【新闻要点】 * 风河被行业专家誉为NFV平台软件的领导者。 * 风河的TItanium Cloud计划快速扩大,最近增加Check Point、ConteXtrea
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为
在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中,东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计者来说,更低的导通电阻意味着更低的传导损耗
历经2015年LED照明市场的沉浮发展,灯丝灯成为市场关注的焦点。今天,小编为大家带来的是:晶丰明源高性价比灯丝灯可控硅调光解决方案。 BP3216灯丝灯可控硅调光方案解决了哪些
想要普及LED灯具,不仅需要大幅度降低成本,更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题,PowerIntegraTIons市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计的心
1、SiC-MOSFET模块 如今,对高效的功率能量转换的需求催生了全SiC-MOSFET模块,它由并联的SiC-MOSFET和SiC二极管芯片组成。在参考文献[1, 2, 3,
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 (Analog
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 (Analog
Ian Moulding - Diodes 公司汽车营销经理 以前曾多次提及,汽车电子环境非常严苛!如图 1 所示,由于负载瞬态和感应场衰变,汽车的额定电池电压可在 -12V DC (在
支持ASIL-B的新产品设计用于具有高功率电感性负载的汽车应用 美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems,LLC宣布推出两款全新N沟道功率MOSF
什么是输出电流提高11 %的30 V MOSFET半桥功率级模块?它有什么特点?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。
全球IDM(整合元件制造)业者持续抢攻车用电子新蓝海,英飞凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重点业务皆聚焦汽车相关产品,对于功率半导体、功率模组、模拟IC、中高阶MOSFET(金氧半场效
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。
你知道解析功率场效应管保护电路设计的方法吗?它有什么作用?什么是保护电路
Allegro MicroSystems公司的A6862是N沟功率MOSFET驱动器,具有三个独立的浮置栅极驱动输出,集成的电荷泵控制器稳压器在电源电压降至4.5V时有足够的栅极驱动电压大于7.
On Semi公司的STK984-190-E是用于下一代汽车无刷直流系统的汽车功率集成模块(PIM),包含6个40 V/30 A MOSFET配置为一个三相桥,及一个额外的40 V/30 A高边
随着政府强制禁用白炽灯的法令已经开始严格执行,LED 照明市场持续增长,然而在寻求有效设计电源系统以实现 LED 小型化方面仍然存在不少挑战。诸如双向可控硅调光控制、应对全球良莠不齐的电源线路法
英飞凌科技股份公司为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。
双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率,所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %