Microchip推出3.3 kV HVD3 mSiC®功率模块 助力AI数据中心实现固态变压器应用

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出新款3.3 kV HVD3 mSiC®功率模块，旨在简化并加速AI超大规模数据中心及其他高压电源应用采用固态变压器(SST)。该全新模块采用行业标准62 mm封装，集成 3.3 kV碳化硅(SiC)mSiC MOSFET与肖特基二极管，可实现从中压电网直接向服务器机架高效供电。

随着AI数据中心规模持续扩张，词元生成能力受供电限制，而能效则直接决定投资回报。传统架构依赖体积庞大的低频变压器，不仅增加系统复杂度、加大损耗，还限制灵活性。固态变压器是电力传输领域的根本性革新，可减少电能转换级数，且提升系统效率。下一代AI基础设施逐步转向高压直流机架配电，进一步凸显固态变压器的价值。它可从中压电网直接输出稳压直流电，大幅简化转换链路。

Microchip的HV-D3 mSiC模块专为满足上述需求而设计。它采用Microchip的mSiC MOSFET技术，在整个工作温度范围内具备优异的导通电阻RDS (on)稳定性;封装支持6 kV绝缘等级，采用漏电起痕指数(CTI)600级材料，具备可扩展爬电距离，确保高压串联连接安全可靠。氮化硅(Si₃N₄)基板导热性能优异且功率循环能力强，帮助设计人员降低冷却要求，同时实现更高功率密度。

Microchip负责大功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“随着AI数据中心不断突破电网向GPU供电的极限，固态变压器的重要性愈发凸显。我们的3.3 kV HV-D3 mSiC功率模块在连接13.8 kV或34.5 kV电网时，相比低压碳化硅方案，可将串联器件数量减少约一半。该产品填补了工业市场100-300安培功率器件的空白，在分立式 SiC 器件与大型功率模块之间提供了理想的过渡方案。”

HVD3 mSiC功率模块提供半桥与共源极两种配置，可选带/不带反并联肖特基二极管，覆盖100-300安培应用场景。Microchip mSiC MOSFET技术在硬开关与软开关拓扑中均具有均衡的开关损耗，非常适合固态变压器设计及其他高频、高压系统。

HV-D3 mSiC功率模块针对AI数据中心的固态变压器进行了优化，同时适用于广泛的应用领域，包括重型车辆兆瓦级充电基础设施、铁路/重型运输的辅助电源、中压电机驱动器，以及工业和国防电力系统。这些领域同样受益于其出色的绝缘性能、更可靠的耐热能力，以及更高效的电能转换表现。

Microchip在SiC器件及电源解决方案的开发、设计、制造和支持方面拥有20多年的经验，致力于帮助客户轻松、快速且可靠地采用SiC技术。公司mSiC产品和解决方案旨在降低系统成本、加快产品上市并降低风险。Microchip提供广泛且灵活的SiC 二极管、MOSFET和栅极驱动器产品组合