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[导读]全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,在NANDFlash业者原先对于2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影响NA

全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,在NANDFlash业者原先对于2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影响NAND产能调配等因素下,2013年第四季NANDFlash品牌供应商营收较第三季下滑4.5%,来到61亿6,800万美元。

2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少,因此第四季营收较2012年同期增加16%;DRAMeXchange表示,随着先进制程的良率改善与快速导入嵌入式产品,整体产业依旧维持稳健向上的格局。

以第四季NANDFlash品牌厂商营收排行来看,三星(Samsung)营收为24亿5千7百万美元,市占率小幅提升至39.8%,维持领先;东芝(Toshiba)营收约为15亿4,200万美元,市占率小幅衰退至25%,排名第二;美光(Micron)营收为9亿5,700万美元,排名第三。排名第四的SK海力士受到无锡厂火灾后部分NAND产能挪移至DRAM,营收下滑至7亿3,000万美元,市占率为11.8%;英特尔(Intel)排名第五,营收为4亿8,700万美元,市占率为7.8%。

三星电子高阶智慧型手机出货不如预期影响相关MobileNAND表现,第四季NANDFlash季营收仅较第三季增加1.8%,第四季平均销售单价下滑接近10%,单季位元出货也仅有5%的成长。在制程转进上,三星电子现阶段的eMMC、eMCP与SSD全力转进19奈米外,3-bitMLC的嵌入式应用也已顺利打入几个主要个人电脑与手机制造商的供应链。

而三星先进制程1Z奈米的产品也预计将从第二季开始量产、3D-NAND的企业级固态硬碟则是已经在第四季顺利送样给云端运算供应商测试,未来生产3D-NANDFlash的基地主要将放在本季开始运转的中国西安厂,考量到云端运算所带动伺服器固态硬碟的需求强劲,三星2014年NANDFlash的策略重点将从过去以行动装置为主的eMMC,转向企业级固态硬碟。

东芝电子第四季受到旺季不旺影响,NANDFlash营收较第三季衰退将近15%,达到15.42亿美元,主要策略性客户出货表现不如预期;而第四季供过于求的市况也让平均销售单价跌幅高于预期,营收衰退的幅度较为明显。

从制程转进的角度来看,第四季东芝顺利从19奈米转往A-19奈米后,产出比重与良率可望自本季开始逐月改善,A-19奈米的嵌入式产品(EmbeddedProduct)也将从第二季开始量产,将有机会带动营收成长;同时东芝为了分散客户过度集中的风险,积极争取更多笔电与行动装置OEM订单。

根据SK海力士第四季营运报告,受到2013年9月份无锡厂火灾后产能移转的影响,SK海力士第四季NANDFlash营收为7.3亿美元,较第三季衰退17%,位元出货量也因此季减14%,而SK海力士第四季平均销售单价较第三季下滑5%,主要因素来自于高容量eMMC的销售比重持续攀升的关系。

TrendForce预期海力士因火灾移转到DRAM的NANDFlash产能将自今年第一季开始逐步回升,目标将在下半年之前恢复到去年火灾前的水准。在策略上,SK海力士的16奈米eMCP与eMMC也已开始送样,预估自第二季开始量产。同时海力士也将加速自行开发相关的NANDFlash控制晶片来提升eMMC与SSD的产品竞争力。

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