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步上DRAM产业规模竞赛后尘　晶圆代工决胜18寸厂

从技术投资与市场竞争力的观点来看，半导体业者从12寸厂拓展至18寸厂，以提升产能规模，已是不可避免的发展趋势。然而，18寸厂的建置正面临严峻考验，因此未来全球半导体业者在18寸晶圆厂的布局结果，将进一步影响半

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2011-06-06

DRAM 晶圆代工三星台积电
iSuppli：今年DRAM市场出货量上升10.8％

据国外媒体报道，根据IHSiSuppli公司最新研究报告指出，得益于DRAM整体出货量上升10.8％，今年全球DRAM模组市场仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数增长。该项报告指出，全的DRAM模组的整体出货量，预估今年将达到

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2011-06-03

内存电脑 ISUPPLI DRAM
传海力士30奈米制程遇瓶颈　恐动摇市场地位

据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM记忆体晶片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30奈米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成

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2011-06-02

晶片尔必达海力士 DRAM
CMOS封装板出货旺　竞国拟再扩产

李洵颖／台北印刷电路板(PCB)竞国实业受惠于智慧型手机及平板电脑的出货强劲，带动CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor；CMOS)视讯镜头用封装板出货动能强劲，加上DRAM用模组板在客户释单下，竞国计划扩产

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2011-06-01

封装 CMOS DRAM
尔必达与联电力成合作开发TSV产品

看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商

电子设计自动化
2011-06-01

联电电力尔必达 DRAM
iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。该项报告指出，全球DRAM模块的整体出货量，预估今年

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2011-05-31

AC ISUPPLI DDR3 DRAM
iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长

IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存 (DRAM) 整体出货量弹升 10.8%，今年全球的 DRAM 模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。该项报告指出，全球 DRAM 模块的整体出货

智能硬件
2011-05-31

计算机 AC ISUPPLI DRAM
急单到存储器封测厂本季展望

存储器大厂尔必达（916665）、力晶及南科等本季积极提升DRAM产能，后段封测协力厂力成、华东等急单涌入，5月营收大幅增温，7月可望回复历史高峰。日本强震一度为半导体封测业带来不小冲击，除了主要矽晶圆短缺，

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2011-05-30

存储器尔必达 MOBILE DRAM
京元电高筑墙挺立24年

5月的新竹油桐花盛开，京元电每年都选在此时举办家庭日。今年大家特别开心，因为公司去年营收创成立24年来新高，已经连续两年加薪。相较于二年前金融风暴景气低迷，无薪假、减薪的低潮，京元电快速走出阴霾，这二年

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2011-05-30

电子存储器联电 DRAM
矽品喊涨价Q3营运吃补

日本地震引发材料成本上扬，矽品精密工业总经理蔡祺文昨（28）日表示，矽品为适度反应成本，近日陆续调涨部分封装产品价格，法人推估涨幅在5%至10%之间，有助挹注第三季营运成长力道。展望未来，短期虽有日本震灾

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2011-05-29

半导体封装 MCU DRAM
封测代工喊涨厂商Q3受补

日本311大地震后，包括银胶、环氧树脂、导线架等封装材料价格上涨，加上时间接近第3季传统旺季，封测厂产能利用率上升，部份产线已呈现满载现象，为了反应材料上涨成本及部份产能供不应求等实际市况，包括日月光、矽

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2011-05-27

存储器封装环氧树脂 DRAM
韩DRAM微细制程比重高占市场优势

据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其

智能硬件
2011-05-26

美光尔必达 40纳米 DRAM
韩DRAM微细制程比重高占市场优势

据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它

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2011-05-26

美光尔必达 40纳米 DRAM
京元电获美厂F-RAM大单

低功耗铁电存储器（F-RAM）供应商美国Ramtron表示，与封测厂京元电（2449）扩大合作，Ramtron将把全部的F-RAM产品交由京元电封装及测试。Ramtron表示，京元电在特殊存储器封测市场具有技术领先地位，可为Ramtron提供

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2011-05-26

铁电存储器 F-RAM RAMTRON DRAM
茂德以人民币1亿元卖掉重庆8吋晶圆厂

DRAM厂茂德23日公告，旗下大陆重庆8吋晶圆厂暂订以人民币1亿元（约新台币4.54亿元），卖给大陆中航航空电子系统公司。完成交易后，茂德将把营运重心全数聚焦在台湾12吋晶圆厂。茂德2007年底迄今，投入渝德的资本额约

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2011-05-26

晶圆厂航空电子系统 DRAM
海力士半导体厂气体外泄

据韩国电子新闻报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)位于京畿道利川的工厂发生气体外泄事故。19日晚间约10点50分，在维修DRAM半导体产线蒸镀设备过程中，海力士合作厂2位员工因操作不当，使设备内残留的液化气体外泄。

半导体
2011-05-25

半导体电子海力士 DRAM
韩DRAM微细制程比重高　占市场优势

据南韩电子新闻报导，南韩半导体业者在衡量记忆体晶片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40奈米等级微细制程扩大，使南韩企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其他

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2011-05-25

美光尔必达海力士 DRAM
去年DRAM模组厂排名金士顿市占破5成称王

研究机构集邦科技针对2010年DRAM模组厂进行调查，公布最新的市占排名，其中独立记忆体厂金士顿市占率首度突破50%，不但稳居龙头，其市占率与业绩增加幅度均傲视同业，反观其他的竞争同业，市占率普遍都有下滑的迹象。

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2011-05-25

金士顿 GE PI DRAM
Q2续亏台DRAM厂寄望Q3

受到DRAM产业第2季转亏为盈机会落空，以及南科（2408）6月停止信用交易在即，南科股价写下减资挂牌以来的新低水平，即将面临票面保卫战，同集团的华亚科（3474）亦受到影响，股价亦创2年多以来的新低纪录，随著两档D

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2011-05-25

DRAM
尔必达投资800亿日元应对DRAM 50％/年的需求增长

日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅将达到50％/年，但却打算以较上财年减少30％的设备投资额（800亿日元）来应对

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2011-05-23

嵌入式尔必达 5NM DRAM

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步上DRAM产业规模竞赛后尘　晶圆代工决胜18寸厂

iSuppli：今年DRAM市场出货量上升10.8％

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