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RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HV工艺技术
高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HVT工艺技术
高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其 RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的
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功率器件在混合动力汽车(HEV)中的应用
混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较，并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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功率器件在混合动力汽车(HEV)中的应用
混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较，并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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功率器件在混合动力汽车(HEV)中的应用
混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较，并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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功率器件在混合动力汽车(HEV)中的应用
混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较，并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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细述汽车系统选择智能功率器件的五个理由
在传统的汽车应用中，由于对车内电路较高的安全性能要求，带有保险丝保护的电子机械式开关在高负载应用中一直被广为采用。然而，这种系统解决方案也有一定的局限性。机械式继电器在长时间运作时容易磨损和发生接触差
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瑞萨电子推出14款适用于汽车车身应用的智能功率器件
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）日前宣布推出14个针对汽车应用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下简称“IPD”)，包括µPD166023在内的该系列产品面向外部
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瑞萨电子推出14款适用于汽车车身应用的智能功率器件
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）日前宣布推出14个针对汽车应用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下简称“IPD”)，包括µPD166023在内的该系列产品面向外部
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大陆IC排名何时不再与“其他”为伍
市场调研机构ICInsights日前公布了2011年全球集成电路销售额的排名表，北美地区以占全球53.2%的比例高居榜首，韩国、日本、欧洲以及中国台湾地区依次占据了该排行榜的第二至第五位，位居第六的是一个熟悉而又陌生的面
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国内IC排名何时不再与“其他”为伍
市场调研机构ICInsights日前公布了2011年全球集成电路销售额的排名表，北美地区以占全球53.2%的比例高居榜首，韩国、日本、欧洲以及中国台湾地区依次占据了该排行榜的第二至第五位，位居第六的是一个熟悉而又陌生的面
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国内IC排名何时不再与“其他”为伍
市场调研机构IC Insights日前公布了2011年全球集成电路销售额的排名表，北美地区以占全球53.2%的比例高居榜首，韩国、日本、欧洲以及中国台湾地区依次占据了该排行榜的第二至第五位，位居第六的是一个熟悉而又陌生
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瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
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瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
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功率器件IGBT在不间断电源（UPS）中的应用
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为
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华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂
上海华虹NEC电子有限公司(华虹NEC)以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引了
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华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂
上海华虹NEC电子有限公司(华虹NEC)以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD 2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引
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华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂
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上海华虹NEC电子有限公司(华虹NEC)以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD 2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引
