日前,英飞凌公司表示已经解决了与Atmel公司关于微控制器专利的侵权纠纷。英飞凌表示,Atmel将支付给英飞凌一笔专利使用费。公司企业专利和法律事务副总裁Michael von Eickstedt表示,“这一结果进一步肯定了我
据《中国能源报》报道,英飞凌科技亚太有限公司与阳光电源股份有限公司日前在安徽省合肥市签署了合作伙伴框架协议备忘录。 这标志着中国光伏逆变器和风电逆变器企业在涉及
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日宣布,公司已与爱特梅尔公司就专利侵权索赔事宜达成和解。英飞凌和爱特梅尔公司一致同意寻求解决所有未决专利侵权索赔事宜。英飞凌与其子公司英飞凌科技北美公司于2011年4月向美国特拉
21ic讯 在下周举行的 PCIM 2013 功率电子贸易展中,英飞凌科技股份有限公司 将展示全新的2EDL EiceDRIVERTMCompact半桥闸极驱动器,该产品适用于阻断电压为600伏的应用。由
英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)和华为技术有限公司今天宣布,双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作,同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。在通信电源和数据中心能源开发领域,
2012年对于中国新能源汽车市场仍然是调整和规划的一年。整体销量并没有大的突破,但是这并不意味着市场停滞和无所作为。整个产业链从上游到下游都在积极思变,以更加理性务实的态度来精耕市场。中国政府也在不断出台
英飞凌科技股份公司和华为技术有限公司日前宣布,双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作,同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。 在通信电源和数据中心能源开发领域,华为选择英飞凌作为其长
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻(Rdyn =
21ic讯 英飞凌科技股份公司日前推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻(Rdyn = 0.19Ω)和超低电容(C = 0.4pF),可使
21ic讯 英飞凌科技股份公司和华为技术有限公司今天宣布,双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作,同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。在通信电源和数据中心能源开发领域,华为选择英飞凌
2013年6月4日,中国深圳讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和华为技术有限公司今天宣布,双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作,同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。在
21ic讯 2013年6月3日,德国纽必堡讯—英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布为台湾电子护照项目提供安全芯片。英飞凌是该项目唯一的安全芯片供应商,已开始装运基于数字安全技术“Integr
21ic讯 英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。 英飞凌科技股份公司首席执行官 Reinhard Ploss博士称:“上一季度,公司营收和利润率出现了喜人的
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。英飞凌科技股份公司首席执行官 Reinhard Ploss博士称:“上一季度,公司营收和利润率出现了喜
NFC(NearFieldCommunication)是以RFID(RadioFrequencyIdentification)标准为基础所衍生的短距离无线通讯技术,工作频段为13.56MHz,通讯采用电磁感应方式。今年智能手机新品可望加速采用结合近场无线通讯(NFC)和其他
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
21ic讯 英飞凌科技股份公司推出了针对要求最高精度、最低能耗和最小空间的汽车和工业应用的霍尔传感器。全新TLE496x传感器提供全球最小的霍尔传感器封装(SOT23)。该产品以英飞凌开发的全新0.35µm工艺技术为基础
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发,以及採用 40nm 製