根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告,在各大厂已议定第四季合约价的情况下,10月份的合约价格开始大幅滑落,主流模组4GB的均价自上季的34.5美元滑落至31美元,跌幅10.14%;大容量模组8GB跌幅更为明显,自上季的68美元滑落至61美元,跌幅为10.29%。
根据这份报告的分析,今年第四季度的4GB PC DRAM模块的平均售价环比下降10.14%,从第三季度的34.5美元下降至31美元。8GB PC DRAM模块的平均售价环比下降10.29%,从第3季度的68美元降至61美元。随着各大内存厂疯狂扩产,市场进入了供应过剩的状态,DRAMeXchange不排除11月和12月价格会进一步下跌。由于供应商急于出售库存,预计8GB模块价格将比4GB模块下降得更快。
DRAMeXchange调查已初步估计第四季度DRAM价格下降1%至3%至季度环比下降5%,预测下降的原因是供应量增加和需求增长有限。
美国司法部周四宣布,向美国法院起诉福建晋华及其中国台湾合作伙伴联华电子以及3名个人,指控其窃取美光的知识产权和商业机密。而据中国台湾地区媒体报道,联电上午声明表示,联电为发展DRAM技术,除内部研发团队外,还雇用上百名来自各DRAM厂的员工,并未针对美光挖角,也没有使用美光的机密,对于指控将严正以对,竭力回应指控,已委请律师捍卫公司及股东权益。
大陆DRAM厂福建晋华遭到美国商务部列为出口管制实体列表,以至于与晋华密切合作的台湾联电也首当其冲。联电31日指出,将暂停为福建晋华提供研发协助!
被限制进口美国公司的设备及软件之后,晋华合作方联华电子也宣布将暂停与晋华的技术合作,原因是台湾主管部门依照美方要求限制某些设备。
美国商务部称,福建晋华涉及违反美国国家安全利益的行为,给美国带来了严重风险(Significant risk),并表示晋华即将完成大幅增产计划,其动态随机存取存储芯片(DRAM)产量显著上升,此举长远威胁到美国DRAM芯片对军方的供应稳定性。这是今年继中兴以来,美国政府对中国半导体企业实施的第二例禁售,相比中兴,对晋华的指控和制裁显得尤为无理。
2018年,恰逢中国改革开放40年。 40年前,64Kb动态随机存储器(DRAM)诞生,宣告超大规模集成电路时代来临,中国科学院半导体研究所开始研制4Kb DRAM,在次年投入生产;40年后,今年第四季度,紫光集团旗下长江存储研发的64Gb 32层三维闪存芯片(3D NAND Flash)将实现量产,8月份刚刚推出的Xtacking技术更是给闪存芯片结构带来了历史性突破,为全球闪存产业的发展留下了中国企业浓墨重彩的一笔。
根据韩国媒体的报导,不论是处理器还是存储器,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,以逻辑芯片的处理器产品来看,因为在制程节点推进到7纳米制程之后,对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程,未来也就越仰赖EUV技术。
SK海力士为全球第二大内存芯片制造商,其表示7月至9月的营业利润同比增长73%至6.5万亿韩元(57亿美元)。根据信息巨头Refinitiv的数据,第三季度的实际收益超出19位分析师的平均预测——6.3万亿韩元。与去年同期相比,SK海力士销售额增长41%,创下11.4万亿韩元的历史新高。
IC设计中所使用的EDA工具 俗话说“公欲善其事,必先利其器”。IC设计中EDA工具的日臻完善已经使工程师完全摆脱了原先手工操作的蒙昧期。IC设计向来就是EDA工
10月11日晚间,紫光国微披露,拟将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称西安紫光国芯)100%股权以约2.2亿元人民币转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。
根据此前的报道,今年三季度以来,内存市场价格已经下降一成,而四季度还将在下降,到明年年初,闪存市场还有25%-30%的降幅。受到智能手机发展停滞、服务器存在出货量不确定以及英特尔处理器缺货的影响,主要DRAM闪存制造商将会出现供过于求的情况。
内存在2016年之后经历了一波暴涨,在2017年处于高位,其高昂的价格让大家苦不堪言,不过今年内存的价格算是跌了一点,好歹不那么恐怖了。而根据统计机构最新的预测,2019年的内存价格将会下降15%-20%。
全球市场研究机构集邦咨询针对2019年科技产业发展,发布十大科技趋势:
韩国科技大厂三星日前发布了第3季财报,其第3季营收达154.7亿美元,较2017年同期大涨20%以上,创造历史新高纪录。不过,因为移动业务的业绩下滑,三星第3季的获利大增主要仍是依赖半导体事业的加持,其贡献度超过80%以上。而在市场预期半导体景气将反转的情况下,三星为了阻止存储器价格下滑将降低2019年的扩产计划,预计三星的整体资本支出将下滑8%之外。其中,在DRAM的投资大砍20%,以维持市场价格的高水位。
报道进一步指出,三星2019年针对存储器的投资总体会减少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分,三星的投资仍将持续增加。
日前有韩国媒体《Business Korea》分析,SK海力士这间M15工厂落成后,可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示,DRAM占80%的销量,NAND Flash则仅占18%,和三星电子60:40的比重来比,SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
我们知道,近年来内存价格上涨,让内存大厂三星赚得盆满钵满。而近段时间来内存价格有下降的趋势,但把利润摆在第一位的三星想扭转内存价格下滑的趋势,明年将对内存减少投资,以让内存处于供给相对紧张的局面,来维持内存的高价。