8050三极管参数

在下述的内容中，小编将会对三极管的相关消息予以报道，如果三极管是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

一、8050三极管参数

三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它,主要由硅制成，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。一般由硅制成。三极管8050的技术参数包括：

类型:开关型;

极性:NPN;

材料:硅;

最大集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

功耗:625 mW;

最大集电极-发射极电压(VCEO):25;

特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。

fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.

电压电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

hFE：电流放大倍数。

VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。

PCM：最大允许耗散功率。

封装形式：指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

二、三极管放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

三、三极管的三种工作状态

1.三极管截止工作状态

用来放大信号的三极管不应工作在截止状态，若输入信号部分进入三极管特性的截止区，则输出会产生非线性失真。

2.三极管放大工作状态

在线性状态下，给三极管输入一个正弦信号，则输出的也是正弦信号，此时输出信号的幅度比输入信号要大，说明三极管对输入信号已有了放大作用，但是正弦信号的特性并未改变，所以没有非线性失真。

3.三极管饱和工作状态。

四、三极管结构类型

晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

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