个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DRAM厂
外电指出,三星电子(Samsung Electronics)执行长崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示,三星下半年的资本支出也不会减少,且还会高于原先预期,因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画;这象征在
DRAM价格惨跌,也拖累DRAM厂营运表现疲弱,为拯救低迷的营运,各厂也纷纷减少标准型DRAM产能,转向其他利基型产品,希望能摆脱价格波动造成的影响,对此,市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为
三星电子(SamsungElectronics)现在在半导体产业呼风唤雨,但在20年前,三星在DRAM产业也不过是个技术仰赖日本大厂授权的业者,谁也没料想到今日会茁壮成全球记忆体产业霸主,甚至整个集团势力如八爪章鱼般,纵横于科
DRAM价格惨跌,也拖累DRAM厂营运表现疲弱,为拯救低迷的营运,各厂也纷纷减少标准型DRAM产能,转向其他利基型产品,希望能摆脱价格波动造成的影响,对此,市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为,
DRAM价格惨跌,也拖累DRAM厂营运表现疲弱,为拯救低迷的营运,各厂也纷纷减少标准型DRAM产能,转向其他利基型产品,希望能摆脱价格波动造成的影响,对此,市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为,
DRAM价格惨跌,也拖累DRAM厂营运表现疲弱,为拯救低迷的营运,各厂也纷纷减少标准型DRAM产能,转向其他利基型产品,希望能摆脱价格波动造成的影响,对此,市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为,
个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DRAM厂
DRAM价格惨跌,也拖累DRAM厂营运表现疲弱,为拯救低迷的营运,各厂也纷纷减少标准型DRAM产能,转向其他利基型产品,希望能摆脱价格波动造成的影响,对此,市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为,
个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DRAM厂
个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DRAM厂
个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DR
韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元),营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元),与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%,然与2011年第1季相比,虽
据IHS iSuppli公司的研究,DDR3的市场份额稳定在85-90%,2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术,随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右,预计DDR3将占89%,高于
第2季DRAM报价下跌幅度相当大,主要是日本311地震后,下游客户担心断链危机扩大,因此提前拉货,但最后发现PC终端需求低于预期,导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况,且一直到第3季库存水位仍是偏高,因此DR
台塑表示不会放弃DRAM产业,将跨入20纳米微缩制程提高产品竞争力。台塑主管指出,目前50纳米的制程已经没有竞争力;南科与华亚科除由40纳米跨入30纳米的制程之外,更进入一项空前的微缩制程,制程一举由30纳米跨入20纳
据IHS iSuppli公司的内存与存储报告,个人电脑(PC)中的DRAM含量增长速度将出现历史性的下降,2012年以后每台新PC中的DRAM含量的平均年度增长速度将不会超过35%,低于最近25年48%的平均水平。继2009和2010年分别增长3
第2季DRAM报价下跌幅度相当大,主要是日本311地震后,下游客户担心断链危机扩大,因此提前拉货,但最后发现PC终端需求低于预期,导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况,且一直到第3季库存水位仍是偏高,因此DR
笔者感觉最具有冲击力的是瑞萨的演讲。演讲者是田中政树(品质保证统括部MCU品质保证第一部高级专家)(图1)。田中介绍了30~40年前在日立制作所发生的、与DRAM封装的耐湿性相关联的故障。该故障是首次在日立以外的
2008-2009年金融海啸期间,全球记忆体产业风云变色,DRAM厂奇梦达宣布破产倒闭,NOR Flash快闪记忆体厂Spansion飞索也申请重整与破产保护,到了2011年,DRAM厂商持续陷入苦战,也让后段封测供应链跟着起了变化,其中