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存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
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存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
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韩半导体业均认为下半年存储器芯片市况不明
南韩三星电子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半内存芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年内
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韩半导体业大老齐声：下半年存储器芯片市况不明
韩国三星电子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等韩国半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半存储器芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年
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IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
据国外媒体报道，IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，但在高端企
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瑞晶成为30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂
瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事会也通过，向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元，
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IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，但在高端企业基础设施等却有
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瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂
瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事会也通过，向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元，
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茂德产能
连于慧 茂德原本有2座12吋晶圆厂，竹科12吋晶圆厂在2010年卖给旺宏，转而生产ROM和NOR Flash产品线；原本大陆还有一座渝德8吋厂，日前也宣布卖给中国航天，目前旗下仅剩中科12吋晶圆厂。 此座12吋晶圆厂经历20
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世界先进传出价100亿 竞逐茂德中科12吋厂
连于慧／台北 茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后，引进新资金成为当务之急，业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德，或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣，近期已有第1个出价者浮现，记忆体业界传出世界先进出价新台
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IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
据国外媒体报道，IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。 此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，
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2011通讯IC与DRAM境遇两重天
2011年半导体商营收成长将呈现两极化局面。根据ICInsights最新研究预估，2011年全球半导体市场产值成长率仅达2%，但受惠今年智慧型手机和平板等行动装置热销，高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)和辉达(NVIDIA)营收仍可拥
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美光RLDRAM 3 打入阿尔卡特朗讯供应链
美系存储器大厂美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延
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美光RLDRAM 3 打入阿尔卡特朗讯供应链
美系存储器大厂美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RL
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未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术
DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。 2011 年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去年的67%和2009年的24
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未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术
据IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去
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华东科技
李洵颖 从目前的接单能见度来看，华东科技第3季跟第2季差不多，预估仅较第2季小幅成长3~5%，成长力道没有想像中好。至于第4季还不明朗，不过仍有机会逐季成长。整体而言，下半年的营收将较比上半年呈现个位数成长。
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尔必达宣布开始销售采用TSV技术制作的DDR3 DRAM样品芯片
日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术（TSV）制作的DDR3SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相当1GB容量），该
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尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片
日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量)，该三
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台胜科：12寸硅晶圆 Q3涨1~2成
台塑集团旗下矽晶圆厂台胜科（3532）昨（27）日举行股东常会，通过0.4元现金股息，董事长李志村表示，虽然下半年半导体产业前景出现疑虑，但日本强震后半导体矽晶圆供给缺口仍然存在。台胜科已完成与客户议价，预估第
