MJD系列现已上市,涵盖2 – 8 A和45 – 100 V,且增强了Nexperia的功率产品组合
Digitimes日前发表了研究报告,分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题,对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成,针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。
随着社会的快速发展,我们的场效应管与晶体管也在快速发展,那么你知道场效应管与晶体管的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。
2021年6月16日,加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司推出了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。
2021年6月16日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美半导体的小型工业电源供应器方案。
泛林集团计算产品部副总裁David Fried接受了行业媒体Semiconductor Engineering(SE)的采访,探讨并分享他对于芯片缩放、晶体管、新型架构和封装等话题的看法。
2021年6月4日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Qorvo的 QPL181x系列CATV 放大器。
服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布,电气与电子工程师协会(IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖,表彰公司在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。意法半导体的BCD技术可以单片集成双极工艺高精度模拟晶体管、CMOS工艺高性能数字开关晶体管和高功率DMOS晶体管,适合复杂的、有大功率需求的应用。多年来,BCD工艺技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用取得了颠覆性发展。
通过这篇文章,小编希望大家可以对石墨烯晶体管、石墨烯数字晶体管、石墨烯射频晶体管的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。
晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法,请简述这三种基本放大电路的特点。
全球最大芯片出第二代了!WSE 2 将于今年第三季度上市。WSE 2 采用 7 纳米制程工艺,晶体管数达 2.6 万亿个。
本文中,小编将对晶体管予以介绍,主要在于介绍晶体管的优越性、MOS晶体管的相关内容以及晶体管的判别和计算。
以下内容中,小编将对晶体管的相关内容进行着重介绍和阐述,主要将向大家简单介绍5种不同类型的晶体管。
FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是,随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积,FinFET的效用已经趋于极限。
基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。
你知道为什么取名图腾柱吗?
随着计算机、显示器、智能电话和其它消费类电子系统变得越来越纤薄且功能越来越强大,对更纤薄的DC/DC功率解决方案的需求日益增长之同时,需要保持高功率密度和高效率。
可测试仪性能稳定,能自动读出准确数据,使用方便,适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。它可测各种二极管,三极管,可控硅,MOS场效应管;能判断器件类型,引脚的极性,输出HFE,阀电压,场效应管的结电容,附加条件可测电容和电阻等。特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。
随着计算机、显示器、智能电话和其它消费类电子系统变得越来越纤薄且功能越来越强大,对更纤薄的DC/DC功率解决方案的需求日益增长之同时,需要保持高功率密度和高效率。