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[导读]器件具有单开关和低边斩波器两种配置,采用先进的650V超结MOSFET技术,优化RDS(on)-Qg之间的均衡

美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2026年10月16日—日前,威世科技VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出四款内置650V超结MOSFET芯片、采用行业标准SOT-227封装的新型功率模块---VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65。VishaySemiconductorsVS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65优异均衡导通损耗与开关损耗,支持工业应用高效功率转换。

日前发布的功率模块包括三款单开关配置器件,标称额定电流分别为50A、100A和150A;另外一款50A器件采用低边斩波器配置、集成650VSiC二极管。四款器件均采用先进高效的650V超结MOSFET技术,具有显著的导通电阻与栅极电荷均衡优势,设计人员可在保持快速开关特性的同时降低功耗。

VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65可用作DC/DC转换器和DC/AC逆变器,适用于太阳能逆变器、制氢与燃料电池系统、HVDC基础设施辅助电子设备与输电系统、充电站、开关电源、焊接切割设备、不间断电源(UPS)、照明系统、轨道交通电源、X光和磁共振(MRI)系统等医学影像设备。

上述应用严苛环境下,功率模块工作温度范围达-55C至+150C。器件采用SOT-227封装,为直接替代现有设计中的竞品提供即插即用解决方案,无需改变PCB布局,从而节约成本。

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