MOSFET

意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半导体产品的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDm

LTC4366浪涌抑制器工作原理详解

LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持运

AnalogicTech推出低阻抗半桥MOSFET驱动器AAT4910

解决SMPS难题

电源能效对环境的影响问题越来越受到世界范围的关注，致力于自然资源保护的全球各国政府和标准化制定机构已相继推出各项措施，积极推广高能效电源。美国加州能源委员会(CEC

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列

功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池

Fairchild 新型有源桥解决方案为基于IoT的以太网供电 设备提供业界最佳的性能

GreenBridge 提供的热性能、效率和尺寸优势都要优于 POE PD 中使用的二极管高性能半导体解决方案全球领先供应商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天发布了FDMQ8205，这增强了其业

LTC4366高压浪涌抑制器应用深入讲解（独家收录）

LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持运

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)近日发布集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。

电池充电器 反向电压保护

处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。

电源设计小贴士 29：估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分

关于智能负载切换有助于实现可靠的热插拔系统

服务器、磁盘阵列和其他高可用性系统几乎无一例外被要求在无需关闭供电系统的情况下更换功能模块。系统工作时更换模块通常被称为热插拔。能够提供热插拔功能的一个关键因素

LTC4366高压浪涌抑制器实例应用讲解（独家）

LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持

Keithley技术文献：半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型

LTC4366浪涌抑制器入门简介

概述：LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以

飞兆半导体的80 V MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7

电源设计小贴士46：正确地同步降压FET时序

由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要，

隔离式3.3V转5V转换器的分立设计

隔离式3.3V到5V转换器通常用于远距离数据传输网络，这种网络中总线节点控制器由一个3.3V电源工作以节省电量，而总线电压为5V,以保证在远距离传输过程中的信号完整性并提供

具高级输入和负载保护功能的10A μModule降压型稳压器

引言 总线电压浪涌不仅对DC/DC转换器构成危险，也对负载带来威胁。传统的过压保护方案采用熔丝，其动作速度和可靠性均未必足以保护诸如FPGA、ASIC和微处理器等负载。一种

为您的电源选择正确的工作频率——电源设计小贴士

欢迎来到电源设计小贴士！随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理课题提出一些对您有帮助的小技巧。该专栏面向各级设计工程