即使目前只是初期阶段,但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后,至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)设备
标签:功率器件 IGBT功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动
过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象,且其封装简单,主要采用TO220 和 TO247
21ic讯 英飞凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件(ePower)。全新TLE983x片上系统(SoC)产品系列将一颗功能强大的8位单片机与LIN收发器及相关外设集成到一颗芯片上,以满足对空间和成本都很敏感的车身应用的
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以小体积著称的模块电源,正朝着低电压输入、大电流输出,以及大的功率密度方向发展。但是,高集成度、高功率密度会使得其单位体积上的温升越来越成为影响系统可靠工作、性能提升的最大障碍。统计资料表明,电子元器
长电科技是我国知名的半导体封装测试生产基地,拥有多种芯片测试、封装设计、封装测试产品线并能提供整套解决方案,在国内是电子百强企业。同时在全球市场也凭借高端封装技术和销售规模,已在2009年便跻身全球前十大
作为特色工艺技术纯代工企业,华虹NEC致力于打造特色工艺平台,目前已形成嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压CMOS/显示驱动、射频和功率器件等五大特色工艺平台。在今年IIC-China展会上,华虹NEC集中展示
中高压变频器主电路拓扑结构的分析比较摘要:对中高压变频器几种常见的主电路拓扑结构进行了分析比较,对不同电路结构的中高压变频器的可靠性、冗余设计、谐波含量及dv/dt等指标进行了深入的讨论,并对中高压变频器的
中高压变频器主电路拓扑结构的分析比较摘要:对中高压变频器几种常见的主电路拓扑结构进行了分析比较,对不同电路结构的中高压变频器的可靠性、冗余设计、谐波含量及dv/dt等指标进行了深入的讨论,并对中高压变频器的
中高压变频器主电路拓扑结构的分析比较摘要:对中高压变频器几种常见的主电路拓扑结构进行了分析比较,对不同电路结构的中高压变频器的可靠性、冗余设计、谐波含量及dv/dt等指标进行了深入的讨论,并对中高压变频器的
中高压变频器主电路拓扑结构的分析比较摘要:对中高压变频器几种常见的主电路拓扑结构进行了分析比较,对不同电路结构的中高压变频器的可靠性、冗余设计、谐波含量及dv/dt等指标进行了深入的讨论,并对中高压变频器的
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD)日前宣布,扩展其RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术,以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较,并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较,并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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