便携式仪表中的电源设计是确保设备正常运行的关键部分。本文将介绍如何实现便携式仪表中的电源设计,包括设计思路、电源模块设计、充电模块设计、保护模块设计和应用实例等方面。
【2023年7月27日,德国慕尼黑讯】在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等应用。
TFT-LCD发明于1960年经过不断的改良在1991年时成功的商业化为笔记型计算机用面板﹐从此进入TFT-LCD的世代。
为增进大家对电源的认识,本文将对电源的分类以及电源设计的一些相关问题予以介绍。
泰克在工程社区听到了许多工程师的抱怨,因此开发了TMT4裕度测试解决方案,提高了测试的协作性和易用性。
反激拓扑的前身是 Buck-Boost 变换器,只不过就是在 Buck-Boost 变换器的开关管和续流二极管之间放入一个变压器,从而实现输入与输出电气隔离的一种方式,因此,反激变换器也就是带隔离的 Buck-Boost 变换器。
小型化一直是电子行业的一个热点,对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量。ADI在本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。
电力电子转换器在电气化功能的趋势中发挥着更大的作用,因为它们不断需要以更便宜的成本、更小的体积和更高的可靠性提供更多的电力。 Power Integrations (PI) 在 PI Expert 中推出了一项新功能,该在线设计工具可根据用户的规格自动生成优化的电源设计。现在可以使用 PI Expert 中的平面磁性构建器创建一个特定于应用的平面变压器设计,其中包含印刷电路板 (PCB) 制造商准备好的文档和 Gerber 文件。最新版本的PI Expert现已支持 PI 的整个 InnoSwitch3 反激式切换器 IC 系列。
电磁干扰 (EMI) 被誉为电源设计中最困难的方面之一。我认为这种声誉在很大程度上来自这样一个事实,即大多数与 EMI 相关的挑战并不是通过查看原理图就能解决的问题。这可能令人沮丧,因为原理图是工程师了解电路功能的中心位置。当然,您知道设计中有一些不在原理图中的相关功能——比如代码。
USB Type-C 标准允许使用标准电缆实现 5V 至 20V 范围内的可调输出电压和高达 3A 的负载电流。由于功率水平高达 60W,反激式仍然是拓扑的不错选择。然而,为初级侧控制器提供偏置电源可能会带来一些挑战。
在真空吸尘器和白色家电等产品的消费世界中,物料清单 (BOM) 极为重要。种类繁多的产品和设计这些产品的公司创造了巨大的竞争——给利润和市场份额带来压力。系统 BOM 是一个简单的地方,可以通过添加或删除功能和/或调整成本来进行优化,从而提高最终产品的竞争力。
设计电源与其说是科学,不如说是一门艺术。瞬态和现实世界的交互过于华丽,无法用任何单一的电源系统模型来捕捉。通常,这些模型构建了某种传递函数,该传递函数与工厂或在数字电源设计中的功率级尽可能接近。为了测量实际系统的行为与模型的接近程度以及为控制该模型而创建的控制回路,电源设计人员必须测量系统的频率响应。然后将该数据绘制在波特图上并进行分析,以确定电源控制器设计的增益和相位裕度。在很多情况下,由于模型与实际工厂的不一致,在电源设计过程中会多次重复此过程。
两年前,保时捷电动跑车Tycan将电动汽车主流的400V平台升级到800V,在动力总成、充电性能、加速性能等方面,为电动汽车树立了一个新标杆。随即,800V高压平台以超预期的速度在电动汽车领域渗透,从去年开始,国内的车企包括比亚迪、吉利极氪、北汽极狐、长城蜂巢、广汽埃安、东风岚图、小鹏汽车等纷纷宣布上马基于800V平台架构的产品,800V高压平台俨然成为时下电动汽车界的不二选择。
随着COVID-19在 2020 年初的传播,全球紧急呼吸机短缺是最大的担忧之一。对呼吸机不断增长的需求意味着它们很快就会供不应求,因此 Monolithic Power Systems (MPS) 的一个设计工程师团队寻求帮助创建解决这一危机的解决方案。
虽然定制印刷的 PCB 可以将这些组件集成在一块板上,但 MPS 解决方案利用每个产品的预制、现成的评估板来缩短开发时间,同时创建一个紧凑的解决方案。
当前电子应用的趋势,尤其是那些基于大功率设备的应用,是实现越来越小的尺寸和越来越高的组件密度。由于引入了超结器件和宽带隙材料(如氮化镓),迅速实现了更高的开关频率,从而减小了无源器件的体积。
我们都一遍又一遍地听说智能电源将为电源行业带来的伟大事物。它在很多方面都达到或超出了我们的预期;然而,在其他方面它也让我们失望了。我不禁认为,其中一些原因是因为很容易因为它是不同的或新的技术而迷恋它。我们忽略了一个事实,即它并没有做一些真正伟大的事情。换句话说,我们中的一些人可能会觉得智能力量很棒,但我们不确定我们将如何处理它来展示它的强大。
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而,了解其在线性状态下的行为是有用的,这可能发生在驱动器发生故障的情况下,或者出于某些目的,当设计者编程时会发生这种情况。
On Semiconductor 提供的 P 沟道 MOSFET 在电气上类似于 International Rectifier 和 Fairchild Semiconductor 的部件,但安装在公司的无引线 ChipFET 封装中。这些部件的面积为 122×80 mil,与 1206 无源器件或 TSSOP-6 IC 的面积大致相同。例如,25 美分 (10,000) NTHS5441 是一款 20V、3.9A 器件,具有相当的通道电阻:在 –4.5VV GS时最大为 55mΩ –2.5V 时为 83 mΩ。
具有集成功率 FET 的单芯片驱动器提供多种辅助功能,例如固定或可变压摆率控制、过流保护和欠压锁定。这些所谓的智能开关通常安装在比单独的 FET 稍大的封装中,如果我们使用分立器件实现它们,它们提供的功能往往是“部分”的。但是,与单独的驱动器和 FET 不同,使用智能开关,我们需要将控制属性和额定功率正确组合在一个部件中。