MOSFET
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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
东芝今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET
为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
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Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件。
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恒流源电路基础介绍
恒流源由信号源和电压控制电流源(VCCS)两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成(DDS)技术，即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。本系统采用DDS集成芯片AD9830，其内部有两个12位相位寄存器和两个32位频率寄存器。在单片机的控制下对相应的寄存器置数就可以方便得到2MHz以下的任意频率和相位的输出，其中频率精度为1/ 2 32，相位分辨率为2π/2 12，输出幅度也可以在一定的范围内调节，因此能满足系统多频激励(10kHz～1MHz)的要求。
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SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。
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LED灯具驱动电源技术
繁华的城市离不开LED灯的装饰，相信大家都见过LED，它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方，也照亮着我们的生活。要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。
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LED驱动设计注意事项
随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。对于新手来讲LED驱动设计其实并不是一件容易的事儿，针对这方面问题小编特别总结了设计达人的一些在工作中需要注意的问题和亲身的设计心得进行分享。
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新的功率MOSFET-SQJQ402E
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封装40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装，实现大电流，并能节省空间和功耗的方案。
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国产芯片真金质!基本半导体挑战极限高温测试“火”力全开
挑战骄阳火焰山，何须芭蕉借又还。 国产芯片真金质，不惧火炼过楼兰。
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针对高耐用性和可靠性电源需求，意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器
中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
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意法半导体推出600V三相智能关断栅极驱动器，提高工业应用性能和安全性
中国，2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。
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ROHM开发出节能优势显著的升降压型DC/DC转换器“BD83070GWL”
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备，开发出一款内置MOSFET的升降压型DC/DC转换器*1)“BD83070GWL”，该产品实现了超高效率和超低消耗电流。
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耗尽型模拟开关：无电源也能高性能连接
耗尽型MOSFET开关，一度不那么受欢迎，且常被视为典型的增强型FET的同属，却在最近几年中越来越受欢迎。安森美半导体投入该技术，开发出越来越多的耗尽型模拟开关系列。这些开关越来越多地用于很好地解决工程问题。此博客将使读者更好地了解这些实用的器件的能力，并介绍方案示例。
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安森美半导体和格芯合作转让纽约东菲什基尔300mm晶圆厂的所有权
安森美半导体公司(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半导体收购GLOBALFOUNDRIES位于纽约东菲什基尔(East Fishkill, New York)的300 mm晶圆厂达成最终协议。此次收购总代价为4.3亿美元，其中1亿美元已在签署最终协议时支付，其余3.3亿美元将在2022年年底支付，之后，安森美半导体将获得该晶圆厂的全面运营控制权，该厂的员工将转为安森美半导体的员工。此交易的完成取决于监管机构的批准及其它惯例成交
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在LLC拓扑中，为什么选用体二极管恢复快的MOSFET
在当前全球能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理方面，用传统的硬开关转换器是很难达到新能效标准。因此，电源设计者已将开发方向转向软开关拓扑，以提高电源的能效，实现更高的工作频率。 LLC谐振转换
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