根据此前的报道,今年三季度以来,内存市场价格已经下降一成,而四季度还将在下降,到明年年初,闪存市场还有25%-30%的降幅。受到智能手机发展停滞、服务器存在出货量不确定以及英特尔处理器缺货的影响,主要DRAM闪存制造商将会出现供过于求的情况。
内存在2016年之后经历了一波暴涨,在2017年处于高位,其高昂的价格让大家苦不堪言,不过今年内存的价格算是跌了一点,好歹不那么恐怖了。而根据统计机构最新的预测,2019年的内存价格将会下降15%-20%。
全球市场研究机构集邦咨询针对2019年科技产业发展,发布十大科技趋势:
韩国科技大厂三星日前发布了第3季财报,其第3季营收达154.7亿美元,较2017年同期大涨20%以上,创造历史新高纪录。不过,因为移动业务的业绩下滑,三星第3季的获利大增主要仍是依赖半导体事业的加持,其贡献度超过80%以上。而在市场预期半导体景气将反转的情况下,三星为了阻止存储器价格下滑将降低2019年的扩产计划,预计三星的整体资本支出将下滑8%之外。其中,在DRAM的投资大砍20%,以维持市场价格的高水位。
报道进一步指出,三星2019年针对存储器的投资总体会减少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分,三星的投资仍将持续增加。
日前有韩国媒体《Business Korea》分析,SK海力士这间M15工厂落成后,可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示,DRAM占80%的销量,NAND Flash则仅占18%,和三星电子60:40的比重来比,SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
我们知道,近年来内存价格上涨,让内存大厂三星赚得盆满钵满。而近段时间来内存价格有下降的趋势,但把利润摆在第一位的三星想扭转内存价格下滑的趋势,明年将对内存减少投资,以让内存处于供给相对紧张的局面,来维持内存的高价。
美光近日公布了2018财年第四季度和全年财报。截止2018年8月30日,美光第四财季收入84.40亿美元(均按GAAP),同比增长37.5%,毛利率61.0%,同比提高10.3个百分点,净利润43.25亿美元,同比增长82.6%。
广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。
三星电子高层金奇南 (Kim Ki-nam)12日表示,预计今年年底前对DRAM芯片需求不会有变。
谈及目前内存芯片持续强劲需求是否会在2019年终结?金奇南预测,明年芯片需求将持续强劲。
紫光旗下还有紫光国微半导体,该公司日前表示在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不大。
2018年已经是DRAM内存涨价的第三年了,持续涨价让三星、SK Hynix、美光等芯片供应商的财报越来越好看。
自2018年第二季起,内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动,由其是在中国大陆,无论是DRAM或是NAND Flash产能都在持续开出;尽管目前尚未进入稳定量产阶段,但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间, 在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。
8月21日,调研公司IC Insights发布报告称,由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长,今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%,而一年前的该比例仅为1%。
三星原订本季完成每月增产3万片DRAM计划,决定延至今年底,为DRAM价格形成有力支撑。 随着三星新产能扩充脚步延后、供给获得节制,一般预料,DRAM价格在今年11月前都将持稳不坠,台系DRAM大厂南亚科、华邦电今年营收也将同步缴出创历史新高佳绩。
今年的NAND闪存价格降了,但是DRAM内存价格还是居高不下,唯一的变化就是今年的涨价没有2016年、2017年那么夸张,Q2季度中全球DRAM内存市场营收达到了256.91亿美元,环比增长11.3%,创造新了新的记录。与Q1季度相比