MOSFET
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如何减少电源损耗实现电源效率最大化
我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗：下一步是利用上述简单表达式，并将其放入效率方程式中：这样，输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成)。这种优化可产生一个有趣的结果。当输出电
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如何减少电源损耗实现电源效率最大化
我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗：下一步是利用上述简单表达式，并将其放入效率方程式中：这样，输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成)。这种优化可产生一个有趣的结果。当输出电
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MOSFET驱动器介绍及功耗计算
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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MOSFET驱动器介绍及功耗计算
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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30V车用 MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为
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30V车用 MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为
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汽车用功率 MOSFET 专用系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO
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基于TPS759XX多片信号处理系统的电源设计
以功率因数控制芯片MC33262 为核心,设计了一种宽电压输入范围、固定升压输出的150 W 的AC/ DC 变 换器. 对该变换器用有源功率因数校正(APFC) 技术、MC33262 芯片的原理和结构做了详尽的分析和讨论. 实验结果表明所设计的以MC33262 为核心的有源功率因数校正器能在95～250 V 的宽电压输入范围内得到非常稳定的400 V 直流电压输出,并使得功率因数达到0. 99 以上,总谐波畸变降低至6 %.
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半导体激光管(LD)的电源设计
半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求
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150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
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150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
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采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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半导体激光管驱动电源设计与实现
为提高半导体激光器光功率输出稳定性，并保证激光器安全、可靠工作，设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC／DC方式，输出效率高；驱动电路可以产生200 kHz触发脉冲，降低了输出电流的纹波，保证激光器输出功率稳定；驱动电路带有过压比较器及过流比较器，保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明：该驱动电源在20 A工作时效率达到85％以上，纹波小于5％。
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采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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月产能全满载 元隆将亏转盈
中小尺寸晶圆代工厂元隆电子总经理陈弘元表示，元隆6吋厂产能已全部满载，由于今年包括金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）等模拟IC需求强劲，下半年已陆续与客户洽谈调涨报价事宜。 元隆完成减资及私募后，
