MOSFET
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降压转换器顶部FET Q1的典型开关波形和损耗
MOSFET 开关损耗,真正的晶体管需要时间才能打开或关闭。因此，在导通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠，从而产生交流开关损耗。
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Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
单/双封装比传统封装具有更优异的热性能
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比较 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET：哪种最适合您的应用？
它们的反向掺杂分布是主要区别：p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子，产生空穴电流，而 n 通道器件利用电子，产生电子电流。由于电子的迁移率较高，约为空穴的两到三倍，因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
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现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
在电力电子技术的快速发展中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件，广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高，因此，现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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MOSFET栅极充电机理是什么？MOSFET栅极驱动电路的振荡问题解析
本文中，小编将对MOSFET栅极驱动电路予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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MOSFET栅极驱动电路重要参数解读：导通电阻+驱动功率
以下内容中，小编将对MOSFET栅极驱动电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET栅极驱动电路的了解，和小编一起来看看吧。
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管关断过程的分析
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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功率MOSFET的雪崩现象了解吗？功率MOSFET特性解读
功率MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对功率MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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对SiC MOSFET进行栅极应力测试
了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。在本文中，我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。
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MOSFET栅极充电机理是什么？栅极驱动电路的振荡问题分析
本文中，小编将对MOSFET予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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驱动MOSFET了解吗？MOSFET栅极驱动功率详解！
以下内容中，小编将对MOSFET的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET的了解，和小编一起来看看吧。
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如何设计MOSFET驱动电路电源？大神呀！
在下述的内容中，小编将会对MOSFET的相关消息予以报道，如果MOSFET是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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MOSFET为什么需要栅极电阻？MOSFET栅极电阻器和开关特性你了解吗？
在这篇文章中，小编将对MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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如何防止MOSFET自开通？3款实用电路直接拿去！
MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET自开通的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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MOSFET漏极导通特性了解吗？看看大佬怎么讲明白的
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET漏极导通特性的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。
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Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
针对开关应用中的低RDSon、低尖峰和高效率进行了优化
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ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！
符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化
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MOSFET失效机理是什么？MOSFET关断解读！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET失效机理和关断的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
2024年7月24日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
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IGBT在交流和直流电路中的应用
晶闸管是现代电子学中使用最多的元件，逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型，它们每个都有自己的优势和一些限制
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