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国产IGBT功率器件春暖花开
当前，在日益严峻的环境问题和能源消耗的压力之下，绿色能源领域正成为世界各国的发展目标，由此也带动了整个功率半导体行业的发展，尤其是功率半导体核心器件——IGBT。在中国，为了适应大环境的需求，扶持相关企业
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碳化硅量产给我国提供后发优势
北极星自动化网讯:为了缓解能源危机，国家大力倡导绿色能源，发展光伏发电、风能发电。在电能的产生、输送和分配过程中，电力传送效率和使用效率至关重要。当前的电力传输功率器件主要是基于半导体硅材料，由于硅的物
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新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
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国产第三代半导体量产实现零突破
日前，中关村企业泰科天润半导体科技(北京)有限公司(以下简称“泰科天润”)研发的第三代半导体碳化硅肖特基二极管等多个产品已经成功量产，产品涵盖600V-3300V等中高压范围。这标志着中国已成为继美欧日之
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今年中功率器件LED产值将超越大功率LED
进入2013年，LED封装市场结构发生很大变化，LED中功率市场快速增长。高工LED产业研究所(GLII)最新发布报告指出，2012年中国大陆LED封装市场规模为397亿元，同比增长24%。其中，LED大功率器件市场规模104.7亿元，同比
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LED应用是块体GaN市场的关键驱动力
LED半导体照明网讯 Yole Développement预计，毫无疑问，LED技术的市场份额将会超过传统灯泡和光管业务。LED厂商最近发布的新闻(比如LED光效超过150lm/W)证明了LED性能已与传统灯泡和光管差不多。块体氮化镓
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Diodes推出两款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903，以扩充旗下霍尔效应开关产品系列。这两款器件能节省功耗和空间，并使设计更灵活，有助于提
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士兰微:新品成长,业绩上行满足
事项公司公布2013年三季度报告,前三季度实现营业收入11.68亿元,同比增长20.58%;实现归属于上市公司股东的净利润7828.96万元,同比增长404.74%,扣除非经常损益后的净利润实现了扭亏为盈,达到3523.24万元,相较历史同期亏
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功率器件供应趋紧 各厂商全速扩充产能
自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随
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IMEC与Veeco合作可降低GaN
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说，“Veeco MOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和
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张乃千：Si基GaN功率器件的发展态势分析
2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。&
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张乃千： Si基GaN功率器件的发展态势分析
LED半导体照明网讯 9月5日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、中国国际光电博览会共同主办的“首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北
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功率器件供应趋紧 厂商加速扩产
【导读】自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要
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功率器件供应趋紧，厂商全速扩充产线产能
【导读】自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要
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IMEC和Veeco合作力图降低GaN-on-Si生产成本
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件和LED的成本。IMEC的首席科学家BarunDutta评论说，“VeecoMOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和晶体质量为我们在
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新能源开发为功率器件市场带来新机遇
【导读】从目前国内新能源市场的开发进展来看，主要热点集中在可再生能源、新能源汽车等领域。 可再生能源又可分为风力发电和太阳能光伏发电两种，对于这两大市场，三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部市场营
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新能源为功率器件市场带来新商机
功率半导体的应用范围日益广泛，不同的应用对于器件的要求也不尽相同，这使得厂商开始走向行业化解决方案的道路。国际整流器公司(IR)亚太区销售副总裁潘大伟指出，功率器件
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Veeco与IMEC宣布合作 力图降低GaN-on-Si生产成本
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说，“Veeco MOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和晶体质量为我们
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功率器件的利器 GaN
GaN是什么?什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.
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富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品
有助于提供尺寸更小、效率更高的电源芯片产品，适用范围涉及电信、工业设备、汽车电子等21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件
