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[导读]11月20日消息,据媒体报道,三星电子于今年第三季度成功重返全球DRAM市场销售额第一的位置,主要受益于高带宽内存(HBM)出货量的显著增长以及通用DRAM产品价格的持续上涨,推动其销售额创下历史新高。

11月20日消息,据媒体报道,三星电子于今年第三季度成功重返全球DRAM市场销售额第一的位置,主要受益于高带宽内存(HBM)出货量的显著增长以及通用DRAM产品价格的持续上涨,推动其销售额创下历史新高。

根据市场研究公司ChinaFlashMarket(CFM)于11月19日发布的数据,三星电子第三季度DRAM销售额达到139.42亿美元,环比增长29.6%,市场份额回升至34.8%,重新夺回行业榜首。

此前在上半年,受HBM市场短期波动影响,三星电子曾一度失去领先地位;进入下半年后,该公司业务逐步恢复,呈现出强劲复苏态势。

同期,SK海力士以137.9亿美元的销售额位居第二,市场份额为34.4%,与三星电子的差距仅为0.4个百分点,显示出头部厂商之间的竞争依然激烈。美光科技排名第三,销售额为89.84亿美元,占据22.4%的市场份额。

CFM分析指出,三星电子业绩的反弹得益于两大关键因素:HBM供应量的扩大以及通用DRAM价格的持续走强。该公司第三季度HBM位单元出货量环比激增85%,主要由于开始向NVIDIA交付第五代HBM3E产品。此外,人工智能数据中心对内存需求的爆发式增长,导致PC和智能手机等消费级IT设备的DRAM供应趋紧,进一步推高了产品价格。

与此同时,全球内存市场规模也在本季度创下历史新高。第三季度DRAM市场总销售额达到400.37亿美元,环比增长24.7%,同比增幅高达54%。NAND闪存市场同样表现强劲,销售额为184.22亿美元,环比上升16.8%。

在NAND闪存领域,三星电子进一步巩固了其领导地位,实现销售额53.66亿美元,市场份额达29.1%。SK海力士(19.2%)、铠侠(16.5%)、西部数据(12.5%)和美光(12.2%)紧随其后。

CFM预测,由于各应用领域存储器供应持续紧张,加上供应商库存水平维持低位,产品价格有望继续保持强势,第四季度存储器市场规模有望再创新高。

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