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[导读]CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技股份公司的一项全新 CoolSiC 技术。复杂的碳化硅 (SiC)芯片将在广泛的产品中实现,包括使用 .XT 互连技术的分立封装和流行的 Easy 模块系列。

1.英飞凌科技CoolSiC MOSFET

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技股份公司的一项全新 CoolSiC 技术。复杂的碳化硅 (SiC)芯片将在广泛的产品中实现,包括使用 .XT 互连技术的分立封装和流行的 Easy 模块系列。

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 专为必须满足峰值需求的太阳能系统(如逆变器)而设计,也适用于快速电动汽车充电、储能系统和其他工业应用。

最新的 CoolSiC 基础技术开发允许更大的栅极操作窗口,从而增加给定裸片尺寸的导通电阻。与此同时,随着栅极运行窗口的扩大,栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值,即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术,还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度,为设计工程师提供更多选择,助力其提升应用性能。

与 M1H 芯片一起,相关外壳已在技术和封装变体中采用,为设计工程师提供更高的功率密度和其他替代方案,以提高应用性能。

为了改进 Easy 1B 和 2B 模块,M1H 将被引入著名的 Easy 系列。此外,还将发布一款使用新型 1200 V CoolSiC MOSFET增强 Easy 3B 模块的新产品。新芯片尺寸的引入增加了灵活性,并保证了工业产品组合尽可能多样化。M1H芯片可以大大增加模块的导通电阻,使设备更加可靠和高效。

过载能力随着 175°C 的最高临时结温而增加,从而实现更好的功率密度和故障情况覆盖率。M1H 采用的内部 RG 比其前身 M1 更小,因此可以轻松改进开关行为。M1H 芯片保持动态行为继续进行。

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 产品组合现在包括采用 TO247-3 和 TO247-4 分立封装的 7 m、14 m 和 20 m 的新型超低导通电阻。由于新的最大栅源电压为 -10 V 的栅电压过冲和下冲,新器件易于设计,并且它们包括雪崩和短路能力标准。

2.Diodes 公司肖特基整流器为电流密度设定新基准

Diodes 公司宣布推出一系列采用超紧凑芯片级封装 (CSP) 的大电流肖特基整流器。DIODES™ SDM5U45EP3 (5A, 45V)、DIODES™ SDM4A40EP3 (4A, 40V) 和 DIODES™ SDT4U40EP3 (4A, 40V) 在同类产品中实现了业界最高的电流密度,满足了市场对更小、更强大的电子系统的需求。

每个器件可用于各种不同的用途,用作阻断或反极性保护二极管、电气过应力保护二极管和续流二极管。该系列中的整流器设计用于空间受限的应用,例如便携式、移动和可穿戴设备,以及物联网硬件。

SDT4U40EP3 引领三重奏,是业界最小的 4A 沟道肖特基整流器,是第一款采用 1608 封装的整流器。与竞争设备相比,它占用的 PCB 面积减少了 90%。其 800A/cm 2的电流密度也是业界最高的沟槽肖特基电流密度,这是由于其正在申请专利的创新阴极设计和制造工艺。由此产生的超低正向电压性能(典型值为 0.47V)将功率损耗降至最低,从而能够设计出更高效率的系统。此外,其卓越的雪崩能力使其足够强大,可以应对包括瞬态电压在内的极端工作条件。

X3-TSN1616-2 封装的 SDM5U45EP3 具有 2mm 2的占位面积,而X3-TSN1608-2 封装的 SDM4A40EP3 和 SDT4U40EP3的 1.28mm 2占位面积使系统设计人员能够在现代、高度集成的消费产品中最大限度地利用电路板空间。这些超薄 CSP 具有 0.25 毫米(典型值)的轮廓,缩短了热路径,从而提高了功耗,降低了热 BOM 成本并提高了可靠性。


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