IGBT常用的过流保护措施有哪些？IGBT开关特性解读

一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT的相关介绍，详细内容请看下文。

一、IGBT的开关特性解读

IGBT的开关机理与VDMOS完全一样，由MOS栅来控制其开通和关断。所不同的是IGBT比VDMOS在漏极多了一个PN结，在导通过程中有少子空穴的参与，这就是所谓的电导调制效应。这一效应使得IGBT在相同的耐压下的通态压降比VDMOS的低。由于在漂移区内空穴的存在，在IGBT关断时，这些空穴必须从漂移区内消失，与VDMOS的多子器件相比，IGBT双极器件的关断需要更长的时间。

各个厂家对于Eon和Eoff的起始标准可能有所差异，对比时，最好进行统一，当然最好能够进行实际的实验对比，这样较为科学和可靠。

IGBT的主要开关参数：

①开通时间 (td(on)+tr) —器件从阻断状态到开通状态所需要的时 间

②关断时间 (td(off)+tf) —器件从开通状态到阻断状态所需要的时 间

③开通能量(Eon)—器件在开通时的能量损耗

④关断能量(Eoff)—器件在关断时的能量损耗

二、IGBT常用的过流保护措施

IGBT发生短路时，电流上升至4倍额定电流以上，最终IGBT是要将这个电流关断掉的，这时的电流的数值比平常变流器额定工作时的电流高了很多，所以此时产生的电压尖峰也是非常高的。为了防止电压尖峰损坏IGBT，还需要引入我们昨天聊过的电路——有源钳位电路，但并不是所有的驱动电路都需要配备有源钳位功能，容量比较大的IGBT，就比较有必要配置此电路。

下面我们简单地介绍下常用的过流和保护措施：

1、小功率IGBT模块

对于小功率IGBT模块，通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流，从而判断过电流故障，通过电阻检测时，无延迟;输出电路简单;成本低;但检测电路与主电路不隔离，检测电阻上有功耗，因此，只适合小功率IGBT模块。比如：5.5KW以下的变频器。

2、中功率IGBT模块

中功率IGBT模块的电流检测与过流、短路保护，一种方法是仍然采用电阻检测法，为了降低电阻产生功耗及发热生产的影响，可把带散热器件的取样电阻固定在散热器上，以测量更大的电流。

3、中、大功率IGBT模块

对于大、中功率IGBT模块的电流检测与过流保护常采用电流传感器。但需注意要选择满足响应速度要求的电流传感器。由于需要配置检测电源，成本较高，但检测电路与主电路隔离，适用于大功率的IGBT模块。保护电路动作的时间须在10us之内完成。

以上便是小编此次带来的有关IGBT的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。