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[导读]在下述的内容中,小编将会对IGBT的相关消息予以报道,如果IGBT是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

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一、IGBT控制信号

绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等优点,在电力电子领域得到了广泛应用。

IGBT(绝缘栅双极晶体管)的控制信号主要是电压信号,具体来说是施加在IGBT栅极(G)和发射极(E)之间的电压。IGBT是一种电压控制型器件,其导通和关断状态由栅极电压控制。

1、控制信号的特性

电压控制 :IGBT的栅极电压决定了其是否导通。当栅极电压高于某个阈值电压(通常为几伏特)时,IGBT开始导通,允许电流从集电极(C)流向发射极(E)。当栅极电压低于阈值或为零时,IGBT处于截止状态,阻止电流流动。

高输入阻抗 :由于IGBT的栅极是通过一层绝缘层与沟道隔离的,因此它具有很高的输入阻抗,这意味着栅极电流非常小,几乎可以忽略不计。这使得IGBT在控制上更加高效和节能。

2、控制信号的来源

控制信号通常由外部电路或控制器产生,并通过适当的接口电路施加到IGBT的栅极上。这些控制器可以是微处理器、数字信号处理器(DSP)或其他类型的逻辑电路,它们根据系统的需求生成控制信号以调节IGBT的导通和关断状态。

3、控制信号的作用

精确控制 :通过调整栅极电压的大小和波形,可以精确控制IGBT的导通程度和开关速度,从而实现对电路中电流和电压的精确控制。

保护功能 :在电路中出现过流、过压、过温等异常情况时,控制器可以迅速调整栅极电压以关闭IGBT,从而保护整个系统的安全。

二、电流对IGBT的关断有什么影响

IGBT开始关断时,即t=0时刻,J2结耗尽层承受电压很小,所以xd≈0,由上节可知, ΔI=IMOS。进而,推导出ΔI与I0的比值K,如下式所示:

=1/(1+β)

IGBT的BJT部分电流增益系数G,如下式

其中,J0为BJT集电极电流密度, AE为BJT发射极接触面积,WC为BJT集电区宽度。

电流增益α与电流增益系数G的关系是α∝G

BJT电流放大系数β与电流增益α之间的关系如下式

由上式可知,G与集电极电流密度J0成反比,即与Ic大小成反比;α随IC的增大而减小;BJT电流增益α减小,电流放大系数β随之减小。所以,随BJT集电极电流Ic的增大,β 减小;BJT集电极电流Ic增大,IGBT电流I0随之增大。因此,得出随IGBT电流I0增大,β逐渐减小。进而,K增大,所以相同电压下,电流增大,K随之增大。即ΔI占I0比例增大,拖尾电流占总电流I0的比例减小,进而关断时间缩短。

由于Ic与BJT集电极电流密度J0成正比,得

α ∝ 1/Ic

上式可以看出,当电流较小时,K相对于Ic的变化率较大,当电流较大时,变化率较小。所以,当Ic变化量相同时,K的变化量随Ic的增大而减小。因此,随着电流的增大,ΔI所占总电流比例的变化率dK=dIc逐渐减小。基于相同电压下,随电流增大,ΔI占总电流比例增大,关断时间减小的结论,得出电流较小时,关断时间减小速率较大,而电流较大时,关断时间减小速率较小。

最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对IGBT已经具备了初步的认识,最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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