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[导读]此次条例修订,保护范围扩展至光子和量子芯片,侵权赔偿引入惩罚性条款,登记审查大幅趋严,每一条都在指向同一个方向:中国正在用更完善的法律体系,为芯片创新“撑腰”。

8月3日,中国政府网正式发布由国务院总理李强签署的第842号国务院令——修订后的《集成电路布图设计保护条例》。这份关乎国内芯片产业创新根基的法规,将于2026年10月15日正式施行。

作为集成电路领域核心知识产权法规,原版条例自2001年实施至今已有20余年。随着芯片、光子、量子集成技术飞速迭代,产业对布图设计确权、维权、转化的需求持续升级,本次全面修订补齐了原有制度短板,为我国集成电路产业高质量发展划定了清晰的法治路线。

新版《集成电路布图设计保护条例》发布:10月15日起施行

(图片来源:中国政府网)

本次修订亮点满满,全方位筑牢芯片设计创新保护屏障:

看点一:保护范围扩展,光子、量子芯片纳入保护。新条例明确,对集成光子、量子等功能的集成电路布图设计,可以依照本条例予以保护。这是最直接的“扩围”,从此光芯片、量子芯片不再是法律的“盲区”。

看点二:申请审查更严,新增“独创性声明”。新条例在申请程序中增加了独创性声明要求,规定提交的复制件或图样应当清楚地显示该布图设计具有独创性的部分。同时明确,申请登记的布图设计明显不符合规定的,应当驳回;获准登记后,任何人发现不符合规定的,可以请求撤销。

一句话概括:以前能“蒙混过关”的,现在不行了。

看点三:侵权赔偿加码,引入惩罚性赔偿。新条例规定,侵权赔偿额按照权利人受到的实际损失或侵权人获得的利益确定;难以确定的,参照许可使用费的倍数合理确定;情节严重的,适用惩罚性赔偿。

惩罚性赔偿的引入,意味着侵权的成本不再是“填平损失”那么简单。故意侵权者,将面临远超实际损失的赔偿压力。

看点四:促进运用,让“纸上权利”变成“真金白银”。新条例强调,国务院知识产权行政部门应当会同有关部门采取措施,加强公共服务,促进布图设计运用。同时明确,法人或非法人组织主持创作布图设计的,应当依照促进科技成果转化法等,对符合条件的人员给予合理的奖励和报酬。此外,新条例还完善了转让、许可、出质的要求。

从2001年到2026年,中国集成电路产业走过了从萌芽到爆发的25年。此次条例修订,保护范围扩展至光子和量子芯片,侵权赔偿引入惩罚性条款,登记审查大幅趋严,每一条都在指向同一个方向:中国正在用更完善的法律体系,为芯片创新“撑腰”。

距离正式实施还有2个多月,相关芯片企业、研发机构可提前梳理版图登记、许可合作、维权风控流程,用好新规红利,以知识产权护航技术创新。

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