一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第五部分

我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?

好吧，首先，如果你问我这个问题，未来是什么，几年前市场还没有，我会说，市场应该很快开始，因为所有的基本面都有。但现在市场确实存在。因此，GaN 正在迅速获得空间，它正在逐步取代硅，但它正在以几乎 100% 的复合年增长率蓬勃发展。从现在的消费应用扩展到服务器、太阳能，当然还有明天，您没有理由不参与电动汽车或混合动力电动汽车的竞争。当然，硅将继续占据主导地位多年。但关键的转折点当然也与产品成本有关。

当产品成本将可比时，这可能会发生在旧行业时，我们将使用 200 毫米晶圆，当然，目前还不是这样，到那时，我们将看到硅的快速替代。考虑到，在系统级 GaN 已经比硅提供了更好的成本，特别是在高功率应用中，但在产品级，仍然存在差距，在低压领域将很快缩小，我们现在已经在 GaN 和硅之间。因此，我认为 GaN 将继续加快步伐，特别是如果我们作为制造商继续利用 GaN 帽子硅无法应对的特性，如方向性，并进一步坚持集成。

当然，碳化硅就在那里，顺便说一句，它出现得更早，并且已经证明了一定程度的成熟度，GaN 仍然需要证明这一点，但碳化硅，我的意思是，我们都知道，鉴于 1200 伏器件的可用性，鉴于其卓越的热性能，它正在迅速取代用于牵引逆变器的 IGBT，但在这里，GaN 也没有理由无法竞争。也许您知道 CGD 参与了一个名为 GaNext 的大型欧洲项目，该项目与重要的 IC 制造商、磁性制造商、学术界和多个不同功率级别的最终用户合作。CGD 是 GaN 解决方案的唯一来源。该项目的目的是为低、中和高功率应用提供原型和演示电源模块。

我真的认为，一旦 GaN 模型可用且可靠，那么进入 EV 逆变器市场基本上将是时间和供应链成熟度的问题。来到你问题的最后一部分，您在问 GaN 还能在哪些方面发挥最大潜力?好吧，如果我们看看今天的大趋势，我们可能会有答案。

我们谈论的是气候变化、电动汽车、数字化转型，GaN 被证明是有助于在所有这些领域中实现最高效率的技术。所有真正达到制造阶段的人。我的意思是，我敢打赌……就个人而言，我肯定会打赌数据中心将成为下一个体验 GaN 优势的重要领域。我的意思是，很明显，每提高 0.1% 的效率都会对电费产生直接影响。但也有一个话题，真的，有需要，为什么要浪费更少的能源，这变得越来越宝贵。

此外，服务器需要为计算提供越来越多的空间。所以，通过缩小电源空间或从实际体积中挤出更多功率来节省电源空间是一项要求，也是一项重大要求，而 GaN 正是因为这些需求而提供的。例如，最近 CGD 启动了一个由英国能源部资助的名为 ICeDATA 的项目，旨在为数据中心设计和开发在性能和可靠性方面引人注目的解决方案。所以，我认为GaN会有一个光明的未来。

我还认为，CGD 已经为功率半导体这个激动人心的新时代做好了准备。旨在为数据中心设计和开发引人注目的性能和可靠性解决方案。所以，我认为GaN会有一个光明的未来。我还认为，CGD 已经为功率半导体这个激动人心的新时代做好了准备。旨在为数据中心设计和开发引人注目的性能和可靠性解决方案。所以，我认为GaN会有一个光明的未来。我还认为，CGD 已经为功率半导体这个激动人心的新时代做好了准备。