ASML：半导体制造工艺演进三个方向

格芯（GlobalFoundries）宣布放弃7纳米研发，意味着能投入先进工艺研发的厂商又少了一家。 不过ASML中国区总裁沈波认为，格芯的退出对设备厂商的影响并不大。“晶圆制造高风险、高回报，企业会根据自身状况评估投入是否合适，但行业整体向上，不管什么制程，产能与稳定性及良率等要求都在不断提升，半导体工艺也会进一步发展，对ASML影响很小。” 在2018 中国集成电路产业发展研讨会暨第二十一届中国集成电路制造年会（ CICD ）上，沈波接受TechSugar等媒体采访时如是说。

ASML中国区总裁沈波

但格芯退出仍然标志着先进工艺进展遇到了越来越多的困难，对此ASML自然感受很深，极紫外光刻机（EUV）研发过程耗时日久，开发费用极为昂贵，若非三星、英特尔与台积电等三巨头坚信先进工艺研发在经济上的必要性而对ASML予以援手，EUV研发很有可能半途而废。沈波表示，从浸润式光刻机到EUV，ASML等厂商与半导体制造业主要客户一步一个脚印，突破原有技术限制，不断为半导体制造技术工艺向前发展取得进展，三巨头在先进工艺上获得的收益足以支撑其继续向下一代工艺进行投入，但三巨头投入资金支持ASML研发的设备并非只供应给三巨头，在供货时也不会对其他客户区别对待，交付顺序主要是按签署订单时的先后顺序，三巨头最早用到EUV设备的原因是这三家在先进工艺研发上投入早，技术准备充分，所以能在第一时间用上最先进的设备。

中国厂商订购的EUV机台，明年就可以到位。供货紧张的局面明后年应该就可以缓解，ASML正在全力增加产能，2018年EUV产能为20台，2019年有望提升到30台，2020年产能可达40台。

对于晶圆制造工艺未来发展趋势，沈波认为应主要关注三个方向。首先，逻辑工艺用户将推动几何缩影进一步向前发展，目前ASML技术路径已经支持到2纳米，主要厂商纷纷投入资源探索FinFET工艺如何优化、材料如何创新；其次，3D NAND的量产是堆叠工艺的成功案例，逻辑工艺是否可以借鉴NAND方式，实现立体化发展，值得研究人员从架构上做探索；第三，现阶段，仅依靠硬件难以解决工艺发展中遇到的很多问题，设备厂商与芯片制造商需要提高软硬件结合能力，优化现有设备，最大化发挥现有设备作用。

中美贸易纠纷让芯片产业成为社会关注热点，作为光刻机领域的霸主，ASML也频繁被媒体提及。在采访中，沈波特别强调，ASML并未对中国厂商进行过限制，作为一家全球性半导体设备公司，ASML“在遵守各方法律的前提下，开门做生意，进入中国市场20多年来，只要中国厂商能够用得上的ASML生产的商业化机台，从来没有买不到的情况。”