱迪生螺纹，此外，印刷电路板之间和底部插座的电气连接也嵌入在PCB上。但批量生产此产品需要大量资金，包括需要建立塑料底座注塑模具昂贵的费用，公司正在Indiegogo社会资金网站上努力筹集资金，也是该网站上飞利浦创新研究员计划的一部分。其他的挑战包括非传统的灯泡外观，Turudic说有望在2015年价格下降至6美元，2017年下降至3美元。但飞利浦似乎认为消费者更偏爱符合传统的灯泡。不过最大的问题还是速度，LED球泡市场已全面启动，CREE、飞利浦等企业早已在市场推出相当于60W、10美元左右的灯泡，而且大公司有批量的生产及分销安排到位，以数百数千支瞬间卖出。而且到2017年消费市场已被长寿命LED改造灯所充实，市场严重削弱。

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  • 大比特LED研讨会深圳站报名启动 TI将携新方案亮相

    【导读】相关数据统计，深圳的LED行业企业多达1800多家，占整个广东省LED企业数量的半壁江山，约占全国的三分之一。在深圳，不管是LED封装、显示屏、照明产品的质量、产量还是出口量，都位居全国前列，其地位可谓举足轻重。 讯：相关数据统计，深圳的LED行业企业多达1800多家，占整个广东省LED企业数量的半壁江山，约占全国的三分之一。在深圳，不管是LED封装、显示屏、照明产品的质量、产量还是出口量，都位居全国前列，其地位可谓举足轻重。 国内LED行业企业分布图 尽管深圳政府在今年3月份废止《关于印发深圳市LED产业发展规划(2009—2015年)的通知》的举措让不少业内人士觉得这个产业已经被政府抛弃，同时还引起他们对LED行业发展的诸多猜想。然而，就目前的市场情况来看，我国今年LED照明市场空前繁盛，尤其是LED室内照明、商用照明产值的增长空间仍然巨大。今年，中国LED室内照明产值有望达到557亿元。同时，也有业界人士表示，政策的废除并非坏事，行业的发展最终还是要交还给市场，而市场的竞争亦将促进LED行业的升级。 为了更好、更及时地推动LED照明行业的技术交流，促进LED照明行业的健康快速发展，由资讯机构主办、半导体器件应用网承办的第九届LED通用照明驱动技术研讨会将于10月25日在深圳马可孛罗好日子大酒店举办。届时，来自德州仪器半导体技术(上海)有限公司的市场拓展经理Parker Han将带来《德州仪器最新LED驱动方案介绍》，对最先进的电子变压器卤素灯替换方案，性价比最高的可控硅调光方案以及强大的辅助设计进行介绍。详情请登陆meeting/led_9j/index.html。 现场听众报名已经全面启动，登陆meeting/led_9j/tzbm.html进行报名，更可获得精美礼品! 由主办的第八届LED研讨会刚刚在厦门落下序幕。会议当天，参会人员热情高涨，对会议给予高度的评价。承接这个良好的态势，LED研讨会深圳站将分别在A、B两厅同时进行。本届研讨会将围绕2013年LED行业的热点话题如散热、调光、色偏、光衰、可靠性、安全性、稳定性、高效率、成本优化、生产工艺、测试认证标准、LED照明现状技术和未来趋势等技术解决方案、LED照明元器件技术、LED测试技术而展开讨论，为现场工程师带来高、精、尖、全以及不同性价比的最具代表和最新的LED驱动技术方案。同时，主办方还将邀请行内20多家代表方案企业在现场进行新产品以及代表产品DEMO展示。本届研讨会将会成为涉及面最广、最全面的一次研讨会。 更多会议详情，敬请登录会议官网：www.ic.big-bit.com/。 往届LED研讨会精彩回放 本文由收集整理

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  • 晶门科技与维信诺成功研制中国大陆首颗AMOLED显示驱动器集成电路芯片

    【导读】(香港 - 2013年9月5日)晶门科技有限公司(“晶门科技”)今天宣布与维信诺成功携手研制中国大陆首颗的qHD AMOLED显示驱动器集成电路芯片。晶门科技是一家领先的国际半导体公司，提供显示器集成电路芯片和系统解决方案，也是PMOLED的全球市场领先者。 (香港 - 2013年9月5日)晶门科技有限公司(“晶门科技”)今天宣布与维信诺成功携手研制中国大陆首颗的qHD AMOLED显示驱动器集成电路芯片。晶门科技是一家领先的国际半导体公司，提供显示器集成电路芯片和系统解决方案，也是PMOLED的全球市场领先者。维信诺是一家领先显示屏製造商，专注于研发OLED技术和相关産品。 在中华人民共和国工业和信息化部电子信息産业发展基金项目的支持下，晶门科技与维信诺进行策略性合作，共同开发针对智能手机应用的AMOLED显示驱动器集成电路芯片。新推出的qHD AMOLED 已成功通过验証，用于4.6吋全彩WVGA AMOLED显示屏。是次研发成功为双方合作奠定基石，晶门科技与维信诺现正积极合作研发更高分辨率的AMOLED显示驱动器集成电路芯片。 AMOLED显示屏具备的优越特点包括：结构纤薄、色彩亮丽、广阔视角、反应快速、高对比及高亮度、更佳的日光可读性、可弯曲及高透光率，并支持低功耗操作。这些特点完全迎合快速冒起的高分辨率智能产品市场所带来的机遇。 晶门科技业务营运副总裁王华志先生表示：「晶门科技与维信诺在是次合作中取得有效成果。双方成功携手开发中国大陆首颗qHD AMOLED显示驱动器集成电路芯片，正标志着中国AMOLED技术进程的一个重要里程碑。是次合作更强化了晶门科技的显示驱动器集成电路芯片产品组合，进一部巩固我们在AMOLED范畴的地位。我们期待与维信诺合作研发更多崭新的解决方案。 本文由收集整理

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  • 飞利浦：到2015年，LED全球照明市场份额将达45%

    日前，飞利浦专业照明解决方案灯具部大中华区副总裁兼总经理ChandraVaidyanathan在广州表示，“未来世界需要朝着更多照明、更节能照明和数字照明三个方向发展，LED与控制技术的发展可减少20%的能量消耗。到2015年，LED照明占全球照明市场的份额将达到45%。特别在中国，随着政府的大力推广，这个比重将会更大。”为了迎接中国市场的机遇，Chandra称，飞利浦照明正持续投入在中国打造以客户为中心，从市场研究、设计开发、采购制造到市场营销的“端到端”客户价值链，并加快实现从照明产品部件生产商，向整合照明解决方案提供商的战略转型，打造更贴近本地市场的业务模式。“这些都是为了实现在2015年LED业务占整体业务量的50%这一目标。”Chandra说。目前，OLED(亮度要比LED液晶高、厚度更薄，或是今后LED液晶屏的替代品)是目前市场的热点。但飞利浦中国研发主管兼飞利浦中国研究院主管klaasVegter认为，OLED尚处早期发展阶段，还有更多发展空间，但LED进入“全民时代”才是如今的照明发展趋势。

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  • SIA：7月份全球芯片销售强劲成长5.1%

    根据半导体产业协会(SIA)发布的世界半导体贸易统计组织(WSTS)资料显示，尽管日本半导体市场销售下滑，但在美洲地区强劲成长的表现下，2013年7月全球晶片的平均销售额较2012年同期成长了5.1%，不但连续第5个月成长，也创下今年以来的最佳纪录。7月份全球半导体3个月移动平均销售额较去年成长了5.1%，达到255.3亿美元。市场研究机构CarnegieGroup的分析师BruceDiesen表示，这一数字大幅超越了先前预测的249亿美元。先前月份的平均销售额每年约成长2.1%。而WSTS这项最新数据显示市场成长步伐在7月开始加速，不过仍需注意市场库存修正以及智慧型手机与电脑领域的需求放缓，可能带来的影响。 相较于去年、上月与上季的7月全球半导体3个月移动平均销售额(10亿美元)（来源：SIA/WSTS）从地理区来看，美国市场的强劲成长幅度远远超过日本市场的跌幅。美洲地区(以美国市场为主导)的晶片销售年成长率达21.5%，而日本则大幅下跌18.6%。日本市场下滑主要由于日圆眨值以及几家日本半导体厂商的重组与出售。然而，在所有的地区中，日本在五月、六月和七月3个月的季成长表现最强劲，较上一季成长了7.9%。这一数字可望为日本市场成长带来了一线曙光。SIA总裁兼执行长BrianToohey指出，「所有地区以及每一种产品领域的销售都有所增长，宏观经济指标乐观，预计2013年下半年将持续成长。」

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  • Soitec聚光光伏组件向慕尼黑再保险公司投保

    据说需要提高获得项目融资及出售项目的机会，聚光光伏专家Soitec(EPA:SOI)日前启用慕尼黑再保险(MunichRe)为其组件性能质保投保。如许多其他公司一样，Soitec已经提供为期二十五年的组件功率输出质保，但是慕尼黑再保险的保单还防范产量损失，就其质保义务保护Soitec。Soitec太阳能部门执行副总裁加埃唐·伯格斯(GaetanBorgers)表示：“我们的聚光光伏组件日前获得公认，具有良好的耐用性与可靠性。我们已经在全球十八个国家安装了我们的产品，但是尚未收到关于组件退化的任何质保索赔。在尽职审查后，与慕尼黑再保险公司签署的该协议是另一个支持我们产品稳健性的高可信度的元素。”

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  • CSA集团德国法兰克福设施获加拿大标准委员会认证

    【导读】上海，2013年9月5日– CSA集团是全球领先的产品测试和认证服务供货商。CSA集团今天宣布，其位于法兰克福的实验室获加拿大标准局(Standards Council of Canada， 简称SCC)颁发ISO/IEC Guide 65资格证书(产品认证机构必备条件)，以及美国的职业安全与健康标准(Occupational Health and Safety Association，简称 OSHA)计划的认可。 CSA集团是全球领先的产品测试和认证服务供货商。CSA集团今天宣布，其位于法兰克福的实验室获加拿大标准局(Standards Council of Canada， 简称SCC)颁发ISO/IEC Guide 65资格证书(产品认证机构必备条件)，以及美国的职业安全与健康标准(Occupational Health and Safety Association，简称 OSHA)计划的认可。获得这两项认可资格表明CSA集团能为出口到美、加市场的指定电子电器、工业产品与家用电器提供认证服务。 “被SCC与 OSHA 承认的认证标志，其可靠性获有意进入北美市场的全球各地生产商所认可。” CSA集团欧洲副总裁Magali Depras 续表示：“ 获ISO/IEC Guide 65资格证书标志着CSA集团的法兰克福实验室已获得官方认可。获此成就，表明集团将更有能力为欧洲本地和全球各地的客户提供快捷有效的认证服务。” CSA集团位于法兰克福的实验室会为欧洲公司提供更快捷而具成本效益的服务，藉此帮助它们开拓全球市场。提供Guide 65认证包括进行生产商样本评估、对生产过程或质量系统进行合适的早期评估、考核测试与评估报告、以及对工厂或生产样本进行长期监测。 CSA集团在法兰克福的实验室仍在扩展中，完工后将会成为拥有顶级设备的测试实验室与认证服务办公室。设施占地约1000平方米，计划在2014年春季投入服务。同时，CSA集团正计划于明年把实验室设施扩展到英国和德国，以满足欧洲和各地客户的需要。此外，集团在意大利和荷兰均设有分公司，在瑞士亦设有医学与实验仪器的测试装置，并在全欧洲拥有超过260名认证专家。 本文由收集整理

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  • 3D IC技术蓄势待发 量产化仍需时间

    IC/SoC业者与封测业者合作，从系统级封装(SystemInPackage；SIP)迈向成熟阶段的2.5DIC过渡性技术，以及尚待克服量产技术门槛的3DIC立体叠合技术；藉矽穿孔(TSV)、中介板(Interposer)等关键技术／封装零组件的协助下，在有限面积内进行最大程度的晶片叠加与整合，进一步缩减SoC晶片面积／封装体积并提升晶片沟通效率...摩尔定律渐趋瓶颈IC封装朝立体天际线发展过去40年来，摩尔定律(Moore’sLaw)「每18个月电晶体数量／效能增加一倍，同时成本维持不变」的准则，使半导体产业快速走向规模经济与蓬勃发展，创造出许多资通讯产品(PC/DT/NB/SmartPhone/Tablet)，从外型、样貌到应用的改变。但除了借助能缩减线路宽度、间距但成本高昂的先进奈米制程技术之外，IC设计业者、晶圆厂与封装业者也积极开发各种封装技术，在不缩减线距的奈米制程技术之下，在有限面积内进行最大程度的晶片叠加与整合，同时缩减SoC晶片封装体积与线路传导长度，进而提升晶片传输效率。TSV矽穿孔技术打通3D矽晶堆叠天地线。YOLE/STTSV矽穿孔与Interposer中介板用于裸晶对裸晶、裸晶对中介板、中介板与PCB板的连接。YOLE从过去DIP、QFP、LCC、PGA、TSOP、WBBGA封装，2000年起从朝向原始晶片尺寸化的封装，如低价QFN、WLCSP(WaferLevelChipScalePackage)、FCBGA/CSP、SIP，到2010年以后更进一步朝向模组密集化、裸晶密集化，甚至3D立体化堆叠的技术，如2.5DInterposer、3DWLP、PoP(PackageonPackage)/PiP(PackageinPackage)以及3DIC技术等。TSV矽穿孔技术TSV(ThroughSiliconVias)矽穿孔技术是一种运用化学蚀刻或镭射光穿透矽晶片的互连技术，取代过去基板与裸晶的打金线结合(WireBonding)的方式，它也是目前2.5DIC与3DIC中穿针引线的关键技术。其制程可分为先钻孔(Viafirst)、结合Via-middle与后钻孔(Vialast)三种方式，在矽晶圆钻出小洞后再以铜、多晶矽、钨等导电物质填满，达成矽晶对矽晶、矽晶对中介层(interposer)线路连接导通的功能，最后将矽晶圆薄化再加以堆叠。就目前发展蓝图，预估到2015年，全域WTW(WafertoWafer)、DTD(DietoDie)与DTD3D推叠等TSV技术，可作到最小孔径2~4μm，穿凿层数2~4层，穿凿深度20~50μm；中阶层WTW/DTD/DTD3D部份更可做到最小孔径0.8~1.5μm，穿凿层数8~16层(DRAM)，穿凿深度6~10μm。到目前为止，运用到TSV矽穿孔技术的晶片／应用产品，有结合光学镜头与CMOS影像处理晶片的影像感测器(CMOSImageSensor；CIS)、整合微机电技术(MEMS)的感测器晶片，以及前述NAND、DRAM等晶片产品。未来将进一步应用到功率放大器(PA)、异质性整合3DIC晶片(Heterogeneous3DIC)、LED磊晶整合照明晶片，以及光电转换／收发晶片等应用。据Yole研究报告指出，使用TSV封装的3DIC晶片或3D-WLCSP元件平台，其产值将从2011年27亿美元快速成长到2017年的400亿美元。中介板(Interposer)目前FC-BGA使用的封装底板，是微米制程时代(μm)的连通标准，上层为40~250μm的C4Bump连接凸块，下层BGA锡球直径为0.4~0.8mm。当进入奈米制程时代(nm)，尤其是线路宽度微缩至12~28nm时，为了缩减晶片面积／封装体积，裸晶以原晶片尺寸(ChipScale)方式加以薄型化，底下仅留5~45μm的微凸块(Microbumps)；往下连接到一个由耐热薄型玻璃或矽基材质制造的中介板(interposer)，再往下连接到40~250μm的C4Bump凸块。这种加入中介板的四层连接材料的设计，使得裸晶面积大幅缩小，提升CMOS制程的晶圆良率，裸晶的对外拉线讯号密度可以提升10倍，晶片效能、功耗与封装成本得以改善。因此也广为跨入28nm制程以下3DIC、2.5DIC堆叠技术所采用。当接下来的异质性整合3DIC(Heterogeneous)时，不同功耗／散热属性的各种裸晶之间，也可能透过中介板来相互连接，加以区隔各种工作温度同时维持整体运作的稳定性。3DIC技术蓄势待发台积电(TSMC)曾在SEMATECH2011论坛中，提出人类大脑与当前密集度最高的机体电路的比较。以NVIDIAGF100图形处理器晶片为例，它是单纯2D区块化设计，30亿个电晶体数量，功耗达200W(40nm制程)。推估人类大脑有1,000亿个脑细胞单元，折算起来约1兆个电晶体，且脑神经元网路显然是3D立体堆叠连接，但大脑的功耗仅20W，如果期望未来的人工智慧晶片要能追上人类大脑，差不多运算密集度要增加300倍，且功耗要缩减为1/10，推估至少得用到2nm制程，也就是从目前台积电28nm制程算起再进化7~8代制程(或18~20年)，未来平行化处理、低功耗绿色环保制程与3DIC矽晶叠合技术成为必然趋势。3DIC是将原裸晶尺寸的处理器晶片、可程式化逻辑闸(FPGA)晶片、记忆体晶片、射频晶片(RF)或光电晶片，打薄之后直接叠合，并透过TSV钻孔连接。就像一层楼的平房往上叠了好几层成为大楼，从中架设电梯使每个楼层相互连通一样。2006年4月韩国三星(Samsung)发表宣布将8个2GbNAND矽晶圆堆叠，以TSV连接的快闪记忆体晶片，厚度仅560μm。2007年4月三星进一步发表以4颗512Mb裸晶堆叠的DRAM，2010年量产8GbDDR3，以及后续32GbDDR3的计划。由于3DIC可改善记忆体、逻辑晶片甚至异质性晶片的性能与可靠度，减低成本与缩小产品尺寸，根据TechNavio预测，预估2012至2016年全球3DIC市场的年复合成长率为19.7%，成长贡献主要来自手机、平板电脑等行动运算装置的记忆体需求。目前包含台积电(TSMC)、日月光(ASE)、意法(ST)、三星(Samsung)、美光(Micron)、格罗方德(GlobalFooundries)、IBM、英特尔(Intel)等多家公司皆已陆续投入3DIC的研发与生产。建立3DIC+TSV产业链与技术可量产化仍需时间国际半导体协会(SEMATECH)持续进行3DTSV计划，邀集格罗方德(GlobalFoudries)、惠普(HP)、IBM、英特尔(Intel)、三星(Samsung)、高通(Qualcomm)、台积电(TSMC)、联电(UMC)、Hynix、Atotech、NEXX、FRMC、CNSE等业界／学界合作，建构规格明确的3D产业链生态。三星以率先导入同质性3DIC堆叠的桌上型堆叠式WideI/ODRAM晶片(10~150W,64GB/s)，与笔记型WideI/ODRAM晶片(2~20W,12.8GB/s)。高通(Qualcomm)、博通(BroadComm)等IC设计业者也已导入3DTSV技术，来设计下一代更高密集度的IC。日月光集团(ASE)指出，3DIC仍面临到像设计复杂、EDA工具欠缺、异质矽电路整合、系统的设计流程、TSV电气特性、系统验证、热功率与静电防护等挑战。目前除了Si2、JEDEC、SEMI、Sematech、GSA等组织制定3DIC相关产业规范以外，ASE采用SEMI规范平台的3DS-IC标准，并与DesignHouse、Foundry积极合作，完成DietoDie、DietoSiP叠合互连规范，以及3D堆叠与计量与封装信赖度确认，在Foundry、Memoryhouse与封测厂之间，3D载板、夹具、握持程序，以及TSV晶圆、记忆体堆叠方式制定相关规范，参与既有业界解决方案如JEDECJC-11WideI/O立体记忆晶片介面规范与3DQA与计量规范。目前3DIC的整合应用，仍属于相同制程、同质性晶片(Homogenuous)整合，像是都是DRAM、NANDFlash裸晶，或多核心微处理器。IEK预期今年(2013)起采同质堆叠的DRAM、NANDFlash等3DIC可望开始进入量产。至于要针对逻辑晶片(Logic)、记忆体晶片(DRAM)、射频IC(RF)、功率放大器(PA)、光电转换晶片等异质性整合，则因为功耗、封装材料系数等技术问题的限制尚待克服，异质性整合的3DIC是否能在2014年结束前导入量产，仍有待观察。

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  • 苹果处理器转单 晶圆代工市场竞争白热化

    【导读】晶圆代工产业经历一段整合，如GlobalFoundries购并特许、大陆势力淡出等洗礼，这几年的竞争局势已进入另一个阶段，龙头厂台积电面临的竞争对手都是具雄厚背景的国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)等，在苹果订单的争夺战之下，台积电、三星、英特尔的晶圆代工布局成为众人焦点。 晶圆代工产业经历一段整合，如GlobalFoundries购并特许、大陆势力淡出等洗礼，这几年的竞争局势已进入另一个阶段，龙头厂台积电面临的竞争对手都是具雄厚背景的国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)等，在苹果订单的争夺战之下，台积电、三星、英特尔的晶圆代工布局成为众人焦点。 苹果去三星化 台积获益 三星取代苹果成为全球智能手机龙头，且双方引发的专利侵权官司喧腾一时，加速苹果在2012年的去三星化策略。在NAND Flash、DRAM、面板等关键零组件纷纷转单给东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)、美光(Micron)后，苹果去三星化的最后一步，也就是处理器代工订单，也交给台积电代工。 台积电代工的苹果A7处理器采用20纳米制程，2013年3月进入设计定案(tape-out)，预计2014年初可进入量产。回顾苹果和台积电展开合作之门，其实2年前A5处理器时，苹果即开始尝试交给台积电代工，但双方技术上的磨合一直到2013年合作才上轨道。 业界分析，在苹果A7处理器订单代工上，三星仍是第一大供应商，短期内苹果和三星无法切割干净，另外有关英特尔虎视眈眈分食订单的传言也不曾间断，甚至传出三星、台积电、英特尔的订单比重会是50%、40%和10%。 市场分析，2012年三星系统芯片部门(LSI)为苹果移动处理器代工的总产能达70万片，若每片单价以市场最低价3，000美元计算，潜在总金额商机高达21亿美元。 这几年晶圆代工产业竞争进入另一个阶段，早期合称双雄的台积电和联电，双方实力已越差越远，台积电不断冲刺、加码投资的结果，已经占有全球晶圆代工产业市占率超过40%。 半导体厂商竞逐晶圆代工市场 GlobalFoundries在2009年以39亿美元购并特许半导体，震惊半导体产业，是晶圆代工产业具代表性的阶段整合，当时被视为“反台积电”势力的成形。 除了GlobalFoundries的积极度、中芯国际的重振外，三星电子、英特尔跨足晶圆代工其实让台积电更受威胁，两者都集中在28/20纳米猛攻，加上苹果处理器订单从中搅和，对晶圆代工产业而言，会不会形成第三次世界大战? 台积电接下来不可不防。 三星在半导体领域发展一直以存储器为主，但随着三星在各领域都成为龙头，市场发展已面临一定程度饱和，且2012年经历美光(Micron)购并尔必达 (Elpiada)，让DRAM产业完成近10年来最大整合后，短期三星、美光、海力士三强鼎立局势可望持续，加上三星在NAND Flash市场领先，让三星开始转攻晶圆代工。 本文由收集整理

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  • 内存龙头海力士工厂发生大火

    今天(9月4日)下午3点40左右，无锡新区锡兴路与泰山路东南侧的海力士半导体公司发生大火。大火产生的浓烟数十公里外可见，可能涉及有毒化学品，厂区周边气味刺鼻。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。A股中内存概念股：闪存涨价概念股：朗科科技、长电科技、上海贝岭、莱宝高科、长城开发等；内存芯片概念股：鲁信创投（参股华芯半导体）、华微电子。

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  • 俄罗斯投资27亿卢布新建太阳能电站

    据俄罗斯商业资讯8月30日报道，俄罗斯国家纳米集团和股份制私企雷诺瓦集团联合向其合资的赫韦勒公司再投资27亿卢布(约合8438万美元)，用于建设新的太阳能电站，纳米和雷诺瓦投资比例分别为49%和51%。计划在2020年前建成投产多个太阳能电站，总装机容量愈600兆瓦。赫韦勒公司成立于2009年，生产薄膜太阳能光伏电池模块。据壳牌公司分析预测，到2070年，光伏太阳能光伏电池板发电将成为世界能源的主要来源。

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  • 英特尔挖角耐克设计师：或进军可穿戴设备市场

    北京时间9月9日上午消息，据《华尔街日报》网络版报道，根据英特尔(22.91,0.24,1.06%)最新招聘动向，该公司很有可能会进军当前火热的可穿戴计算设备市场。英特尔新一届领导层此前频频表示，该公司应该紧紧抓住全球新的科技趋势，而不是仅仅向智能手机等已经流行的产品供应芯片。而近期两位新人的加盟，似乎预示着英特尔将涉足可穿戴计算设备市场。一位是史蒂夫·霍尔姆斯(SteveHolmes)，他曾是耐克FuelBand团队设计师，大约在一年前加盟英特尔，现在担任英特尔刚刚组建的“新设备”部门副总裁；另一位则是汉斯·莫里兹(HansMoritz)，此人此前曾供职于美国公司Oakley，负责头戴式眼镜显示屏和手表等产品。目前，他们二人都隶属于迈克·贝尔(MikeBell)掌管的一个部门，后者曾在苹果(506.17,7.95,1.60%)公司和Palm担任经理，加盟英特尔以后一直负责智能手机芯片的开发工作，后来担任英特尔新设备部门总裁。在今年5月科再奇(BrianKrzanich)被英特尔任命为新任CEO以后，他就开始对公司进行大规模重组，“新设备”部门就是在这种背景下成立的。本周二，英特尔将举办年度开发者大会，届时科再奇和公司新任总裁詹睿妮(ReneeJ.Jame)将发表他们履新后的首次主题演讲，估计会透露英特尔加快移动市场发展的计划。目前，在移动设备市场，大多数厂商都使用基于ARM设计的芯片。詹睿妮今年8月在接受《华尔街日报》采访时，曾被问及英特尔是否已经拥有可穿戴计算设备，她当时回答说：“现在还无可奉告，但你们应该参加在9月举行的英特尔开发者大会，届时我们将会阐述我们对计算行业发展的观点，英特尔前进的方向，以及有关未来计算设备将如何使用的问题。”英特尔可能不会像三星等公司那样，直接生产智能手表或其它可穿戴设备，然后卖给消费者。英特尔应该会避免与使用其芯片的公司进行竞争，不过，该公司可能会提供大量“参考设计”，帮助购买其芯片的公司快速进入市场。目前，英特尔就向笔记本电脑和智能手机等设备的制造商提供“参考设计”。不过，英特尔或许也会像竞争对手高通(69.3,1.28,1.88%)那样，较为深入地涉足可穿戴设备市场。高通还喜欢销售零部件，但该公司在上周三宣布，将推出限量版智能手表产品Toq。高通CEO保罗·雅各布(PaulJacobs)希望，这款产品能起到推动高通显示屏和其它技术产品销售的“催化剂的作用。外界并未注意到英特尔近期的招聘活动，这些活动都是由该公司内部刊物《IntelFreePress》披露的。在加盟耐克之前，霍尔姆斯还曾在Palm和苹果公司从事设计工作。他拒绝透露加盟英特尔以后，会从事什么样的产品开发计划，但正如《IntelFreePress》所报道的那样，他将更多地专注于数据和软件，而非硬件本身。霍尔姆斯在接受《IntelFreePress》时表示，“我是硬件设计出身，但即便是在最理想的情况下，一些硬件产品也会在五年后过时。软件和数据才是能够长存的东西，当然，前提是它们具有一定的价值。”

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  • 驱动IC成本将大幅下降

    【导读】今年上半年，不管是LED灯泡还是直型灯管，其价格都在意20%左右的速度下降。在商业照明领域，LED灯具的价格已经率先达到价格“甜蜜点”。从而加大了LED灯具在商业照明市场的渗透力度。 今年上半年，不管是LED灯泡还是直型灯管，其价格都在意20%左右的速度下降。在商业照明领域，LED灯具的价格已经率先达到价格“甜蜜点”。从而加大了LED灯具在商业照明市场的渗透力度。 面对市场新一轮的增长机遇，迫切要求LED照明解决方案能够从整体上进一步提高光效，同时增进成本效益，以适应LED照明在更大范围内的普及应用。尤其是在LED照明的核心——电源驱动IC方面，尽管近年来LED灯具的平均售价持续下降，但驱动器的成本下调空间却并不大，这一情形预计将在不久的未来有所改变。根据IMSResearch的调查显示，至2013年，驱动IC仍然占据40%的LED灯泡制造成本，但随着整体灯具价格的下降以及各部分组件的技术提升，预计LED驱动器的成本比例将在2015年之前大幅下调36%。 驱动IC成本的降低是大势所趋，这要求厂商通过制造工艺的改进，驱动方案的创新，并且紧跟灯具电源设计的最新发展动向，来开发高成本效益的驱动器以保持成本曲线。例如，目前市场上一个较为明显的趋势是：包括蜡烛灯、A19灯泡、GU10、PAR30/38射灯等在内的不同类型LED灯具都开始越来越多地采用非隔离型电源拓扑结构(特别是在中小功率照明应用中)。与隔离式电源设计相比，非隔离拓扑结构设计及电路板配置简单、电路板尺寸小、能效也更高，因而在制造成本(Cost)、占用空间(Space)以及能效表现(Efficiency)等方面都有着较为明显的优势，目前这一产品开发趋势在欧美等主要LED照明应用市场上均已得到了普遍的认可。 随着市场对LED照明驱动电源在成本、尺寸大小和能效提出了更高要求，LED驱动IC也将朝着更高集成度的方向迈进，在内部集成更多的元器件/功能(如调光/非调光等)，尽可能地简化厂商在外围开发时所带来的设计(如散热等)及布线成本，最终协助提高整个驱动电源的性价比。 本文由收集整理

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  • 韩国首尔欲将30%公共设施建成环保LED店铺

    近日有消息称，截至2014年，韩国首尔市将推行市内11万4000处多人用设施中的30%(3万5千处)建为环保LED店铺的工程。主要对象为24小时开放，能源使用量大的桑拿浴室、健身房、餐厅等。为此，首尔市7月29日与(社)韩国餐饮业中央会、(社)韩国洗浴业中央会签署了关于截至2014年建成3万5千家环保LED店铺等内容的业务协定，确保促进动力。首尔市计划对更换为LED，照明电力使用量将可节约70%进行积极宣传，并提供各种鼓励措施，吸引民间商业网点积极、自发地进行更换。大部分店铺现有照明为三波长(25瓦左右)，更换为灯泡型LED(7~10瓦)时，可重新使用现有灯具，更换容易，费用也低。首先，为减少更换LED照明的最初费用负担，首尔市对打算将现有照明的90%以上更换为LED照明的店铺将最多提供10亿韩元的低息贷款(2%)。此外，还与和绿色消费者联带共同促进的“灯泡型LED照明直销市场”相联系，以比一般市场价格最多便宜35%的价格提供LED照明。像这样，将现有照明更换为LED时，投资回收期约不满一年，时间短，同时还可持续享受电费减少优惠，首尔市计划与两家中央会合作，积极促进更换工程。完成更换的店铺将被授予“环保LED店铺”认证标志，贴于门口；在各区简讯上也开设“我们小区能源店铺”(暂定)栏目，以对店铺进行宣传。

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  • 应材：移动装置主导未来市场

    全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将为设备市场带来25~35％的成长动能。根据应用材料的预估，2006~2008年间全球前段晶圆制造设备市场年度平均规模约300亿美元，最大的投资者为DRAM厂，但至2010~2012年间，市场年度平均规模上升至325亿美元，晶圆代工厂已跃升为最大投资者，而此一趋势将持续延续到2013~2016年，市场年度平均规模将达320~350亿美元。余定陆表示，2006年时行动装置出货量只占PC出货量的三分之一，但随着智能型手机销售在2010年后呈现爆炸性成长，2012年时行动装置出货量已是PC的2.3倍，随着各大系统厂在未来几年将再推出包括智能手表或智能眼镜等更多种类的行动装置，预估至2016年时行动装置的出货量将高达20亿支，是PC市场的5.7倍。行动装置及PC采用的芯片最大不同，在于行动装置对低功耗的要求特别高，但却要求更高的运算速度，加上行动装置带来的巨量资料（bigdata）庞大商机，余定陆指出，未来2年内资料使用量及生产量还会再增1倍，而且智能穿戴装置的推出及人机接口的持续进步，控制功能也会由触控延伸到语音、手势等感测功能，需要更大的运算能力，也会推动芯片制程的快速演进。随着制程微缩到28纳米，提升晶体管效能的关键，已经由过去的微缩（litho-scaling），转变为材料与结构上的创新，如晶圆代工厂28纳米开始采用高介电金属闸极（HKMG）技术，16/14纳米将进入3D晶体管架构，而NANDFlash则已经在今年先走上3D架构。余定陆指出，晶圆代工厂及NANDFlash厂的升级需求，将会是未来几年设备市场主要成长动能，如晶圆代工厂由32/28纳米升级到16/14纳米的鳍式场效晶体管（FinFET），及NANDFlash厂由2D转为3D，均将为设备市场带来25~35％的成长动能。

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