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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
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大功率高压变频器功率器件热设计浅析
大型电力电子设备中，随着温度的增加，失效率也增加，因此大功率高压变频器功率器件的热设计直接关系到设备的可靠性与稳定性。大功率高压变频器往往要求有极高的可靠性，影
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功率器件损耗计算
功率器件应用时所受到的热应力可能来源于两个方面：器件内部和器件外部。器件工作时所耗散的功率要通过发热形式耗散出去。若器件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成器件
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瑞萨推出工业用首个以MCU为基础可扩展供电系统方案
瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨”)，近日发布了最新的用于个人计算机CPU、服务器和储存系统的供电稳压器 (VR) 芯片集诞生。它包括行业首个集成微控制器(MCU)数字接口的VR控制器R2A30521NP和带集成电流检
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功率器件的选择
由于本设计中的变换器的应用场合的电压和电流都比较大，则除考虑效率因素外，选择高性能功率器件是保证功放性能的重要环节。功率器件的特性主要有安全特性、开关特性和驱动
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率
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功率器件热设计及散热计算
引言当前，电子设备的主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备的失效有55%是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，功率器件热设计是
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怎样去选择好逆变器功率器件
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR)，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性
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不一样的罗姆，让生活更智能
对于罗姆，令人印象最深的自然还是它的电阻，但是今天的罗姆，已经发展成为了拥有多条IC产品线、各类光学器件、传感器以及多种分立器件的全球知名半导体公司。今天在上海，罗姆的全国科技巡回展上，我们看到了罗姆新
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不一样的罗姆，让生活更智能
对于罗姆，令人印象最深的自然还是它的电阻，但是今天的罗姆，已经发展成为了拥有多条IC产品线、各类光学器件、传感器以及多种分立器件的全球知名半导体公司。今天在上海，罗姆的全国科技巡回展上，我们看到了罗姆新
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几种高压变频器原理分析及实际应用
1.引言电机是工业生产中主要的耗电设备，高压大功率电动机的应用更为突出，而这些设备大部分都存在很大的节能潜力。所以大力发展高压大功率变频调速技术具有时代的必要性和迫切性。目前，随着现代电力电子技术和微电
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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