三星跳电 NAND、DRAM停止报价
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DRAM龙头大厂三星半导体24日下午生产线意外跳电，旗下位于企兴（Kiheung）的12吋厂与8吋厂，分别负责生产NANDFlash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟，由于情形不明，厂商相继缩手，同步停止DRAM、NANDFlash报价。三星内存颗粒供应量高居全球第一，龙头大厂产能中断无疑对DRAM、NANDFlash供应雪上加霜。
DRAM供不应求情况恐怕将雪上加霜！三星半导体昨日下午惊传跳电，三星旗下企兴厂不明原因间歇性跳电，内存模块厂商表示，跳电的生产线为一条新的12吋产线，以及一座旧的的8吋厂，其中12吋厂以生产NANDFlash为主，8吋厂则是主攻利基型DRAM，跳电时间长达30分钟至40分钟。
消息来源指出，三星的生产线集中在2大厂区，其中之一就是昨日下午跳电的企兴厂，由于三星的电力供应是连结整个厂区，消息来源指出，电力中断实际上是牵涉到5条线至6条线的电力供应，在状况不明之下，厂商已经暂时停止报价，待今日状况进一步明朗之后，再作打算。
国内颗粒业者表示，三星跳电的DRAM生产线并非主流规格，主要以生产静态随机存取内存（SDR），以及DDR1为主，因此对于大宗标准型DRAM冲击不大，主要冲击应该会落在NANDFlash供应上，况且半导体厂都有不断电系统，暂时性的电力中断应该可以在几个小时之内，恢复生产。
内存模块厂商分析，由于状况不明，市场预期缺货心理冲击，会比实际短少的产能更大，在预期拿不到货之下，是不是会刺激厂商更积极抢货，还有待观察。
三星半导体发言管道昨日则表示，电力暂时中断对整体的产能供应影响并不大，然国内的内存模块厂、颗粒厂仍密切注意三星跳电对产业造成的冲击。
三星为NANDFlash、DRAM龙头大厂，原本今年供应就属于短缺状态，三星间歇性跳电意外对今年供需再添变量，NANDFlash、DRAM概念股将强势反应。
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