意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能

2024 年 11月 13 日，中国——意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。

STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、直流-直流转换器和太阳能逆变器。

STGAP3S 产品系列为开发者提供不同的产品型号选择 ，其中包括驱动电流 10A 和 6A的产品，两种产品都具有不同的欠压锁定 (UVLO) 和去饱和干预阈值，帮助设计人员选择与其所选的SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关管性能最匹配的驱动器。

去饱和保护功能实现了对外部功率开关管的过载和短路保护，可以使用外部电阻调整功率开关管的关断策略，调整关断速度来最大限度地提高保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。

驱动器集成的米勒钳位架构为外部 N 沟道 MOSFET 提供一个预驱动器。因此，设计人员可以灵活地选择合适的干预速度，以防止感应导通，并避免交叉导通。

现有的产品型号包括驱动能力10A 拉/灌电流和6A拉/灌电流的驱动器，针对 IGBT 或 SiC 优化的去饱和检测和 UVLO 阈值，让开发者所选的功率开关发挥极致性能。去饱和、UVLO 和过热保护的故障情况通过两个专用的开漏诊断引脚通知控制器。

STGAP3SXS现已投产，采用 SO-16W 宽体封装。询价和申请样片，请联系当地意法半导体销售办事处。