意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术

2026年3月17日，中国——意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6 ，该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的 BCD 栅极驱动器和导通电阻(RDS(on))仅140mΩ的高性能 GaN 功率晶体管。

依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，新增故障指示引脚与待机功能引脚。这些功能可以实现智能系统管理，提升节能省电效果，同时新产品还集成了低压差线性稳压器(LDO)和自举二极管，在保证最优驱动性能的同时减少外围元器件数量。

新驱动器采用快速时序设计，导通时间与传输延迟很短，支持高频开关操作，帮助设计人员大幅缩小电路尺寸。此外，超快唤醒时间还提升突发模式运行性能，在轻载工况下实现最佳能效。

MasterGaN6内置全面的安全保护功能，包括交叉导通保护、热关断与欠压锁定，帮助工程师降低物料成本，缩小 PCB 面积，简化电路布局。

MasterGaN6最大输出电流10A，面向消费电子和工业应用，包括充电器、适配器、照明电源和 DCAC 太阳能微型逆变器。该产品的半桥配置适配多种拓扑结构，例如，有源钳位反激(ACF)、谐振 LLC、反向降压转换器和功率因数校正(PFC)电路。

为方便设计人员快速评估新芯片，意法半导体推出了EVLMG6评估板，并将MasterGaN6纳入 eDesignSuite PCB热仿真工具的支持范围内。

MasterGaN6 现已量产，采用 9mm×9mm 紧凑型 QFN 封装。