晶体管
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盘点19种电压转换的电路设计方法
标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V，就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low Dropout， LDO)稳压器，是此类应用的理想选择。
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Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT
满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求
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详解集成电路的工作原理
集成电路(Integrated Circuit, IC)是由多个电子元件(如晶体管、电阻器、电容器等)在一个小的半导体芯片上集成而成的电路。集成电路的工作原理涉及其结构、电子元件的特性及其运作机制。
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管关断过程的分析
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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如何提高晶体管的稳定性？晶体管h参数解读！
在这篇文章中，小编将为大家带来晶体管的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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BJT的工作原理是什么？BJT延时的产生机理是什么？
一直以来，BJT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来BJT的相关介绍，详细内容请看下文。
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IGBT工作原理详解！分析IGBT模块过电流损坏是如何造成的！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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100多亿个晶体管怎么装进去小芯片？
芯片确实是人类一个伟大的发明，只有用芯片才能把CPU的体积做得很小，海量的CPU集成在一起，才能够制造出超级并行计算机。
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纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管，打造功率密度领先的DC-DC转换器
【2024年8月16日，德国慕尼黑讯】直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外，DC-DC转换器对于开发更多具有低压功能的经济节能车型也十分重要。
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功耗降低、性能提升！我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
8月15日消息，大家都知道，晶体管是集成电路的基本单元，是如今时代不可或缺的元件之一。
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什么是IGBT？IGBT与快恢复二极管的匹配技术
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛
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MOSFET驱动器在各种电子电路中的应用
MOSFET驱动器是一种电子设备，用于控制金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关操作。它提供所需的电压和电流来驱动MOSFET，确保其能够快速、准确地切换。
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功率MOSFET结构及参数解读！
在这篇文章中，小编将对功率MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
【2024年7月11日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。
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英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
【2024年7月9日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。
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栅极电荷测量原理图解析，十分有料！
在这篇文章中，小编将对MOS晶体管栅极电荷测量的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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探讨晶体管加偏置的理由，以及偏置大小的决定因素
在这篇文章中，小编将对晶体管偏置的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对晶体管偏置的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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运算放大器得力助将：跨越失真电源的晶体管设计
在这篇文章中，小编将对运算放大器需具备的真正跨越失真电源的晶体管设计予以介绍，和小编一起来阅读以下内容吧。
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3nm扩增三倍！台积电成功开发CFET晶体管架构
业内消息，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管），台积电今年 3nm 制程工艺将扩增三倍。
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一种高效小型化的开关电源设计
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。
