MOSFET酝酿下一波涨价 DRAM跌幅却持续加大

MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始，一直持续到现在。到了2018年，MOSFET产能继续大缺，下半年出现缺货潮，ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能，台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季订单全满，接单能见度直至年底，正酝酿下一波价格调涨。

据了解，MOSFET的这波涨价主要由于上游晶圆代工厂产能有限，加之需求市场火爆，引发缺货潮。业界预料以目前MOSFET缺货情况判断，供给吃紧可能持续至2019年上半年。这其中，汽车及工业应用对MOSFET需求上涨是一方面推手，另一方面，大型企业重新聚焦于更高端、毛利率更高的产品，如汽车及工业应用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET与IGBT的交期增加至6个月以上，这为MOSFET的供应紧张更加了一把火。

另外，据12.3日消息，G20峰会之后，中美贸易紧张情势趋缓，晶圆与MOSFET在市场持续供不应求，缺货情况继续发酵，再度成为资金追逐焦点，激励晶圆和MOSFET的股价上涨。

晶圆厂环球晶透露，至9月底预收款高达220亿元新台币，较第2季增加88亿元新台币，并创下历史新高纪录，显示客户需求强劲。环球晶预期，明年平均单价将高于目前水平，2020年报价将持平或小幅上扬。MOSFET厂杰力预期，明年上半年MOSFET市场仍将维持供不应求热况，产品还有涨价空间。

与此形成鲜明对比的是，前一段时间不断涨价的DRAM开始走下坡路了!

据集邦咨询的最新报告，第四季DRAM合约价二次下修，2019年第一季跌幅持续扩大。

报告中指出，今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下修的状况，以目前成交方式来看，已有部分比重的合约价改以月(monthly deal)方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

以今年11月来看，4GB与8GB的价格除了高价仍有维持之外，在中低价都已调降，主流模组4GB的均价较10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均价由上个月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。

观察今年第四季DRAM平均销售单价有近8%的跌幅，其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最，季跌幅都接近10%;而行动式存储器由于先前缺货时涨价幅度较小，因此第四季的跌幅相对较小，仅约5%。

展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供给面较2018年第四季持续增加，主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加，以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季，加上2019年第一季智能手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱，恐将造成行动式存储器价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看，明年第一季跌幅较今年第四季更为显著恐怕是不可避免的状况。

供给增加、需求更趋弱化，DRAM整体市况将持续走弱，看来短期内，DRAM是逃不脱跌跌不休的命运了。