三星计划在2027年前将先进制程产能提高3倍，成熟制程也将提高2.5倍

10月19日消息，据日经新闻报道，三星电子于18日在日本东京都召开晶圆代工业务说明会，向客户展示技术、产能展望，目标是进一步扩大其在日本的晶圆代工业务。

值得注意的是，台积电与索尼半导体解决方案、日本电装共同投资运营的熊本晶圆厂(JASM)已于今年4月在日本开建，预计总投资86亿美元，目标于2024年底开始量产22~28nm制程，月产能5.5万片12吋晶圆。未来还将升级至更高性能的12~16nm制程，后续不排除再提升制程。

从某种程度上来说，台积电在日本布局似乎刺激了三星进一步加大了对于日本晶圆代工市场的重视程度。

三星集团是韩国最大的企业集团，包括26个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数19.6万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。　集团旗下3家企业进入美国《财富》杂志2006年世界500强行列，2003年三星集团营业额约965亿美元，品牌价值高达108.5亿美元，在世界百大品牌中排名第 25位，连续两年成为成长最快的品牌。集团旗下的旗舰公司 -- 三星电子在2003年《商业周刊》IT百强中排名第三，日益成为行业领跑者，其影响力已经超越了很多业内传统巨头。

三星有近20种产品世界市场占有率居全球企业之首，在国际市场上彰显出雄厚实力。以三星电子为例，该公司在美国工业设计协会年度工业设计奖(Industrial Design Excellence Awards简称IDEA)的评选中获得诸多奖项，连续数年成为获奖最多的公司。这些证明三星的设计能力已经达到了世界级水平。2003年三星在美国取得的专利高达1313项，在世界所有企业中排名第九。

三星电子计划于2023年扩大多项目晶圆(MPW)服务，且制程技术将扩大至4nm。

值得一提的是，三星在德州奥斯汀地区原本就有一座14nm/28nm及以上成熟制程为主的晶圆厂。此次计划投建的泰勒市新晶圆厂，将成为三星在美国第二座晶圆代工厂，同时也将是三星在美国最先进的晶圆代工工厂。目的是扩大三星与其他晶片制造商的竞争能力，对手就是已经投资120亿美元在美国建先进制程晶圆厂的台积电。

三星在此前的Tech Day 2022 活动中指出，其第九代 V-NAND 正在开发中，计划于 2024 年量产。到 2030 年，三星设想 NAND 堆叠超过 1,000 层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供。

韩国三星电子宣布，其最新与移动处理器大厂高通(Qualcomm) 合作的LPDDR5X DRAM，日前以8.5Gbps 的业界最快速度通过了验证，该速度也超越了三星此前在3 月份达到的7.5Gbps 的最高速度。预计高通将会在即将推出的Snapdragon 8 Gen 2 移动平台上，首发支持8.5Gbps 的LPDDR5X DRAM。

三星表示，受益于其低功耗和高性能的特点，LPDDR DRAM 正在迅速成为现代计算系统中的普及产品，并扩展到个人电脑、高性能计算(HPC)、服务器和汽车中。在过去几年中，其在这些领域有了强劲的成长。另外，最近LPDDR DRAM 在PC 市场上的需求特别大，借以帮助PC 制造商制造出更小、更轻、更强大的笔记型电脑。

分析师指出，由于通货膨胀飙升、高利率及俄乌冲突等因素影响，全球消费性电子产品需求疲软，使得存储芯片价格持续下滑，这也是三星第三季获利表现失色的主要原因。

作为全球最大的存储芯片制造商，今年二季度其存储业务营业利润为9.98万亿韩元，在整体营业利润当中的占比高达70%

值得注意的是，韩国国家统计局(Statistics Korea)此前公布的数据显示，8月韩国工业生产值环比下滑了0.3%。

三星高级副总裁 Moonsoo Kang表示，该公司的芯片合同制造部门(即晶圆代工业务部门)希望到2027年将其收入比2021年增加两倍。为实现这一目标，该业务将需要取得多项技术飞跃，并进一步进军美国晶圆代工市场。