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HOLTEK新推出HT45R1005电磁炉OTP MCU
Holtek持续精进电磁炉产品技术开发，再推出更具性价比的电磁炉OTP MCU HT45R1005。HT45R1005封装引脚与HT45F0058相互兼容，相较于前代产品提供更丰富的资源，如硬件辅助UL认证功能及台阶电压侦测功能等，同时也保留前代产品优势，如电磁炉所需的硬件保护电路(电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护)、PPG含硬件抖频功能，使电磁炉工作于高功率时，可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰，减少抗EMI元件成本，并通过EMI标准测试。
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IGBT模块吸收电容参数设计，IGBT 模块失效机理分析
IGBT模块将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对IGBT模块的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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IGBT的损耗与结温计算：深入探讨与公式解析
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子领域的核心元件，其损耗与结温的计算对于电路的设计与优化至关重要。本文将从IGBT的损耗类型出发，详细阐述其计算方法，并进一步探讨结温的计算公式与步骤，以期为工程师们提供有益的参考。
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MOSFET与IGBT的定义与特性
MOSFET，全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。它由金属、氧化物（如SiO₂或SiN）及半导体三种材料制成，具有三个主要电极：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
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IGBT和MOSFET的优缺点有哪些
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为两种重要的半导体功率器件，在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点，以下是对两者优缺点的详细分析：
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干货满满！IGBT基础知识汇总
GBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
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你了解IGBT的结构吗？IGBT通态漂移区少子分布仿真分析
在下述的内容中，小编将会对IGBT的相关消息予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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IGBT可以反向导通吗？IGBT和MOSFET到底有哪些区别？
一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT的相关介绍，详细内容请看下文。
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这几款IGBT驱动电路了解吗？IGBT参数设计介绍
在这篇文章中，小编将对IGBT的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
在电力电子技术的快速发展中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件，广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高，因此，现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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NTC热敏电阻如何测量IGBT结温？NTC热敏电阻的接线方法介绍
在下述的内容中，小编将会对NTC热敏电阻的相关消息予以报道，如果NTC热敏电阻是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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IGBT等效电路见过吗？IGBT开通过程分析
在这篇文章中，小编将对IGBT及其开通过程的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对IGBT的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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IGBT工作原理详解！分析IGBT模块过电流损坏是如何造成的！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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IGBT转移特性曲线、过电压损坏和静电损坏分析
在这篇文章中，小编将为大家带来IGBT的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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大佬带你看IGBT：IGBT短路性能、寄生导通讲解
本文中，小编将对IGBT予以介绍，如果你想对IGBT的详细情况有所认识，或者想要增进对IGBT的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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IGBT模块主要参数有哪些？IGBT对栅极驱动电路有哪些要求？
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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最强梳理！IGBT原来是这么玩的
IGBT的发展对于很多行业都有益，但是在相当长的一段时间里，IGBT的核心技术都被国外企业牢牢地把在手里。“核心技术之痛”依然横亘在我们面前，在IGBT全球市场中，西门子旗下的子公司英飞凌占有率全面领先，IGBT分立器件和IGBT模块的市占率分别为29.3%和 36.5%。
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IGBT的主要参数及其工作原理
IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种高效能的功率半导体元件，在能源转换和控制领域的作用日益凸显。
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IGBT功率半导体器件主要参数
如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。
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如何并联使用IGBT？电流计算公式+影响图例！
一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT并联使用的相关介绍，详细内容请看下文。
