DRAM

全都是泡沫？内存价格预计明年将下跌25%

终于，内存条价格要降了。据DRAMeXchange报道，内存价格在2019年将降低15~25%。报道称，第四季度的DRAM芯片合同价的谈判已开始，虽然PC DRAM保持稳定，但随着DRAM需求全面放缓，图形显卡的DRAM价格已经下滑。目前，

DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了图像处理内存(graphic DRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。

调查显示：DRAM价格已近高点

观察全球DRAM大厂营收表现，三星稳坐产业龙头，营收再创历史新高，来到112.1亿美元，季增8.2%;SK海力士受惠于位元成长显著，营收较前季大幅成长19.5%，达76.9亿美元，亦帮助SK海力士于第二季夺回部分市占。两大韩厂第二季营收市占率分别为43.6%与29.9%，合计约73.5%。

第二季DRAM供给吃紧，报价上扬，营收再创新高

2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了绘图用内存(graphic DRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用别的内存季涨幅约在3%左右。

2018年DRAM芯片产值将突破1000亿美元！三星成最大赢家

内存芯片产值高，受益最高的就是韩国企业了，尤其是三星电子，三星在DRAM内存占据全球市场份额的45%，NAND闪存占37%。

内存是块肥田！2018年全球DRAM销售额有望突破1000亿美元大关

报告称，今年全球半导体销售总额将达4280亿美元，其中DRAM所占比重将达24%，若加上NAND闪存的市场份额，两大存储器在半导体市场上占比将高达38%。

SK海力士4D NAND Flash首发，Q4送样

倒数第二个出场的SK海力士(SK Hynix)带来的黑科技4D NAND无疑更抢眼球，因为它们已经可以在Q4送样了。虽然之前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等已经宣布过96层/QLC新一代技术，但发布产品SK海力士是第一家。

SK Hynix斥资15万亿韩元建设DRAM工厂

SK Hynix日前宣布了新的投资计划，将斥资15万亿韩元，约合134亿美元或者916亿人民币在韩国总部京畿道利川市3.5万平方米的场地上建设新的工厂，编号M16。

IC Insights：至2020年半导体市场将高度成长

研调机构 IC Insights 表示，今年包括手机与个人计算机等电子系统产品出货恐将疲软，预期今年手机出货量将减少 1%，个人计算机出货量也将减少 1%，汽车出货量将成长 3%。

10nm工艺、速率高达6400Mb/s！三星首发8Gb LPDDR5 DRAM

最新消息，三星电子宣布 成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，采用10nm工艺。

嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案

美光芯片被判侵权在中国禁售，美国半导体科技股全线下挫

福州中法裁定对美光科技发出“诉中禁令”，其部分闪存SSD和内存条DRAM将暂时禁止在中国销售。美光有近半营收来自中国市场，为阿里巴巴等IT巨头的SSD模组供应商。受此影响，美光科技股价一度深跌6.3%，高通、恩智浦、博通等芯片股全线下挫。

Q1季度全球半导体产值1158亿美元 三星继续保持第一,Intel第二

三星在击败英特尔成为半导体市场老大之后就一直维持现在的地位，当季收入186.07亿美元，同比大涨45.4%，市场份额达到了16.1%。

车用市场给力 NOR闪存再成大厂发展重点

智能汽车、5G以及工业物联网的到来，驱动了市场对高密度NOR Flash的需求。一度因为容量小、成本高等缺点而边缘化的NOR Flash，再次受到厂商的重视。曾一度被传将要淡出NOR Flash领域的赛普拉斯近期推出Semper NOR闪存产品系列，美光的Xccela Flash系列也为NOR Flash打开新的大门。聚光灯终于不是只照在NAND Flash或DRAM上，在各大新势能应用的带动下，NOR Flash是否会迎来新的机遇?

美光DRAM/NAND路线图：下半年推96层3D闪存，GDDR6已完成验证

受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍，其中85%都是TLC闪存类型，去年同期比例不足1%。此外，来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。

短期内中国大陆集成电路制造业仍系于中芯国际与存储器族群

中国大陆存储器业者的生产计划包括福建晋华、合肥长鑫、长江存储、紫光集团，预定投产时间介于2018年下半年-2019年，主要产品包括DRAM、利基型存储器、NAND Flash，初期产能介于2-5万片，未来最大产能可望上冲4-10万片，中长期计划更将扩大至12.5-30万片的规模。但是由于短期内国际购并案推行不易，技术、人才取得受阻，导致短期内中国大陆发展存储器产业仍需克服专利及人力等重重障碍。

三星已启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发 最快2020年投产使用

EUV光刻目前被三星、台积电、Intel等用于7nm工艺节点上，制造的普遍是AP(应用处理器)。三星曾表示，7nm LPP工艺将在今年下半年量产，明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。

如何玩转DDR？要先从这五大关键技术下手

差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。

美光：下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中，暂不需要EUV光刻

三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

2018年全球半导体超预期发展，资本支出将首度破千亿美元大关

受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构 IC insight 调查报告指出，2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。