美光RLDRAM 3　打入阿尔卡特朗讯供应链

时间：2011-07-01 10:40:31

关键字： DRAM 供应链朗讯阿尔卡特

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[导读]美系存储器大厂美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RL

美系存储器大厂美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RLDRAM3存储器芯片，支持业界第1个400Gb芯片组。

第3代低延迟RLDRAM3主要是针对网络通讯客户所设计，因应全球网络通讯需求升温，为让网络基础设备有更多资料传输且加速传输的效率，第3代低延迟RLDRAM3应运而生。

美光在2010年中时，就开始准备第3代低延迟RLDRAM3，5月底宣布正式开始送样给客户，并准备在下半年进入量产阶段。

美光日前也宣布，第3代低延迟RLDRAM3正式获得阿尔卡特朗讯采用，将用于下世代网通产品，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RLDRAM3存储器芯片，支持业界第1个400Gb芯片组。

美光第3代低延迟RLDRAM3存储器芯片优势在于，网络的传输快速且效率更高达76.8Gb/s，最低延迟时间为10ns(nanosecond)，这些特色都有助于网通领域客户的需求。

相较于第2代产品，美光第3代低延迟RLDRAM3存储器芯片在传输速度、存储器容量、延迟性、耗电量等方面也都有改善，预计将于2011年下半开始，生产第3代低延迟RLDRAM3。

美光预计，随著第3代低延迟RLDRAM3不断的改善和提升效能，将更符合网通客户对于传输数据量、优化网络技术、处理复杂基础建设、降低延迟率上的需求。

美光日前才公布2011会计年度第3季(2011年3~5月)财报，营收和获利都呈现衰退且低于市场预期，主要是笔记本电脑(NB)和桌上型计算机(DT)需求都持续低迷所致，美光也致力转移至其它应用领域上，除了上述网通产品外，还包括服务器、平板计算机、智能型手机等应用。

美光2011年第3季净利为7,500万美元，每股盈余0.07美元，相较2010年同期净利为9.39亿美元，EPS达0.92美元，净利衰退超过90%。而美光上季营收21.4亿美元，也较2010年同期减少了6.5%。