DRAM

关注人关注

我要报错

尔必达投资800亿日元应对DRAM 50％/年的需求增长

日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅将达到50％/年，但却打算以较上财年减少30％的设备投资额（800亿日

智能硬件
2011-05-23

DRAM 尔必达 5NM 嵌入式
DRAM产业为彻底复苏争取时间

茂德在2010年已将新竹12?晶圆厂卖给旺宏，是卖厂止血的第1步，当时出售价格超过新台币80亿元，业界认为此价格对茂德算有利；之后DRAM价格进入二度崩盘，业界也点名重庆渝德厂应该是下一个处分目标，因此市场对于茂德

消费电子
2011-05-20

美光晶圆厂 NAND DRAM
DRAM产业卖厂争取时间　治标难治本

据DIGITIMES Research，中国大陆早在1988年就有由恩智浦(NXP)与上海化学工业区投资实业合资成立第1家IC制造厂商上海先进半导体(ASMC)，其后尚有首钢日电(SGNEC)、无锡华润上华(CSMC)、华虹NEC (HH NEC)等晶圆代工厂

智能硬件
2011-05-19

美光晶圆厂 NAND DRAM
从两岸亏损企业谈产业整合

两岸上市公司最新财报显示，台湾DRAM产业除瑞晶电子外，其余全部大幅亏损。大陆企业中，电子书龙头汉王科技亏损超过4000万元（人民币，下同），预计全年将亏损1亿。这2件事看似无关，其实均与“规模、品牌、价

半导体
2011-05-19

三星电子书 IPAD DRAM
ASML单价近一亿美元的EUV光刻机订单已达10台　预计2012年开始正式交货

2010年浸润式微米光刻机台设备(Immersion Scanner)大缺货，形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险，随着缺货问题解决，ASML针对20纳米工艺，推出深紫外光(EUV)机台，目前已有10台订单在手，预计2012年将正式交货；不过，

模拟
2011-05-19

EUV光刻机 ASML EUV DRAM
ASML单价近一亿美元的EUV光刻机订单已达10台　预计2012年开始正式交货

2010年浸润式微米光刻机台设备(ImmersionScanner)大缺货，形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险，随着缺货问题解决，ASML针对20纳米工艺，推出深紫外光(EUV)机台，目前已有10台订单在手，预计2012年将正式交货；不过，对

模拟
2011-05-18

EUV光刻机 ASML EUV DRAM
ASML单价近一亿美元EUV光刻机订单已达10台

2010年浸润式微米光刻机台设备(Immersion Scanner)大缺货，形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险，随着缺货问题解决，ASML针对20纳米工艺，推出深紫外光(EUV)机台，目前已有10台订单在手，预计2012年将正式交货;不过，对

电子设计自动化
2011-05-18

EUV光刻机 ASML EUV DRAM
三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GB DDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米

消费电子
2011-05-16

三星 OEM GB DRAM
三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(SamsungElectronics)成功将2GBDDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米制

模拟
2011-05-13

三星 OEM GB DRAM
创见：台湾DRAM产业缺乏技术根基

创见董事长束崇万看好下半年DRAM和NANDFlash市场景气都不错，对存储器模块厂而言，是风险不大的一年，但谈到台湾DRAM产业前景，他感慨表示，DRAM产业最大问题的关键不是在于景气波动，而是台湾没有自有DRAM技术，但现

模拟
2011-05-13

工控 PGA NANDFLASH DRAM
三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GB DDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳

智能硬件
2011-05-13

三星 40纳米 OEM DRAM
DRAM价格终升破1美元关卡

2010年底以来，跌落到1美元以下的DRAM价格，终恢复到1美元线上。DRAM代表性产品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月写下2.72美元最高纪录后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，价格急速下滑，进入2011年后

智能硬件
2011-05-13

HZ MX DDR3 DRAM
半导体硅晶圆库存六月将见底

受到日本地震影响，半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

模拟
2011-05-13

半导体硅晶圆 DRAM
半导体硅晶圆库存六月将见底，3Q价格预期大涨

受到日本地震影响，半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

模拟
2011-05-12

半导体硅晶圆 DRAM
台系芯片封测公司4月营收普遍走跌

封测厂4月营收除了力成逆势走扬外，普遍较3月衰退达个位数幅度，随着电子产业供应链疑虑逐渐消除，封测厂对于第2季营运展望乐观以待。日月光预计，在代工价格不变的情况下，出货量可望增加7~9%，硅品估计营收季增率有

电子设计自动化
2011-05-12

芯片 Flash NAND DRAM
半导体硅晶圆库存六月将见底，3Q价格预期大涨

受到日本地震影响，半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

模拟
2011-05-12

半导体硅晶圆 DRAM
半导体硅晶圆库存六月将见底三季度硅晶圆价格预期将大涨

受到日本地震影响，半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

模拟
2011-05-11

半导体硅晶圆 DRAM
半导体矽晶圆库存快见底提前3周沟通Q3价格

受到日本地震影响，半导体矽晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游矽晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

模拟
2011-05-09

半导体晶圆 DRAM
尔必达开发25纳米DRAM　三星表现存疑态度

据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽然公开表示已开发出25纳米DRAM，但仍需持续观察至正式量产，表现出存疑的态度。三

智能硬件
2011-05-09

半导体三星 DRAM 尔必达
一季度全球DRAM内存芯片营收环比降低4%

市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。集邦科技称，由于芯片制造商纷纷迈向高级制程工艺，芯片产能得到

模拟
2011-05-06

芯片制造商内存芯片 DRAM芯片 DRAM

首页上一页 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 下一页尾页

DRAM

尔必达投资800亿日元应对DRAM 50％/年的需求增长

DRAM产业为彻底复苏争取时间

DRAM产业卖厂争取时间　治标难治本

从两岸亏损企业谈产业整合

ASML单价近一亿美元的EUV光刻机订单已达10台　预计2012年开始正式交货

ASML单价近一亿美元的EUV光刻机订单已达10台　预计2012年开始正式交货

ASML单价近一亿美元EUV光刻机订单已达10台

三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

创见：台湾DRAM产业缺乏技术根基

三星DRAM喊涨　OEM厂被迫买单

DRAM价格终升破1美元关卡

半导体硅晶圆库存六月将见底

半导体硅晶圆库存六月将见底，3Q价格预期大涨

台系芯片封测公司4月营收普遍走跌

半导体硅晶圆库存六月将见底，3Q价格预期大涨

半导体硅晶圆库存六月将见底三季度硅晶圆价格预期将大涨

半导体矽晶圆库存快见底提前3周沟通Q3价格

尔必达开发25纳米DRAM　三星表现存疑态度

一季度全球DRAM内存芯片营收环比降低4%

相关标签

关注此标签的用户(人)

热门活动

课程视频