【导读】开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。 摘要: 开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案。这系列创新S
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成,显着提升高压应用的系统效率,并提供最大功效,帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计21ic讯 美高森美公司(Micros
Allegro MicroSystems, LLC 宣布推出新型 N 通道功率 MOSFET 驱动器,能够通过控制相内隔离 MOSFET 以隔离三相负荷。Allegro ’的 A6861 电动机驱动器 IC 适用于必须
凌力尔特(Linear Technology Corporation日前发表一次侧、电流模式 PWM 控制器 LT3753 ,该元件 特别最佳化以用于同步顺向转换器并具备主动箝位重设。 LT3753 可作业于8.5V至100V的输入电压范围,提供高达95%的效率,
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD(表面贴装)封装:ThinPAK 5x6。移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费
MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间
由于电子产品的风靡,能够用多种电源供电的设备已经屡见不鲜了。例如,工业手持式仪表或便携式医疗诊断设备大部分时间用电池供电,但一旦插入交流适配器或 USB 端口,就从
器件的RDS(ON)比前一代器件低53%,TSOP-6封装的占位面积小55%21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N
电路图设计注意事项Intel 移动电压定位 6.5 (IMVP-6.5) 规范为使用此平台的 Intel® 处理器提供了电源管理信息。德州仪器 (TI) 提供的集成解决方案完全符合专门用在低功
MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑
中国证券网讯(记者 王伟丽) 华微电子29日晚间公布的一季报显示,营业收入279,117,406.06 元,同比增长9.07%,净利润12,491,472.78元,同比增长2.52%。每股收益0.02元,与上年同期持平。2013年度国内新型LED 光源、
采用PowerPAK® SC-70封装,2mm x 2mm占位面积可显著节省空间日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、1
根据美国商业资讯报导,东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半导体和储存產品公司今天宣布,该公司推出小型SO6封装的光电藕合器。新產品TLP3905和TLP3906即日起投入量產。光电藕合器采用不含MOSFET晶片的光控
所有关于医疗应用的产品在要求高可靠性的同时,仍然需要提供终端用户想要的新技术与功能。由于各医疗设备公司及其最终应用间的竞争愈来愈激烈,功能急剧增加,但是并未考虑到另外一个可能带来产品失败的因素。所有这
[导读] 介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 关键词:保护电路CPL
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、
由于电子产品的风靡,能够用多种电源供电的设备已经屡见不鲜了。例如,工业手持式仪表或便携式医疗诊断设备大部分时间用电池供电,但一旦插入交流适配器或USB端口,就从交流
[导读] 基于最近的趋势,提高效率成为关键目标,为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比,超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄