台积电不再听美国的话，日美要联合生产2nm芯片，意在台积电？

美国和日本要搞2nm芯片，这美国不是有台积电和三星吗?为什么它又要去扶持日本?说起来你可能不信，美国的这一举动，很可能就是针对“不听话”的台积电，就像当年扶植三星搞垮日本半导体企业一样。

大家都知道，台积电的背后就是美国，为什们美国还要多此一举呢?我们之前有一期讲过“台积电与美国的爱恨情仇”，说明了他们也不是铁板一块。例如美国想让台积电赴美建厂，但是台积电死活都不答应。然后美国改了芯片规则，断了台积电财路，台积电逼不得已答应在美国建厂。结果台积电花了800亿建厂，美国却翻脸了，不仅一开始说好的几百亿的补贴没了，还被美国贴上了“不安全”的标签。于是台积电就反击了，开始在全球建厂，带着别人一起抢美国的市场。

根据《经济日报》的报道，台积电2nm建厂计划相关的环保评审文件已经提交送审，力争明年上半年通过环评，随即交地建厂，第一期厂预计2024年底前投产。台积电去年底正式提出中科扩建厂计划，设厂面积近95公顷，总投资金额达8000亿至10000亿元新台币，初期可创造4500个工作机会。

目前，台积电在全球共有13座晶圆代工厂。其中，10家工厂位于中国台湾地区，2家分别在上海和南京，分别制造8寸和12寸晶圆;1家在美国Fab11，制造8寸晶圆。而台积电7nm、5nm先进工艺芯片主要在台南Fab18厂进行生产。据悉，上述每痤工厂的造价约为100亿美元，它属于台积电1200亿美元投资的一部分，而4座工厂都会生产3纳米芯片。显然，全球出现芯片短缺，台积电扩产也是顺应市场要求。按照台积电的计划，它至少要在中国台湾省建20座圆晶厂，有些正在建设，有些已经完成。

目前，各大晶圆制造厂商关注的重点是更先进的 3nm、2nm 技术，以满足高性能计算等先进芯片需求。最近台积电首次全面公开了旗下的 3nm 及 2nm 工艺技术指标，相比 3nm 工艺，在相同功耗下，2nm 速度快 10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。然而性能及功耗看着还不错，但台积电的 2nm 工艺在晶体管密度上挤牙膏，只提升了 10%，按照摩尔定律来看的话，新一代工艺的密度提升是 100% 才行，实际中也能达到 70-80% 以上才能算新一代工艺。更重要的是，台积电表示 2nm 工艺要到 2025 年才能量产，意味着芯片出货都要 2026 年了，4 年后才能看到，工艺升级的时间也要比之前的 5nm、3nm 更长。

继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后，三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场，而三星电子则押注于 GAA 技术。

专家称，如果三星在基于 GAA 的 3 纳米工艺中保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从 2 纳米芯片开始引入 GAA 工艺，并在 2026 年左右发布第一个产品。对于三星电子来说，未来三年将是一个关键时期。最近，三星宣布，在未来五年内，将在半导体等关键行业投资共计 450 万亿韩元(约 2.34 万亿元人民币)。然而，三星在 3 纳米工艺良率方面遇到了障碍。与三星一样，台积电在提高 3 纳米工艺的产量方面也有困难。

随着我们的科技上的进步，在许多尖端领域也掌握了不逊于国际一流水平的技术，但芯片技术仍然是卡住我们科技进步的一个痛点。在美国推行对芯片产业的限制令后，我们的半导体产业发展也越来越困难。

如今老美都已经宣称要和小日子过得不错的脚盆地区人民联合研发2nm制程了，而我们到现在也只能实现28nm制程的批量生产，差距不可谓不大。