-
尔必达拟发行新股和可转换债券融资800亿日元
（万学）北京时间7月11日消息，据国外媒体报道，三名知情人士透露，全球第三大DRAM存储器制造商尔必达（Elpida）计划通过发行新股和可转换债券融资800亿日元（折合9.92亿美元）。 据知情人士透露，该公司董事会
-
封测3雄力成6月最亮
封测三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)，6月合并营收增减互见，但以整体第二季营收来看，季营收仍比第一季成长，受到客户延迟下单冲击不大，相较其他半导体产业表现为佳，以力成6月合并营收续创历史新高最为
-
DRAM钱坑 台塑集团进退两难
联电荣誉副董事长宣明智暗指台塑集团可以出面集成台湾DRAM产业，南亚科表示，无法评论此事；存储器业界则认为，台塑集团虽然资金实力雄厚，但DRAM产业走到现在已不是资金问题，没有技术和专利也是关键，现在就算再投
-
DRAM钱坑 台塑集团进退两难
联电荣誉副董事长宣明智暗指台塑集团可以出面集成台湾DRAM产业，南亚科表示，无法评论此事;存储器业界则认为，台塑集团虽然资金实力雄厚，但DRAM 产业走到现在已不是资金问题，没有技术和专利也是关键，现在就算再投
-
三星挖角梁孟松 抢救晶圆代工
三星电子(Samsung Electronics)想要进军全球晶圆代工市场的意思，累积起来也有近10年历史，从最早期口号比动作多，到近年来广告比动作多的情形来看，三星在全球晶圆代工市场的努力，比起家大业大的DRAM与Flash产品线
-
存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
-
存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
-
韩半导体业均认为下半年存储器芯片市况不明
南韩三星电子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半内存芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年内
-
韩半导体业大老齐声：下半年存储器芯片市况不明
韩国三星电子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等韩国半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半存储器芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年
-
IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
据国外媒体报道，IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，但在高端企
-
瑞晶成为30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂
瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事会也通过，向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元，
-
IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，但在高端企业基础设施等却有
-
瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂
瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事会也通过，向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元，
-
茂德产能
连于慧 茂德原本有2座12吋晶圆厂，竹科12吋晶圆厂在2010年卖给旺宏，转而生产ROM和NOR Flash产品线；原本大陆还有一座渝德8吋厂，日前也宣布卖给中国航天，目前旗下仅剩中科12吋晶圆厂。 此座12吋晶圆厂经历20
-
世界先进传出价100亿 竞逐茂德中科12吋厂
连于慧／台北 茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后，引进新资金成为当务之急，业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德，或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣，近期已有第1个出价者浮现，记忆体业界传出世界先进出价新台
-
IBM储存技术新突破 新PCM芯片容量翻倍
据国外媒体报道，IBM研究员研发出储存新技术，可更可靠地长时间在服务器上储存数据。 此技术称为相变存储器(phase-change memory)，简称PCM存储，可取代快闪记忆体，快闪记忆体在移动设备使用程度相当频繁，
-
2011通讯IC与DRAM境遇两重天
2011年半导体商营收成长将呈现两极化局面。根据ICInsights最新研究预估，2011年全球半导体市场产值成长率仅达2%，但受惠今年智慧型手机和平板等行动装置热销，高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)和辉达(NVIDIA)营收仍可拥
-
美光RLDRAM 3 打入阿尔卡特朗讯供应链
美系存储器大厂美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延
-
美光RLDRAM 3 打入阿尔卡特朗讯供应链
美系存储器大厂美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RL
-
未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术
DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。 2011 年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去年的67%和2009年的24
