MOSFET
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明纬电源“1+1”并机冗余设计
全彩LED小间距显示屏能在更小的屏体上，显示更真实的效果，应用范围越来越广泛，特别在一些特殊应用场合，例如剧场剧院、大型演出、国际赛事现场直播与重要视频会议等。显示屏的高可靠性、低故障、免维护的特性也是受到人们青睐的主因之一。传统冗余电源接法是由2个或多个电源于正端分别串接二极管的方式并联输出至电源总线上。可以让1个电源单独工作，也可以让多个电源同时工作。当其中1个电源出现故障时，由于二极管的单向导通特性，不会影响电源总线的输出。
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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–
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IGBT工作原理解析
什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成员之一，有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。那么，IGBT是如何完成开关过程的?
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SiC MOSFET在汽车和电源中的应用
科学技术的不断发展推动者电子元器件的不断革新，传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。
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安森美推出宽禁带器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作
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东芝面向中大电流IGBT/MOSFET，推出内置保护功能的光耦
中国上海，2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。
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英飞凌推出600 V CoolMOSTM S7
对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模块问市
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
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CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能模块
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。
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性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET
【2020年3月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。
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英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品，籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷
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Vishay高效80 V MOSFET，优值系数达到最佳
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。
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Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET，RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，降低便携式电子设备功耗
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
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Vishay推出高效80V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK®SO-8单体封装，导通电阻降至2.35mW，栅极电荷为55nC，COSS为614pF
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Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF。
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智能电源方案用于数据中心，减小尺寸、增强可靠性并降低运营成本
身处社会，我们每天都在创建、使用和分享前所未有的数据，无论是在我们的个人生活中还是在我们工作的时候。
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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年1月14日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
