更多

  • 小米黑科技，一指连UWB 超宽带技术

    自Apple以来，越来越多手机厂商开始在UWB超宽频技术上投入研发，而小米就是最新公布成果的一家。 早些时候他们公开了所谓的一指连方案，它能利用500MHz的超大频宽，让内建了UWB晶片及阵列天线的手机与智慧型装置实现角度测量精度在正负3度以内的客厅厘米级精准定位，从而在一定空间内实现指向性的交互操作。 什么是 UWB? UWB 超宽带技术，实际上并非一个完全的新技术了，苹果和三星都已经在自己的产品上使用。这个由苹果带出的新概念，最早在 iPhone 11 系列上出现，苹果 UWB 芯片将其命名为 U1 芯片。 UWB 超宽带通信技术能够让手机或电子设备具备精确的空间感知能力，小米称它是室内的「GPS」，但实际情况更像是一个「雷达」。 目前苹果和小米公开的信息显示，UWB 技术均可以实现厘米级的设备精确定位，甚至连对应设备的角度测量精度，也能到正负 3 度的水准。 不只是精准，UWB 技术还有着超越蓝牙的数据传输能力。 以苹果的 U1 芯片为例，iPhone 11 Pro 如果通过 UWB 技术进行文件传输，速度可以达到 27Mb/s ，在速度上都优于蓝牙，但略慢于 Wi-Fi 。 另外，UWB 由于是通过无线电信号的往返时间计算设备间的距离，而不是像蓝牙那样通过信号强度粗略地判断设备间的大概位置。所以我们就不需要担心 UWB 技术像蓝牙那样受到其他信号的干扰或入侵，能很好地保证安全性。 UWB 能做什么? 相信看到这里的机友就会疑惑：不就是一个升级版蓝牙吗?这么想就错了。 得益于设备间能够进行准确的空间感知，以及高速的数据传输，UWB 可以带来相当丰富的玩法。苹果目前相对保守一些，只用来对隔空投送功能进行强化，让 iPhone 用户之间可以更好地识别收发双方。 小米的玩法就丰富多了。像小米副总裁曾学忠演示的那样，不仅可以控制风扇开光，还能控制灯光的颜色等。 操作起来比 APP 更加方便顺手，只要指向某个智能家居设备，就能弹出控制框。小米将这个功能命名为「一指连」功能，从视频来看，确实有一指操控万物内味儿了。 当然，UWB 的能力不止于此。 曾学忠还表示，未来甚至连「指」这一下的操作都可以省略。因为这是个可以获得精准定位的技术，手机能感知到你正在往哪个设备靠过去，猜测你要做什么，并且帮你把它给做了。 像无感开门的演示，只需要门锁和手机通过 UWB 相互感应到实现设备的定位，立刻就能开锁进门。 手机作为比钥匙更随身携带的产品，成为大门的密钥，自然是方便安全。 既然家门可以这样解锁打开，那车门是不是也可以这么做呢?靠近空调、风扇、灯、电视机、音箱、扫地机器人等各种设备的时候是不是也能做出反应呢? 显然，UWB 未来将会是 IoT 设备的必备功能，多媒体和智能家居设备的控制、感应式开门都将成为最基础的使用方法。 要更进阶的话，那就是通过 UWB 芯片将设备和设备进行相互定位，为 AR 软件提供更准确的空间信息，提高 AR 的真实性。 这个功能将会是未来生活的一个重要基础。作为国内第一家跟进这个技术的厂商，值得称赞。 一来，为我们这些消费者提供更出色的传输功能以及智能家居体验;二来，研发的人多了自然玩法升级也会更快; UWB 是一个涉及数据交互的技术，支持 UWB 的设备越多，使用场景也越多。 总的来说，目前的一指连方案尚没有跳脱出大家一般能想到的UWB 功能，小米也承认这只是其开发的冰山一角。他们下一步的方向是将指这个动作也去掉，要做到无感联动，类似靠近车门手机自动解除门锁、地铁进站手机自动刷卡通行等操作都有望伴随小米UWB 技术的落地陆续实现。

    半导体 小米 一指连 uwb

  • 摩尔定律是否到顶？进一步了解GAA芯片技术

    苹果9月推出 A14 仿生芯片，接着华为麒麟 9000 系列芯片也将随Mate40 系列手机一起推出，而高通新一代骁龙 875也将在12月初发布，相同的是芯片都将是采用5nm 工艺，同时也意味着半导体工艺 5nm 的时代正在全面到来。 半导体的制程工艺，从 10nm 到 7nm 再到现在的 5nm，进化的幅度越来越小，但每进一步，都是整个行业付出巨大研发成本的结果。相信大家平时刷新闻时已经有所了解，芯片的制程工艺越来越小，等于晶体管越做越小，当工艺越来越接近极限时，难度就会呈指数级上升。 最好的例子就是芯片巨头英特尔在 14nm 节点长达 5 年的停滞，一度让 “摩尔定律已死”的言论甚嚣尘上。好在另一方面，台积电和三星在制程技术上突飞猛进，从 10nm 到 7nm 再到今年的 5nm，一路顺利推进，并超越了英特尔。 尽管后两者在制程名称上有玩 “数字游戏”的成分，但他们对推进半导体制程技术进化、延续摩尔定律所做的贡献有目共睹。 这些年来，芯片制程工艺能够不断微缩，性能可以不断增强，都有赖于整个半导体行业以及学术领域的勇敢创新和不懈努力。而当节点进一步微缩，5nm 之后的 3nm、2nm、1nm，新的问题又会出现，甚至原来拯救摩尔定律的 3D FinFET 晶体管都将无法应对极限微观世界的要求。 接下来，我们会越来越频繁地听到一个新名词——GAA(环绕式栅极技术晶体管)。 什么是 GAA 环绕式栅极技术晶体管? 1、从 3D FinFET 到 GAA，5nm 之后就靠它了 作为取代 3D FinFET 晶体管的全新技术，其实 GAA 环绕式栅极技术晶体管和 3D FinFET 有着千丝万缕的联系，因此我们需要从 3D FinFET 晶体管说起。 在《台积电 5 纳米吊打英特尔 10 纳米?别纠结了，这只是 “数字游戏”》一文中，其实IT之家已经为大家介绍过 3D FinFET 晶体管，这里再简单回顾一下。 其实所谓晶体管，用通俗易懂的话来讲，就是用半导体材料制作的电流开关结构。左边一个源极(半导体)，右边一个漏极(半导体)，中间加个栅极(金属)，让栅极来控制电流从源极到漏极的通断。 在过去，栅极和源极、漏极之间接触的地方是一个平面，形状差不多是一个矩形，栅极正是依靠这个接触面来对源极和漏极的电流进行控制。 可是，晶体管越做越小，这个接触面的宽度(其实就是栅极的宽度)也越来越窄，当窄到一定程度时(大概是 20nm 左右)，栅极对电流的控制力就会大幅减弱。 控制力减弱，就会导致源极的电流穿透栅极，直接和漏极导通，这种情况叫漏电。很显然，漏电不是个好事情，它会导致芯片发热量急剧上升。 所以半导体工艺进化之路在 20nm 左右曾一度面临停滞，摩尔定律遭受威胁。 怎么办呢?其实只要栅极和源极、漏极之间的接触面积足够大，就能控制住电流。这个接触面的宽度不能增加，那就只能增加长度了。 1999 年华人教授胡正明带领加州大学伯克利分校的研究团队发明了 FinFET 晶体管技术和 UTB-SOI 技术，解决了上面说的问题。 其中，FinFET 晶体管技术是我们听过最多的。它的解决思路就是改造晶体管的结构，将源极和漏极做成像鳍片一样直立的样子，然后让栅极三面包围住鳍片，就像下面这样。这样，等于是让栅极的宽度不变，通过巧妙地增加长度，来大大增加接触面积，从提升对电流的控制。 换句话说，原来只有一个接触面，现在有三个了，哪怕栅极宽度在进一步缩小，也不怕。 由于这种鳍片结构是立体的形态，所以也叫做 3D FinFET。 3D FinFET 技术的出现解决了晶体管工艺缩小引发的漏电的问题，让半导体的制程可以进一步推进。 随后，经过十多年的产业化推进，英特尔在 2011 年首先推出了使用 22nm FinFET 工艺的第三代 Core 处理器，这标志着摩尔定律的延续。 胡正明教授也被人们称为 FinFET 教父，以及 “拯救摩尔定律的男人”。而 3D FinFET 技术也伴随着半导体产业发展，一路走到今天的 7nm、5nm 时代。 但是，随着芯片制程的进一步微缩，到了 5nm 之后的 3nm、2nm 等等，3D FinFET 也将迎来它的极限，鳍片距离太近、漏电重新出现，物理材料的极限都让 3D FinFET 晶体管难以为继。 还有随着工艺微缩，假如原来一个 FinFET 晶体管上可以放三个鳍片，现在只能放一个，所以就得把鳍片增高。可是鳍片越来越高，到一定高度后，很难在内部应力作用下保持直立，FinFET 结构就很难形成了。 总之就是，5nm 之后，3D FinFET 也不能用了。这时候，就轮到 GAA 环绕式栅极技术晶体管技术登场了。 GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。 其实 GAAFET 相当于 3D FinFET 的改良版，这项技术下的晶体管结构又变了，栅极和漏极不再是鳍片的样子，而是变成了一根根 “小棍子”，垂直穿过栅极，这样，栅极就能实现对源极、漏极的四面包裹。 看起来，好像原来源极漏极半导体是鳍片，而现在栅极变成了鳍片。所以 GAAFET 和 3D FinFET 在实现原理和思路上有很多相似的地方。 不管怎么说，从三接触面到四接触面，并且还被拆分成好几个四接触面，显然，这次栅极对电流的控制力又进一步提高了。此外，GAA 的这种设计也可以解决原来鳍片间距缩小的问题，并且在很大程度上解决栅极间距缩小后带来问题，例如电容效应等。 总之，在 GAAFET 技术的巧妙帮助下，半导体制程工艺的进化之路还将进一步往前走，并将成为 5nm 之后大家经常听到的关键词。 2、三星、英特尔和台积电，同样的态度，不同的进展 GAAFET 技术如此重要，显然目前芯片代工的三巨头英特尔、三星和台积电都在积极备战，准备在 5nm 之后的节点上大干一场。 首先要说明的是，前面我们讲到源极到漏极的 “小棍子”，只是举例，实际上也可以是其他形状，例如圆柱状、甚至是板状的等等。 就这一点，目前行业里分几种方案： 纳米线，就是采用圆柱或者方形的截面; 板片状，顾名思义，就是源极漏极的半导体设计成水平的板块状，通常会堆叠多个穿透栅极; 六角形截面; 纳米环技术，就是穿透栅极的半导体为环形截面。 在三巨头中，目前最积极高调的是三星，他们采用的是第二种方案，也就是堆叠的板片状方案。目前三星也是三巨头中唯一一家公布自己在 GAA 上详细技术方案的企业。 三星还给自家 GAA 技术取了个独特的名字：Multi-Bridge Channel，简称 MBCFET。 三星表示，他们会在 3nm 这一节点上使用 MBCFET 技术。MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极接触面积，从而在性能、功耗控制上会更加出色。 就板片状的技术方案来说，三星透露其目前设计每个晶体管上堆叠 3 条板片，板片厚度为 5nm，板片之间的距离为 10nm，同时栅极长度为 12nm 等。 在具体表现方面，三星还称第一代的 3nm MBCFET 相比 7nm FinFET 会有 35% 的性能提升，功耗会降低 50%，芯片面积则会缩减 45%，电压则可以下降到 0.7V。 三星更是信心满满地表示，2020 年底，他们的 MBCFET 就可以开始风险试产，2021 年有望大规模量产，同时 2021 年他们还会推出第一代 MBCFET 的优化版本。 值得一提的是，三星在 GAA 上也尝试了其他技术方案，不同方案在性能、功率方面的表现也不同，未来可以根据芯片应用场景的差异来匹配对应的方案。 相比三星的激进，台积电这边就相对保守了，目前他们已经表示，3nm 节点上将会继续打磨 FinFET 技术，而不是急于上马 GAAFET。 主要原因是台积电切入 GAA 技术的时间相对晚于三星，同时也为产业链平稳过渡考虑。至于什么时候会使用 GAA 技术，官方还没有明确公布。但根据外界的消息，台积电会在 2nm 节点上采用 GAA 技术。 台积电已表示，2nm 研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设 4 个超大型晶圆厂，投入 8000 名工程师，目前已经交付研发，根据规划，2nm 工艺预计会在 2023 年开始风险试产，2024 年量产。 至于英特尔，按照他们的进度，2021 年会推出 7nm 工艺，采用的仍然是目前的 SuperFinFET，而到 2023 年，他们会在 5nm 这个节点上放弃 FinFET 晶体管，转向 GAA 环绕栅极晶体管。这个消息来自产业链，并非英特尔官方公布，但此前英特尔曾表示，将在 5nm 工艺重新夺回领导地位，由此来看，他们在 2023 年的 5nm 节点上推出 GAA 工艺是大概率会发生的。 3、半导体行业还没有到极限 就像 FinFET 工艺拯救了芯片产业，在 5nm 之后的时代，GAAFET 也将成为带领半导体行业进一步发展的关键。当然，在这背后，每前进一步，都是行业付出巨大努力的结果。 就以 GAA 技术来说，三星透露其自家 3nm GAA 的研发成本比 5nm FinFET 更高，有可能超过 5 亿美元，巨大的研发成本首先就是摆在行业面前的一道坎。 同时 GAAFET 的工艺制造难度也是极高的，具体的细节这里就不说了，最难的地方自然是如何让栅极环绕源极和漏极的纳米线，这里面的工艺极其复杂，也只有对 FinFET 技术炉火纯青的半导体巨头才能应对这样的技术挑战。 此外，和 GAA 技术配套的 EUV 极紫外光刻技术也需要进一步成熟，解决光刻功率不够以及光子噪音等问题。 但好消息时，因为 GAA 相当于传统 FinFET 的 “改良版”，因此生产制造的很多技术细节和步骤是可以共用的，这意味着像三星、台积电和英特尔这些对 FinFET 技术非常熟悉的巨头，在 GAA 技术过渡时可能会比过去更加顺畅，产业化的时间也可能会更短。 最后，IT之家想说的是，GAA 技术的推进，的确在很大程度上推进半导体工艺特别是先进制程上的发展。但随着制程技术越来越接近物理极限，想要把芯片继续做薄做小，先进制程也并不是唯一的道路，材料、封装等也都可以称为突破的道路。 胡正明教授曾经说过：FinFE 证实了这个产业还有很多可以用我们的智慧来解决的问题，我还真是看不到半导体产业发的极限。只要这个世界仍然对运算有需求，半导体行业的人们就会想出智慧的解决方案来拓宽行业的天花板，用技术让这个世界更加美好。

    半导体 晶体管 摩尔定律 gaa

  • 苹果自研芯片Apple Silicon，台积电独家代工

    苹果在发布会推出iPhone 12系列，而在此发布会后，苹果还将于11月再度为搭载了苹果自研芯片Apple Silicon的MacBook举行新品发布会。 该芯片是由台积电独家代工的，而笔记本电脑零件组装厂则是广达。 根据彭博社记者Mark Gurman的透露，苹果首款搭载了自研芯片Apple Silicon的MacBook将于11月发布，而知名苹果分析师郭明錤也曾表示苹果的首款ARM架构Mac电脑将会是13英寸的MacBook Pro。 根据郭明錤在7月份发布的报告，苹果在未来预计会发布采用Apple Silicon的13英寸MacBook Pro(今年Q4量产)、采用Apple Silicon的MacBook Air、采用Apple Silicon的14英寸/16英寸MacBook Pro。 关于苹果的首款自研芯片Apple Silicon，外媒WccfTech曾经表示其具有8个性能核心+4个效率核心，而13英寸的 MacBook Pro将会首发这款芯片。

    半导体 苹果 芯片 Silicon apple

  • 日本电子巨头TDK向美申请出口许可，特供华为

    据日本经济新闻，日本电子零部件巨头TDK已向美国申请出口许可，请求正常向华为供应用于5G技术的电子零部件。 TDK主要为华为智能手机提供可充电电池，高盛日本分析师Daiki Takayama指出，若失去重要买家华为，TDK的营收将损失多达90亿日元(约合人民币6.6亿元)。 日经新闻指出，在向华为供货的日本供应商中，TDK、村田(Murata)、京瓷(Kyocera)和太阳诱电(Taiyo Yuden)是最容易受到冲击的公司之一。高盛的研究数据显示，停止向华为供货后，这四家企业的利润将减少250亿日元(约合人民币18.3亿元)。 除了这四家日企，其他日本设备供应商也停止了对华为供货，报道指出，2019年华为从日企采购了超过1万亿日元(约合人民币735.5亿元)的零部件和设备，在美国举动下，这些日企将无可避免地遭受损失。 截至目前，在日本企业当中，索尼以及铠侠(KIOXIA )也相继提交了出口许可的申请。分析指出，未来将会有越来越多的日本企业向美国寻求对华为供货。 那么，在日本企业减少向华为供货后，目前华为芯片够用吗?据驱动之家10月12日消息，目前华为手机的芯片储备较为充足，除了从台积电囤货外，联发科也在断供日前抢先对华为供应了大量芯片。 消息指出，9月联发科向华为出货了1300万颗芯片，价值将近3亿美元的芯片，而这些芯片足够华为支撑一个多月。

    半导体 华为 tdk 日本

  • IBM拆分，业务转型

    根据最新的报道显示，IBM将拆分出IT基础架构服务部门，成为一家新的上市公司，加速向云计算领域转型，未来聚焦于云与 AI 的主航道上，以便能专注于包括红帽在内的混合云业务。在此轮拆分完成之后，IBM公司的软体及解决方案产品组合将在其总体收入中占据大部分比例。 当然，IBM也会正式被拆分为两家上市公司，一家公司继续保持原有的硬件业务以及技术开发，而原有的红帽等公司的业务，则被收纳入新公司，作为软件和云业务的服务商。 据了解，IBM 业务包括云及认知软件业务、全球企业咨询服务业务、全球信息科技服务业务、系统业务、融资业务。即将拆分的传统技术服务业务，属于 IBM 的 IT 基础架构服务业务，帮助企业级用户维护、升级计算业务，年营收约 190 亿美元。拆分后将单独上市，暂时命名为 NewCo。 其余业务，云业务、硬件、软件和咨询服务部门占据 IBM 总营收 75%，将继续保留在 IBM 之下。IBM 之所以再次拆分主要是考虑到传统的旧业务持续萎缩，掩盖了包括云在内新业务的强劲增长，长期拖累 IBM 整体业务营收表现，令资本市场感到失望。 IBM 新任印度裔 CEO 阿文德·克里希纳(Arvind Krishna)也很直白地表示，IBM 再「分裂」主要是为了让 IBM 释放出增长潜力，将云与 AI 作为增长引擎。而这一「里程碑」、「重新定义自己」的拆分举动，在克里希纳看来，「一切都是红帽(Red Hat)给予 IBM 的勇气与信心。」 1、云中「瑞士」不好当 2018 年，IBM 耗资 340 亿美元收购红帽，成为继微软宣布收购 GitHub 后，开源乃至云计算界又一爆炸性新闻。IBM 收购红帽之所以具有「轰动」效应，可以一分为二看待。从交易金额上来看，340 亿美金创造了全球科技收购史之最，成为 Dell 购 EMC，Avago 购博通后，第三大收购案例。 从红帽的价值来看，红帽作为开源解决方案提供商，借助于 Linux 和 Kubernetes(用于管理云平台中多个主机上的容器化的应用)等开源技术，以推动企业 IT 发展。 「红帽 Linux 是红帽设计的基于 Linux 的操作系统，这个操作系统被广泛的应用于云服务器。红帽主张以开源技术来释放混合云及多云的潜力，即用户可以随时在不同公有云品牌间进行切换。」深度科技研究院张孝荣告诉极客公园(ID：geekpark)。 进一步来说，在传统 IT 向云迁移的今天，红帽拥有混合云、多云的关键技术，是连接公有云与私有云的桥梁。比如，容器、Kubernetes 技术是混合云、多云市场的「宠儿」，红帽基于 Kubernetes 开发的容器协调平台 OpenShift，整合了一系列管理工具与安全功能，是影响企业生产力的关键平台。 而这一切都是 IBM CEO 克里希纳主导下完成，收购红帽成为 IBM 发展史上的关键事件。 今年年初，克里希纳接替罗睿兰(Ginni Rometty)成为 IBM 新任 CEO，上任后，克里希纳明确了未来 IBM 的两大战略，混合云和 AI 人工智能。「让红帽 OpenShift 成为混合云的默认选择。」 同时，克里希纳认为，云和 AI 增长空间很大，「IBM 入云的旅程只有 20%-25%，距离 AI 的路途仅有 4%。」 通过混合云路径，IBM 想做云市场中的「瑞士」的目的昭然若揭，但真如克里希纳描述的那么轻而易举吗? IBM 已经彻底失去了公有云市场的入场券。来自多个第三方机构数据显示，全球公有云市场格局稳固，呈现 3A 态势，亚马逊 AWS、微软 Azure、阿里云三家占据全球过半份额。当前公有云红利衰退，混合云、多云将成为云市场下一波浪潮。 但混合云、多云市场同样竞争激烈。在操作系统产品、中间件、虚拟化、云技术等方面，红帽将与微软、甲骨文、VMware、Pivotal 等企业展开竞争。「在虚拟化工具、操作系统、中间件、服务程序与管理组合产品中，用微软产品的企业也不少。」张孝荣说。 而在混合云、多云发展图谱上来看，美国、欧洲市场规模最大，IBM 主要战场将聚焦于此。不少海外分析师认为，即便 IBM 拥有红帽，也无法与亚马逊 AWS、微软 Azure 在内的主流云计算厂商产生正面竞争。 2、IBM 错过的那些年 回顾 IBM 长达 109 年的发展历程，拆分不是第一次。 如克里希纳在电话会议上所言，「IBM 在上个世纪 90 年代剥离了网络业务，在 2000 年代剥离了 PC 业务，大约五年前剥离了半导体业务，因为这些业务不符合 IBM 业务整合的价值理念。」 IBM 不断顺应时代节奏「甩包袱」，同时也不断被时代淹没、碾压，成为创新市场上的「弃儿」。 2002 年，亚马逊启动 AWS 平台，为开发人员提供工具与服务。2006 年，通过三款简单的服务产品，亚马逊正式上线 AWS。微软 Azure、谷歌云也在 2010 年左右，推出公开的云服务产品。 尽管 IBM 进入云计算市场不晚，2007 年与谷歌合作开设云计算课程，推出「蓝云」云计算商业解决方案。2013 年，开始讨论混合云、私有云战略。但实际上，从 2000 到 2010 年代，IBM 一直忙于「瘦身」、「卖卖卖」，先后将利润微薄的 PC 业务、x86 服务器业务剥离，打包出售给联想。并没有将大量资源、资金投入在云计算业务中。 「IBM 没有认真投入去做公有云，大部分资源还是在技术、商业服务部门，围绕着云做一些 IT 服务。」IDC 分析师周振刚说。 2015 年具有先发优势的亚马逊 AWS 实现盈利，增长超过市场预期。IBM 猛然意识到云战略的重要意义，这一年，IBM 发起十余次云相关的收购，以催熟云业务。一年后，IBM 正式宣布云转型。 不过，转型收效甚微。除 IBM 的硬件厂商属性、客户资源有限外，IBM 押注云方向出现失误。比如，没有在数据中心上投资，大肆宣传区块链、AI 人工智能，路线走偏。IBM 在云市场中的份额不升反降，成为其他类别。 IBM 错失了云计算时代。 2011 年，IBM 沃森 AI(Watson)在《危险边缘》节目中击败两名人类选手，并宣布医疗将成为沃森的主要应用领域。IBM 入场 AI 较早，但高估了 AI 医疗的潜力，引起很大争议。医疗保健系统极为复杂，沃森机器学习方式与医生工作方式完全不匹配。 沃森系统极为封闭，没有第三方系统集成商，没有软件开发工具包。如同一个「黑匣子」，一端输入一端输出结果。在商业化回报上对 IBM 也无裨益。Jefferies 分析师基斯纳(James Kisner)曾经称，「沃森永远不可能为 IBM 贡献可观收入，IBM 也无法从 AI 投资中收回成本。IBM 在 AI 编程人才竞争中，全部输给了亚马逊、微软、谷歌甚至数百个初创企业。」 IBM 又错失了 AI 的第三次浪潮。 同样身处转型的软件巨头微软，一直拿来与 IBM 进行比较。微软也错失了移动互联网在内的关键节点，微软规模从最初仅为 IBM 百分之一大小，到超越 IBM，市值超万亿美元，源于萨提亚·纳德拉时代的微软，全力拥抱云计算与开源。 IBM高管表示：云端运算发展已经进入第二时期。到2020 年，混合云将有1 万亿美元的市场需求，但至今仍有80% 的企业数据尚未迁移到云上，究其原因主要就是欠缺了一套一致性和高安全性的云管理机制，这也是IBM 看好混合云的原因。但是IBM 的云与开源之路，效果如何依然是未知数。

    半导体 IBM 计算机 混合云

  • 日本在MLCC领域的优势远超中韩

    据日经亚洲评论报道，电子器件厂商在5G智能手机的供货方面竞争激烈。其中，在4G产品上拥有稳固市场份额的日本制造商希望通过MLCC的微型化技术，保持其对于中国和韩国竞争对手的领先优势。 村田制作所董事长村田恒男表示：“考虑到目前的芯片安装技术，它的尺寸要尽可能小。”该公司展示了该公司的新型多层陶瓷电容器，这些电容器也已经开始大量生产，是智能手机的关键部件。 在智能手机中，MLCC用于存储和放电以维持电路中的稳定电流。村田制作所的新设备尺寸仅为0.25毫米x 0.125毫米，是世界上最小的MLCC，体积仅为同类产品的五分之一，但蓄电能力却是其十倍。 MLCC放置在智能手机的整个电路板上。高档电话中使用了大约800个MLCC。在5G手机中，这个数字又要高出20%。 英国技术研究专家Omdia的日本电子研究负责人南川明(Akira Minamikawa)表示，由于其先进的微型化技术，日本MLCC制造商在竞争中具有超越外国竞争对手的坚实优势。他说：“中国和韩国的竞争对手仍然不能‘复制’日本的MLCC”。 5G智能手机比4G型号需要更多具有更严格规格的零件，以便以更高的速度处理更大的吞吐量。由于空间非常宝贵，因此5G设备在很大程度上依赖于可以缩小零件并增强其功能的技术。 占用最多空间的组件是电池。5G手机消耗更多的功耗，且可以更快地处理更多数据。不过因为受设计体积限制，5G手机需要更大容量的较小电池。 TDK在香港的子公司Amperex Technology占据了全球智能手机锂离子电池市场30%的份额，他们今年来一直在通过开发层压锂离子电池来提升其小型化技术。 总部位于东京的Techno Systems Research的研究人员藤田满隆(Mitsutaka Fujita)表示，除了苹果(Apple)和三星电子(Samsung Electronics)等传统客户外，ATL还为中国和其他地区的中型制造商提供了越来越多的服务。他预测，今年ATL的市场份额将继续增长。 智能手机还配备了过滤器，可通过屏蔽其他频率来拾取特定频率。随着电话必须处理的频段数量增加，对滤波器的需求也随之增加。5G手机不仅可以处理Sub-6 GHz频谱和毫米波段(24.25 GHz至52.6 GHz)的高频范围，而且还可以处理较旧手机使用的高频范围。 一种广泛使用的滤波器称为表面声波滤波器。典型的智能手机配备了约50科此类芯片，但预计5G手机中的数量将增加到多达70种。 由于Sun-6 GHz和毫米波段的频率比前几代无线技术所使用的频率更高，因此常规的滤波技术可能不够精确。为了应对这一挑战，村田制作所于10月份收购了设计无线电滤波器的美国公司Resonant的股份。村田制作所计划使用与Resonant共同开发的技术来创造新产品，并于2022年开始批量生产。 5G技术还需要更小的连接器来连接印刷电路板。它们必须以极低的噪声工作，以免干扰高速数据通信。 NEC子公司Japan Aviation Electronics Industry正在研究制造无噪声连接器的新技术。该公司正在利用其为航空航天应用开发的技术来在5G智能手机组件市场中立足。 许多日本电子元件制造商自行开发材料和制造设备。他们拥有无法效仿的核心技术，使竞争对手无法复制其产品。 南川明说：“中国和韩国的竞争者将在未来十年缩小与日本竞争者的差距，但由于日本制造商还将发展其技术，它们将无法轻易追赶。” 但是，尽管有这些优势，日本制造商并没有在智能手机零件的整体市场中占据主导地位。例如，三星和其他韩国公司控制着全球90%的有机发光二极管显示器市场，这些显示器由于比LCD更薄，更轻而在越来越多的5G手机中使用。 尽管中国京东方科技集团(BOE Technology Group)试图从韩国竞争对手手中夺取份额，但在这一领域却鲜有日本公司参与。 同时，许多美国公司是智能手机芯片技术的领导者。高通公司计划在2021年推出兼容5G的处理器，专家表示，这将为低价手机带来更快的网络标准。这将是高通公司的最新芯片组产品，高通公司正在稳步扩展其5G兼容产品组合。 Kioxia是唯一一家至今仍屹立不倒的日本存储芯片制造商。该公司正为大规模生产下一代存储器做准备，以利用对大容量产品需求的预期增长获利。 该公司高层说，随着数据中心和其他设施数量的增加，“从中长期来看，对内存的需求将持续增长”。 中美之间的技术至上之战可能使日本5G组件制造商受益。南川明还表示：“如果美国和中国继续为争夺霸权而陷入僵局，中国制造商在技术联盟排行榜上的迅速攀升势必会放缓。”

    半导体 日本 5g手机 mlcc

  • 氮化镓，日本加大力度研究的新一代半导体材料

    据日本媒体报道，日本经济产业省(METI)加大对新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的重视，为致力于开发新材料的企业提供大量财政支持，及METI将为明年留出大约2030万美元去资助相关企业，预计未来5年的资助将超过8560万美元。 经历了日美“广场协定”的日本 在半导体领域的优势已经完全转移到了材料和设备方面，如在硅片方面，日本的几家公司名列前茅，各种用在半导体芯片生产的气体和化合物方面，日本也不遑多让。 最近内国内媒体常提到的EUV光刻方面，虽然日本并没有提供相应光刻机，但他们几乎垄断了全球的EUV光刻胶供应，所以他们看好的半导体材料，是有一定的代表意义的。 在这里，我们来深入了解一下日本看好的这项半导体材料是什么。 1、什么是氧化镓? 氧化镓(Ga2O3)是一种新兴的超宽带隙(UWBG)半导体，拥有4.8eV的超大带隙。作为对比，SiC和GaN的带隙为3.3eV，而硅则仅有1.1eV，那就让这种新材料拥有更高的热稳定性、更高的电压、再加上其能被广泛采用的天然衬底，让开发者可以轻易基于此开发出小型化，高效的大功率晶体管。这也是为什么在以SiC和GaN为代表的宽带隙(WBG)半导体器件方面取得了巨大进步的时候，Ga2O3仍然吸引了开发者的广泛兴趣。 2、Si，SiC，GaN和Ga2O3对比 从器件的角度来看，Ga2O3的Baliga品质因子要比SiC高出二十倍。对于各种应用来说，陶瓷氧化物的带隙约为5eV，远远高于SiC和GaN的带隙，后两者都不到到3.5eV。因此，这种陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作电压，导通电阻也更低。 再从另一个角度看，易于制造的天然衬底，载流子浓度的控制以及固有的热稳定性也推动了Ga2O3器件的发展。相关论文表示，用Si或Sn对Ga2O3进行N型掺杂时，可以实现良好的可控性。尽管某些UWBG半导体(例如AlN，c-BN和金刚石)在BFOM图表中击败了Ga2O3，但它们的广泛使用受到了严格的限制。换而言之，AlN，c-BN和金刚石仍然缺乏高质量外延生长的合适衬底。 相关报道指出，Ga2O3具有五个不同的相态，其中，α相具有与Al2O3或蓝宝石相同的刚玉型晶体结构，这为研究者们在蓝宝石衬底上实现无应力Ga2O3层的沉积的提供了研发思路。 相关统计数据显示，从数据上看，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3,000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。这就让产业界人士对其未来有很高的期待。而成本更是让其成为一个吸引产业关注的另一个重要因素。 3、按步骤划分的Ga2O3衬底制造成本 据市场调查公司-富士经济于2019年6月5日公布的宽禁带功率半导体元件的全球市场预测来看，2030年氧化镓功率元件的市场规模将会达到1,542亿日元(约人民币92.76亿元)，这个市场规模要比氮化镓功率元件的1,085亿日元规模还要大。 4、行业的领先厂商 既然这个材料拥有这么领先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，据半导体行业观察了解，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的Ga2O3供应商。 相关资料显示，Flosfia成立于2011年3月，由京都大学研究人员Toshimi Hitora，Shizuo Fujita和Kentaro Kaneko共同创立，不同于世界其他地区对GaN或SiC外延生长的方法研究，Flosfia的研究人员开发了一种新型的制备方法，它是将氧化镓层沉积于蓝宝石衬底上来制备功率器件。这主要依赖于其一项名为“Mist Epitaxy”(喷雾干燥法)的化学气相沉积工艺。 5、Mist Epitaxy简单介绍 我们知道，传统的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition;CVD)是在真空状态下借反应气体间的化学反应产生所需要的薄膜，但大面积化有其困难，花费成本大也是问题点之一。但Flosfia所采用的Mist Epitaxy是将液体雾化之后再应用至成膜制程上。由于原料为液体，所以原料的选择性大幅提高，不需真空处理亦使得大面积化变得可行，这就有助于降低成本支出。 按照Flosfia官方所说，他们所产生的MISTDRY技术使他们能够基于氧化镓制造二极管和晶体管，而这些二极管和晶体管只需要比以前的体积少十分之一的电源。 6、传统SBD同样Flosfia的SBD的对比 从官网可以看到，公司在2015年所首发的肖特基势垒二极管(SBD)已经送样，而其521V耐压器件的导通电阻仅为为0.1mΩcm，855V耐压的SBD导通电阻也只是为0.4mΩcm。由此足以见证到这些器件的优势。 因为材料属性的原因，有专家认为用氧化镓无法制造P型半导体。但京都大学的Shizuo Fujita与Flosfia合作在2018年成功开发出具有蓝宝石结构的Ga2O3绝缘效应晶体管(MOSFET)，根据这项研究的结果，功率转换器的小型化可能会达到十分之几，并且降低成本的效果有望达到总功率转换器的50%。这就让这项技术和产品有望应用于需要安全性的各种电源中，并有望支持电动汽车和小型AC适配器的普及。 同样也是在2018年，电装与Flosfia决定共同开发面向车载应用的下一代Power半导体材料氧化镓(α-Ga2O3)。据电装表示，通过这两家公司对面向车载的氧化镓(α-Ga2O3)的联合开发，汽车电动化的主要单元PCU的技术革新指日可待。此技术将对电动汽车的更轻量化发展，燃料费用的节约改善起到积极作用，从而实现人、车、环境和谐共存。 从Flosfia的报道可以看到，他们也计划今年扩大规模，并实现量产。 Novel Crystal Technology(以下简称NCT)则成立于2015年，公司所采用的方案是基于HVPE生长的Ga2O3平面外延芯片，他们的目标是加快超低损耗，低成本β-Ga2O3功率器件的产品开发。开发出β-Ga2O3功率器件。 资料显示，NCT已经成功开发，制造和销售了直径最大为4英寸的氧化镓晶片。而在2017年11月，Nove Crystal Technology与Tamura Corporation合作成功开发了世界上第一个由氧化镓外延膜制成的沟槽MOS型功率晶体管，其功耗仅为传统硅MOSFET的1/1000。 7、氧化镓沟槽MOS型功率晶体管的示意图 按照他们的规划，从2019财年下半年开始，NCT将开始提供击穿电压为650-V的β-Ga2O3沟槽型SBD的10-30 A样品。他们还打算从2021年开始推进大规模生产的准备工作。公司还致力于快速开发100A级别的β-Ga2O3功率器件。 自2012年以后，业界不断公布关于氧化稼功率元件的研发、试做成果。迄今为止，已经试做了横型MES FET、横型MOS FET、Normally Off的纵型MIS FET。在SBD的实验中，已经证明了氮化镓器件的导通电阻比碳化硅的SBD低得多!在初级试验阶段就可以证明其性能超过碳化硅功率元件。而现在参加研发的日本企业持续增加。 来到美国方面，在今年六月，美国纽约州立大学布法罗分校(the University at Buffalo)正在研发一款基于氧化镓的晶体管，据他们介绍，基于这种晶体管打造的器件能够处理8000V以上的电压，而且只有一张纸那么薄。可以帮助制造出更小、更高效的电子系统，用在电动汽车、机车和飞机等场景。 此外，美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员也在研究氧化镓MOSFET。佛罗里达大学材料科学与工程教授Stephen Pearton表示，它们看好氧化镓作为MOSFET的发展潜力。 8、中国在这个领域的现状 面对这项新技术，国内表现又是如何呢? 让我们从网上的材料一窥其蛛丝马迹。 据观察者网在2019年2月的报道，中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索，通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺，有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题，采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。报道指出，中国电科46所制备的氧化镓单晶的宽度接近100mm，总长度达到250mm，可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。经测试，晶体具有很好的结晶质量，将为国内相关器件的研制提供有力支撑。 在2019年12月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全携手。在氧化镓功率器件领域取得了新进展。 据中国科学院上海微系统与信息技术研究所报道，欧欣课题组和韩根全课题组利用“万能离子刀”智能剥离与转移技术，首次将晶圆级β-Ga2O3单晶薄膜(<400 nm)与高导热的Si和4H-SiC衬底晶圆级集成，并制备出高性能器件。报道指出，该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的重要意义。首先，异质集成为Ga2O3晶圆散热问题提供了最优解决方案，势必推动高性能Ga2O3器件研究的发展;其次，该研究将为我国Ga2O3基础研究和工程化提供优质的高导热衬底材料，推动Ga2O3在高功率器件领域的规模化应用。 而在今年六月，复旦大学方志来团队在p型氧化镓深紫外日盲探测器研究中取得重要进展。报道表示，方志来团队采用固-固相变原位掺杂技术，同时实现了高掺杂浓度、高晶体质量与能带工程，从而部分解决了氧化镓的p型掺杂困难问题。 9、结语 可以肯定的是，氧化镓是一个很好的材料，但从西安电子科技大学郝跃院士在《半导体学报》的报道看来，氧化镓氧的低热导率问题值得关注，而P型掺杂依然是一个巨大的挑战。 其他挑战还包括研制出具有低缺陷密度高可靠的栅介质、更低阻值的欧姆接触、更有效的终端技术比如场版和金属环用来提高击穿电场、更低缺陷密度及更耐压的Ga2O3外延层以及更大更便宜的单晶衬底。 氧化镓功率器件为高效能功率器件的选择提供新的方案，它的未来将大放光彩。

    半导体 半导体 日本 氮化镓

  • 大陆AMOLED驱动芯片市场占比不足1%，该如何提高本土化率？

    屏幕芯片市场的大半份额目前被掌握在韩国企业手中，在半导体面板综合市场，日韩企业在短时间内仍占据一定优势。韩系驱动芯片厂商LSI、Maganachip等得益于三星、LGD AMOLED的业绩优势，目前在全球AMOLED面板驱动芯片市场占据着75%的份额。 有机构预计，2020年，中国大陆厂商在全球AMOLED面板驱动芯片市场中的占比将达5%。该预测很可能过于乐观，实际上中国大陆AMOLED面板驱动芯片厂商的生存现状远比想象的还要残酷。2020年，中国大陆厂商在全球AMOLED面板驱动芯片市场占比可能连1%都不到。 为何AMOLED驱动芯片本土化率如此之低?中国大陆厂商该如何进一步提升AMOLED驱动芯片本土化率? 一、OLED驱动芯片投资潮兴起 随着中国大陆AMOLED面板产线陆续量产，近两三年中国面板厂商AMOLED出货持续攀升。根据群智咨询数据，2019年中国大陆AMOLED智能手机面板出货约5500万片，同比增长约165%，市场占比提升至12%。2020年尽管受疫情影响，智能手机市场持续低迷，但是Omdia仍然预计全球AMOLED智能手机市场将增长9%。 AMOLED市场的持续扩张将带动AMOLED面板驱动芯片需求的快速增长。2020年AMOLED面板驱动芯片全球市场规模预计60亿元，2021年有望达到80亿元。 面对巨大的市场前景，中国大陆驱动芯片厂商汇顶科技、集创北方、中颖电子、晟合微电子、格科微、云英谷、吉迪思、新相微、华为海思、芯颖、奕斯伟等纷纷涌入。 其中中颖电子从2009年就开始涉足面板驱动芯片研发，2015年AMOLED驱动芯片出样，2018年第三季度开始量产; 吉迪思在2016年第二季度量产刚性屏AMOLED芯片，2018年9月联手中芯国际正式量产40纳米AMOLED驱动芯片;2019年下半年，奕斯伟和云英谷开始量产AMOLED驱动芯片;今年6月，集创北方总部暨显示驱动芯片设计和先进测试基地项目正式开工;今年8月，广东晟合微电子有限公司已配合国内知名品牌作为第二供应商进行供货验证，其手机驱动芯片在出口市场全部验证通过。 显示行业人士透露，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商已经在大量生产HD、FHD规格的产品。其中中颖电子、云英谷在AMOLED驱动芯片市场取得一定突破，实现了上百万片出货。 目前，韩国AMOLED驱动芯片厂商主导全球市场，中国台湾厂商和中国大陆厂商主要跟随着中国大陆AMOLED面板厂商的脚步逐渐成长，预计中国大陆厂商市场占比2021年有望超过1%。 二、OLED驱动芯片本土化率低 虽然中国大陆AMOLED驱动芯片厂商取得了一些技术突破，但是由于AMOLED驱动芯片技术难度大，中国大陆驱动芯片厂商积累不足，中国大陆面板厂商偏向采用更加成熟的AMOLED驱动芯片，中国手机大厂不敢冒险采用，导致中国大陆AMOLED驱动芯片厂商市场推进速度相对较慢。 目前，中国大陆AMOLED面板厂商处于发展初期，为了加快发展速度，更偏向采用相对成熟的AMOLED驱动芯片。原本三星LSI、Magna Chip、Silicon Works这三家韩系驱动芯片厂商是中国大陆AMOLED面板厂的首选，但是韩系驱动芯片厂商被限制向中国面板厂商供应AMOLED驱动芯片，拥有更多技术积累的中国台湾驱动芯片厂商成为中国面板厂商的第二选择。 在过去几年中，和辉光电和维信诺都采用瑞鼎科技的AMOLED驱动芯片，联咏也在2019年成为京东方主要AMOLED驱动芯片供应商之一，让台系驱动芯片厂商迅速发展，并跻身第二梯队。作为第三梯队的陆系驱动芯片厂商则主要依靠渠道切入维修市场，处于市场边缘地带。 AMOLED驱动芯片技术难度较大。以中颖电子AMOLED驱动芯片为例，虽然中颖电子早在2015年就推出FHD AMOLED驱动芯片样品，而且过去五年不断改版，不断升级，但是中颖电子至今还在停留在FHD阶段，可见 AMOLED驱动芯片有一定技术难度。 实际上，AMOLED驱动方式、像素排布与LCD的不同，所以AMOLED面板一般需要DMURA的电路补偿、特殊的像素排布算法。 据透露，OLED采用电流驱动，单颗像素需要多个TFT支持，但是随着晶体管阈值变化，TFT器件的电压会出现漂移现象，电流也会发生变化，影响OLED的亮度，所以OLED需要通过电路补偿的方式让电压不会出现漂移，消除MURA。 而且OLED像素排布方式与LCD RGB不同，所以驱动芯片需要采用一些特定的算法。此外，OLED驱动芯片需要先进的制程，例如，40nm、28nm工艺，流片和生产成本较高。 中国大陆OLED驱动芯片厂商属于后来者，技术积累不足，良率低。三星Display在OLED领域的投资已经超过15年以上，并进行全产业链进行布局，而中国大陆OLED产业还处于发展初期，大部分厂商处于亏损状态，无暇顾及驱动芯片发展，所以中国大陆驱动芯片厂商在OLED领域缺乏技术积累，需要一定的时间追赶。 显示行业人士表示，中颖电子在OLED驱动芯片领域积累了七八年的时间，才勉强打通OLED驱动芯片的一些基本技术难点，还无法攻克高PPI AMOLED驱动芯片技术，可见中国大陆AMOLED驱动芯片厂商还需要更多的技术积累。正因为缺乏技术积累，中国大陆厂商AMOLED驱动芯片的不良率较高，是同行业竞争对手50倍，很容易陷入亏损状态。 手机大厂虽然都在测试中国大陆OLED驱动芯片，但是不敢真正量产导入。手机厂商测试OLED驱动芯片周期一般需要几个月，而且很难一次性成功，所以国内手机厂商一般都不敢用国产OLED驱动芯片。 消息人士透露，国产OLED驱动芯片可靠性不足，很容易出事故。一旦发生事故，驱动芯片厂商不赔偿，面板厂商又不兜底，所以手机厂商一般都不会导入中国大陆厂商OLED驱动芯片。 华为相关负责人曾经引入过联咏驱动芯片，后面出现事故，导致这位负责人直接下台，现在华为相关负责人都不太敢用中国大陆AMOLED驱动芯片。 三、如何进一步提升本土化率? 随着中国大陆AMOLED产能不断释放，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商将迎来巨大的本土化替代机会。特别是受到美国华为芯片禁令的影响，未来AMOLED驱动芯片本土化配套的速度将加快，资本也更愿意投资半导体领域。 显示行业人士指出，在中美科技战背景下，面板厂商、手机厂商、电视厂商等都自动达成了加快本土化配套的共识，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商再也不需要去游说面板厂商或者终端厂商采用本土化的AMOLED驱动芯片。现在AMOLED驱动芯片本土化配套的环境非常友好。 目前，对于中国大陆AMOLED驱动芯片厂商来说，最为重要的是积累技术。要知道，“核心技术是买不来的”，通过挖角也不能解决核心技术难题。 中国大陆AMOLED驱动芯片厂商需要耐得住寂寞，沉下心来，慢慢练兵，从基础技术研究做起，才有机会突破核心技术，赶上中国台湾厂商和韩国厂商的步伐。 显示行业人士指出，中国大陆AMOLED驱动芯片投资很多，但是本土化配套率却很低，为什么?因为中国大陆厂商蹲马步还不够多。 晟合微电子总经理施伟建议，针对大陆面板企业及市场的特点，自研算法，加强芯片设计优化;加强技术攻关，主要是高压(32V)下抗干扰、芯片内数模混合信号间的抗干扰、内存的设计、自有接口协议开发与低功耗电源设计等。 核心技术固然关键，但是技术积累离不开团队，离不开人才。OLED技术还在不断改进、迭代中，如果没有一个强大的团队很难跟上OLED技术发展的速度。 显示行业人士认为，只有组建优秀的团队，经过三到五年的打磨，才有可能实现技术突破。甚至通过有效的管理方案可以压缩技术突破的时间，争取摆脱目前中国大陆AMOLED驱动芯片产业的困境。 回顾过去，中国大陆LCD驱动芯片的发展路径可以发现，要提升本地化驱动芯片的配套率并不容易，中国大陆液晶面板经过十几年的发展未能跟上韩国和中国台湾厂商的步伐。 如今AMOLED驱动芯片产业环境大为不同，一方面，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商与中国台湾厂商差距不像当年LCD驱动芯片差距那么大;另一方面，中国大陆投资了大量的AMOLED产线，全球第二大AMOLED生产基地在中国。

    半导体 amoled 驱动芯片 屏幕芯片

  • 思瑞浦：专注于模拟芯片设计研发

    思瑞浦微电子科技秉持以技术创新为核心的理念，始终专注于模拟芯片设计研发，核心应用领域是5G基站，因而最大的客户便是华为和中兴，直接锁定了国内最大的两个基站供应商。 模拟芯片竞争对手之间的对比核心在于应用领域不同，比如圣邦股份主要聚焦在机顶盒、安防领域的信号链和手机业务的电源管理，晶丰明源则聚焦在LED照明的电源管理，博通集成主要应用在无线通信领域、卓胜微聚焦在射频前端芯片; 芯片设计行业非常重要的指标便是出货量，公司依靠大客户在2019年和2020年增长十分迅速，并跻身全球第12名，8年的时间内可以做到这个水平还是非常不容易了。 但是思瑞浦过于依赖5G基站的增量投资，也非常依赖大客户(销售占比超过五成)，维持存量预计不难，但是高速增长存在明显的瓶颈，未来还是需要观察公司的新品市场拓展以及产品的持续研发实力; 一、核心竞争力 1、优秀的研发实力 自成立以来，截至2019 年12月31日，思瑞浦已获得境内专利16项，其中发明专利14项，集成电路布图设计登记证书31项。公司已自主开发了900 余款可供销售的模拟集成电路原创设计产品，可满足客户多元化的需求，其中部分产品如纳安级的放大器、高压比较器、高精度数模转换器等在综合性能、可靠性等方面已达到国际标准，并实现了对国际同类产品的进口替代。 2、产品可靠性优势 可靠性和稳定性是衡量模拟集成电路产品综合性能的重要指标。公司严格遵循JEDEC等国际通用标准建立了完备的品质保证体系，在新产品的设计验证阶段以及产品量产后的在线可靠性监控阶段均进行了全面、严格的可靠性考核，包括高温带电老化、高温高湿老化、高低温度循环、高温存储、静电放电和闩锁保护等多达十余项检验测试。 同时，公司选择国内外领先的晶圆厂和封测厂进行生产，在最大程度上确保委外环节的质量。 3、供应链整合优势 相对于数字集成电路，模拟集成电路器件由于种类繁杂的原因导致其代工标准化程度较低、移植性较差，对设计企业和制造企业之间技术合作的紧密程度提出了更高的要求。 在晶圆供应商方面，全球领先的模拟器件晶圆代工厂商已与公司建立了战略合作关系，双方在高性能模拟芯片的先进或特殊生产工艺上展开技术合作，大幅提高了晶圆的生产质量和交货效率; 在封装测试供应商方面，公司经过与国内外先进厂商的多年磨合，已形成了稳定的工艺制程和合作关系，国内领先的封测厂商已将公司列为重点客户，并指定专项团队与公司进行订单跟踪和技术交流，在多方面给予公司支持。 二、投资逻辑 1、5G基站快速发展，大客户实力雄厚; 2、芯片国产化大趋势; 3、公司研发实力雄厚，看好未来新品的增长空间; 三、核心风险 1、客户集中度较高的风险 2019年末公司对前五大客户销售收入合计占营业收入的比例73.50%，集中度相对较高。在2019年，公司第一大客户客户A系公司关联方，公司对其销售实现收入占当期营业收入的比例达到57.13%，且2019年至今，发行人业务快速增长主要依靠该关联客户订单。2020 年1-6月，公司预计向客户A的销售收入同比增长超过300%，而其他业务同比增长约80%。如果未来公司无法持续获得该客户的合格供应商认证并持续获得订单或公司与该客户合作关系被其他供应商替代风险。 2、无实际控制人风险 公司股权结构较为分散，无控股股东和实际控制人。无任一股东依其可实际支配的发行人股份表决权足以对发行人股东大会的决议产生重大影响 3、关联方客户存在不确定性风险 2019年至今，发行人业务快速增长主要依靠客户A订单，客户A系本土信息与通信基础设施提供商，因近些年美国政府采取“实体清单”、“净化网络计划”等多种措施打压中国的通信及互联网等相关企业，相关打压政策将对客户A产生不利或者潜在不利影响，进而可能对公司的业务收入和盈利能力造成重大不利影响。

    半导体 5g基站 模拟芯片 思瑞浦

  • Facebook宣布Aria项目，将重点转变为可穿戴AR未来的研究

    目前AR与VR技术逐渐趋于成熟，其相关智能设备也赢得广大消费者的认同。在此条件下，Facebook Reality Labs联合Facebook宣布Aria项目，此次项目的重点在可穿戴AR的研究。 根据Facebook的工程师以及程序员的构想，此次可穿戴AR主要集中于增城音频，增强现实等方面，以及初步构想Glass AR 地图。 在这个项目里宣布之前，facebook的高级实验室遇到了很多的困难。例如如何在一副很普通的眼镜上面附着一个3D的设备，这是一项非常困难，以及艰巨任务技术。 Facebook的工程师说此次的AR是连接更多。这个主旨也符合Facebook实验项目名称改变，转变为Facebook Content，content中文是连接的意思。 智能手机是一种惊叹的设备，但是在接下来的未来AR项目才是真正的主场。AR背后涉及的是一种计算技术的发生根本性改变以及转变。 此次转别就像当时图书馆和座机以及PC电脑以及移动手机的转变，在背后都涉及一种晶体管或一种芯片，一种新兴技术的出现。 背后涉及到的计算技术以及复杂程度是难以想象的。 目前facebook和谷歌以及亚马逊和apple公司，美国高科技公司都已相继进入此次复杂的高科技领域，不得不惊叹美国高科技的发展。在3到5年的时间，美国将在AR领域大展身手，抢占又一个科技制高点。

    半导体 计算机 facebook 可穿戴ar

  • 可穿戴式体温计“腋下创可贴”

    一款被称为“腋下创可贴”的可穿戴式体温计在新冠疫情防控期间发挥了重大作用。该款体温计如创可贴般大小，用户可以直接将其贴在腋下的皮肤上。 下载“安芯测”APP后将该设备绑定，体温数据便会在手机页面清晰展现，24小时内可自动测量、自动上报。防控值守端的工作人员通过电脑便可对被观察人群进行连续体温监测与风险预警。 该款由北京微芯边缘计算研究院研制的智能体温计是目前全球最小、最精准的可穿戴式连续智能测温设备。 与传统体温检测方式相比，可穿戴式体温计测温精度更高，可达0.05摄氏度;功耗更低，单次充电可供连续测温10天以上;尺寸更小，芯片传感器仅沙粒大小;更易佩戴，将其粘在创可贴纸上贴于人体即可。 与可佩戴体温计相配合，研究院融合人工智能、大数据等技术，构建了64 维特征空间，采用深度学习推理模型对非新冠肺炎发热人群、新冠肺炎感染者和健康人群这三类群体实现自动分类和筛查。 搭配该套模型，研究院建立起基于体温智能异常报警、多级责任单位跟进反馈、发热门诊核实的筛查体系，可精准锁定身体状况异常的人群，形成涵盖市、区、街道、责任单位的多级闭环管理体系，为疫情防控装上“千里眼”。 在武汉、绥芬河、吉林、北京等地新冠肺炎防控中，可佩戴体温计和相关管理系统均发挥了作用。 自2月8日以来，北京市逐步扩大智能体温计佩戴范围，覆盖30万人，涉及集中隔离点观察人员、居家隔离观察人员、企事业单位的重点人员、餐饮厨师、家政服务人员、美容美发人员及初高三毕业班师生等人群。 目前，该产品已支持巴基斯坦、新加坡、哈萨克斯坦、贝宁等国家的精准防疫需求，为国际常态化疫情防控提供中国科技力量。

    半导体 可穿戴 体温计 新冠肺炎

  • Intel将于2021年发布首次使用大小核设计的Alder Lake处理器

    Intel今年4月份发布了10代酷睿Comet Lake-S系列，相较于AMD刚刚发布的Zen3架构处理器锐龙5000系列，Intel下一代处理器最多10核5.3GHz，依然是14nm++工艺。 对抗AMD的Zen3架构还要看下一代处理器，也就是11代酷睿，不过跟移动版的 11代酷睿不同，桌面版11代酷睿是Rocket Lake-S系列，依然是14nm工艺。 关于Rocket Lake-S火箭湖，之前的爆料已经不少了，核心数从10核降回到8核，支持PCIe 4.0，GPU也会升级到Gen12，Xe架构的，但最多32组EU单元，不及11代酷睿移动版的1/3。 关键的部分主要是CPU，Rocket Lake-S处理器的CPU核心一直没有确切消息，有说是Sunny Cove微内核的，也有说是Willow Cove微内核的，最近还传出是Cypress Cove。 不过这个Cypress Cove有可能就是14nm版的Sunny Cove/Willow Cove，改名是为了防止混淆。 不论哪种CPU内核，IPC性能大涨应该是可以预期的，去年Intel就表示Sunny Cove的IPC性能提升最多40%，平均下来也有18%，所以Rocket Lake-S处理器明年夺回单核及游戏性能还是有可能的。 当然，这一切还没法证实，对Rocket Lake-S处理器来说，最大的问题还是时间，明年Q1季度才能发布。 明年下半年Intel可能就要推出10nm的Alder Lake处理器了，首次使用大小核设计，变化颇多。

    半导体 英特尔 处理器 10nm

  • 针对半导体与集成电路产业，广东出台五年行动计划

    广东省发布《广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划(2021-2025年)》(以下简称《计划》)，《计划》针对外来封锁及内部不足，全链条布局半导体及集成电路产业，提出到2025年产业规模要突破4000亿元，把珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。 1、突出发展重点 广东拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场，集成电路设计业在国内领先,2019年集成电路产业主营业务收入超过1200亿元，其中设计业营业收入超千亿。目前广东已形成广州和深圳两大国家级集成电路设计产业化基地，带动珠海、佛山、东莞等地协同发展。 在制造环节,长三角等地在先进制程和存储芯片制造、封装测试等已形成优势,基于错位发展原则,《计划》提出，广东将充分利用终端需求市场规模大的优势，继续巩固设计业竞争优势,争取在EDA软件上实现突破，将重点在特色工艺制程和已有一定基础的功率器件、模拟芯片、第三代半导体器件等方面发力,大力引进和培育封测、设备、材料等领域龙头企业,加快补齐制造业短板。 《计划》提出,到2025年,广东集群主营业务收入突破4000亿,年均增长超过20%,全行业研发投入超过5%,珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。 2、聚焦产业发展突出问题 据了解，广东发展半导体及集成电路存在诸多短板：高校微电子专业在校生不到2000人，海外人才引进难度却越来越大，人才供需矛盾非常突出;创新能力较弱，关键核心技术研发能力薄弱;设计企业高水平能力不足;对外依存度很高，产业链供应链的安全可控性急需提升。在当前国际技术封锁和国内区域竞争加剧的背景下，广东迫切需要补齐产业短板。 《计划》提出5大重点任务：推动产业集聚发展、突破产业关键核心技术、打造公共服务平台、保障产业链供应链安全稳定、构建高水平产业创新体系。 其中，产业集聚方面，以广州、深圳、珠海为核心区域，积极推进特色制程和先进制程集成电路制造，在晶圆制造工艺、FPGA、DSP、数模混合芯片、模拟信号链芯片、射频前端、EDA工具、关键IP核等领域实现突破，打造涵盖设计、制造、封测等环节的全产业链;以深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州为依托建设新型电子元器件产业集聚区，广深珠莞多地联动发展化合物半导体产业。 在突破产业关键核心技术方面，围绕芯片设计与架构、特色工艺制程、先进封装测试工艺、化合物半导体、EDA工具、特种装备及零部件等领域展开技术攻关。 为此，《计划》用八大重点攻关工程为五大任务“护航”，包括：底层工具软件培育工程、芯片设计领航工程、制造能力提升工程、高端封装测试赶超工程、化合物半导体抢占工程、材料及关键电子元器件补链工程，特种装备及零部件配套工程，和人才聚集工程。 其中，在人才集聚方面，广东将引导高校围绕产业需求调整学科专业设置，推动有条件的高校建设国家示范性微电子学院。扩大微电子专业师资和招生规模，省属高校可以自行确定微电子专业招生计划。推动国产软件设备进校园。开展集成电路产教融合试点，鼓励企业联合职业院校及高校培养技术能手。 3、提升产业创新能力 《计划》提出，按普惠性原则激励企业加大研发投入,对芯片流片费用给予奖补。对于基础研究和应用基础研究、突破关键核心技术或解决“卡脖子”问题的重大研发项目,强化省级财政持续支持。 对于28nm及以下制程、车规级及其他具备较大竞争优势的芯片产品量产前首轮流片费用，省级财政按不超过30%给予奖补;对研发费用占销售收入不低于5%的企业，在全面执行国家研发费用税前加计扣除75%的基础上，鼓励各市对其按增不超过25%的研发费用税前加计扣除的标准，给予奖补，省级财政按照1∶1给予事后的再奖励。 建设一批设计服务平台、检测认证平台和技术创新平台,打造公共服务平台体系。 引导产业向高端化发展,推动混合集成、异构集成技术研发与产业化,密切跟进碳基芯片技术,支持提前部署相关前沿技术、颠覆性技术。

    半导体 半导体 集成电路 广东

  • 芯颖科技：AMOLED显示驱动芯片尚未应用于国产手机

    面对投资者的提问：中颖电子产品的锂电池管理芯片和OLED驱动芯片Q3是否开始在国产手机品牌里规模应用?日前，中颖电子表示，公司锂电池管理芯片已经在国产手机品牌里逐步实现规模应用，但芯颖科技的AMOLED芯片尚未在国产手机品牌里规模应用。 与此同时，今年AMOLED上游晶圆代工产能趋紧，供应不能满足芯颖科技的终端需求。 对此，芯颖科技在显示驱动芯片新产品中采用更先进的制程，来满足其生产需求。 芯颖科技致力于显示驱动芯片的设计与开发，并重点聚焦在OLED显示屏驱动芯片。 经过多年的发展及积累，其已掌握了AMOLED显示驱动芯片设计的核心技术，产品主要用于手机和可穿戴产品的屏幕显示驱动。 为促进芯颖科技显示驱动芯片业务进一步做大做强，中颖电子导入产业与社会资本及资源，解决芯颖科技资金需求，加快其AMOLED 显示驱动芯片的研发及业务拓展。

    半导体 OLED 显示驱动 中颖电子

  • 意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案

    意法半导体(ST) 近日推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的 MasterGaN® 产品平台，对于400W以下轻便节能的消费电子、工业充电器以及电源适配器而言，意法半导体提出的这个集成化方案有助于加快开发速度。 GaN技术 使电子设备能够处理更大功率，同时设备本身变得更小、更轻、更节能，这些改进将会改变用于智能手机的超快充电器和 无线充电器 、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。 在当今的GaN市场上，通常采用分立 功率晶体管 和驱动IC的方案，这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作，实现最佳性能。 意法半导体的MasterGaN方案绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并能获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单，电路组件更少，系统可靠性更高。 凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势，采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80%，减重70%。 意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理Matteo Lo Presti表示：“ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力，整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成，能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。” MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。 MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度只有1mm。 意法半导体还提供一个产品评估板，帮助客户快速启动电源产品项目。 技术细节: MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度，为高压应用设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。 该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管，并以引脚兼容的半桥产品形式供货，方便工程师成功升级现有系统，并尽可能少地更改硬件。 在高端的高能效拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器，无桥图腾柱PFC(功率因数校正器)，以及在 AC/DC 和 DC/DC变换器 和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。 MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。 逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，还配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。

    半导体 充电器 意法半导体 gan

首页 上一页 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 下一页 尾页
发布文章

活动预告

更多

论坛

更多

相关标签

课程视频

更多