英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景

【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案，为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS)，可广泛应用于多个领域，包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2(TOLT封装版)

CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET 是基于第二代(G2)CoolSiC 技术打造的。相较于上一代产品，其品质因数更优、可靠性更高，且易用性显著提升。不同封装类型各具优势：TOLL 与 ThinTOLL 8x8 封装在印刷电路板(PCB)上具备出色的热循环稳定性，有助于实现紧凑的系统设计。应用于SMPS时，这类封装可减少 PCB 的空间占用，并在系统层面降低制造成本。目前，TOLL 与 ThinTOLL 8x8 封装的目标应用范围已进一步扩大，能帮助 PCB 设计人员应对成本降低的挑战。TOLT 封装的加入进一步强化了英飞凌不断壮大的TSC产品组合 —— 该组合目前已涵盖 CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™及 Optimos™系列产品。采用 TSC 设计的器件其直接散热效率可实现高达 95%，且允许设计人员充分利用 PCB 的正反两面，既能提升了空间利用率，又能减少寄生效应。