MOSFET
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RS推出1200种三洋半导体产品
S Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AH
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3.3x3.3mm MLP封装的25V MOSFET FDMC7570S(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。FDMC7570S是采用3m
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RS推出1200种三洋半导体产品
S Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导
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适用于ORing和电机驱动应用的PQFN封装MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采
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超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用
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超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用
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BUCK电路拓扑
BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。 D：续流二极管。 L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算 1.T，D均为理想器件 2.L较大，使得在一个周期内电流连续且无内阻 3.直流输出电压
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热插拔控制器的应用
“热插拔”是指将板卡从加有电源的主机（背板、服务器等）上插入或拔出,主要应用在基站、磁盘冗余阵列（RAID）、远程接入服务器、网络路由路、网络交换器以及ISDN等系统。当板卡插入主机时,主机已处于稳态工作状态,所
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MAX15041应用电路
MAX15041是低成本、内置开关的同步DC-DC转换器，可提供高达3A的输出电流。MAX15041工作在4.5V至28V输入电压范围，输出电压范围为0.6V至VIN的90%，可由两个外部电阻设置。MAX15041理想用于分布式电源、预稳压、机顶盒
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MAX15041应用电路
MAX15041是低成本、内置开关的同步DC-DC转换器，可提供高达3A的输出电流。MAX15041工作在4.5V至28V输入电压范围，输出电压范围为0.6V至VIN的90%，可由两个外部电阻设置。MAX15041理想用于分布式电源、预稳压、机顶盒
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MAX15041应用电路
MAX15041是低成本、内置开关的同步DC-DC转换器，可提供高达3A的输出电流。MAX15041工作在4.5V至28V输入电压范围，输出电压范围为0.6V至VIN的90%，可由两个外部电阻设置。MAX15041理想用于分布式电源、预稳压、机顶盒
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基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
1 引言 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321
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基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
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25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列(英飞凌)
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS? 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计
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基于提高太阳能逆变器的转换效率的解决方案
I. 引言/摘要 由于对可再生能源的需求，太阳能逆变器 (光电逆变器) 的市场正在不断增长。而这些逆变器需要极高的效率和可靠性。本文对这些逆变器中采用的功率电路进行了考察，并推荐了针对开关和整流器件的最佳
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500V和600V的单N沟道MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段
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NexFETTM：新一代功率 MOSFET
1对于理想开关的需求功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时间通常较长，因此装置的成本、尺寸及导通电阻
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利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
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利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
