不过为什么这些上游厂商随心所欲,从外人看来似乎把增产和减产当成是儿戏?或许下面这几点是它们能够决定内存市场的底气。
面对市场的下行压力,中国尚在起步阶段的存储器行业要实现自己的梦想,就需采取更为灵活的策略来应对。12月24日,紫光存储科技有限公司与群联电子股份有限公司建立的战略联合就是一个可供业内参考的范本。
近来,DRAM和NAND Flash全球价格双双下跌。对于存储芯片厂商来说,这个冬天不好过,有的紧衣缩食,有的报团取暖。展望2019年,存储器产业是否还会持续低迷?
英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实现长达 10 年的记忆期,并可在超过 106 个开关周期内实现持久性。并且英特尔在其 22 FFL 工艺中,描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋转移力矩) 非易失性存储的关键特性。英特尔称之其为“首款基于 FinFET 的 MRAM 技术”。
美光公司今天发布了截至11月29日的2019财年Q1季度财报,当季营收79.1亿美元,同比增长16%,毛利率达到了58%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。
大联大品佳代理的华邦电子的利基型动态随机存取内存专注中低密度,以高性能和高速度的特点,成为在消费、通信、计算机周边、工业和汽车市场被广泛地使用的领导品牌。完整的动态随机存取内存解决方案经过AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001认证,可提供给工业、汽车和其他的客户应用。
ICInsight认为,作为拉动DRAM需求的主要动力的大规模数据中心服务器出货量已经开始缓解,同时PC市场的疲软和贸易战的不确定因素,将会使得DRAM市场在2019陷入停滞甚至衰退,他们初步预测其将会缩减1%。
NAND Flash方面,威刚认为,在价格及新技术逐步成熟驱动下,预期2019年SSD市场渗透率及使用容量都将大幅提升。
对于存储器价格的看法,陈庆文表示,下半年NAND Flash价格开始转跌,紧接着DRAM现货价也开始下跌,进入第四季度之后,DRAM合约价也跟进下跌,拖累DRAM模组跌幅扩大,明年两大存储器产品跌势难挡,DRAM价格恐将下跌30%,NAND Flash跌幅将较DRAM更为扩大。
MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始,一直持续到现在,正酝酿下一波价格调涨。与此形成鲜明对比的是,前一段时间不断涨价的DRAM开始走下坡路了!据集邦咨询的最新报告,第四季DRAM合约价二次下修,2019年第一季跌幅持续扩大。
韩国智库韩国经济研究院(KERI)创新成长部负责人Lee Sang-ho说:“如果芯片出口崩溃,韩国经济将遭受重创。”他表示这种情况不一定会发生,但认为随着经济对半导体出口的依赖加深,这凸显出寻求替代成长引擎的迫切。
受到价格停滞的影响外,三星客户的投资也开始趋缓,这让三星开始调整第四季的位元成长率(Bit Growth)预期值,最坏的可能是把DRAM的预期值调整为0%。
全球顶级资产管理公司已出清三星的持股,但仍看好半导体行业,只是转投台积电的股票。
此前有报道称10月份DRAM内存现货价格终于降价了,4GB及8GB内存模组降幅约为10%,预计2019年还会再降20%,内存市场将迎来拐点。不过今年Q4季度即便内存降价,前三个季度的内存依然是上涨,所
历经9个季度的价格走扬,DRAM价格今年第4季起开始反转走跌,结束产业的上升循环。展望明年,南亚科、华邦电与威刚均看好新应用将会持续推升DRAM需求动能,对明年产业发展并未太过悲观看待,且南亚科与威刚认为,明年DRAM价格将持稳缓跌,华邦电则点出未来2、3季为观察产业后市的关键时期。
DRAM和NAND芯片的平均售价(ASP)将在今年第四季度持续下跌。该公司还预计,2019年这两类产品的平均售价与今年相比,也将会有大幅下降。