东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率

中国上海，2025年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。

100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)以及这两者(RDS(ON)×Qg)之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术[2]实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷(Qrr)并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Qrr改善约38%，RDS(ON)×Qrr改善约43%。这些业界领先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。

东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。

Ø 应用：

- 数据中心和通信基站等工业设备的电源

- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)

Ø 特性：

- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=2.7mΩ(最大值)(VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)

- 低总栅极电荷：Qg=52nC(典型值)(VDD=50V、VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)

- 低反向恢复电荷：Qrr=55nC(典型值)(IDR=50A、VGS=0V、–dIDR/dt=100A/μs、Ta=25°C)

Ø 主要规格：

注：

[1] 截至2025年9月，东芝的低压功率MOSFET工艺。东芝调查。

[2] 寿命控制技术：利用Pt扩散工艺在半导体中引入缺陷，故意缩短载流子寿命，可提高开关速度，进而可提高二极管的恢复速度并降低噪声。

[3] 截至2025年9月，与其他适用于工业级100V N沟道功率MOSFET相比。东芝调查。

[4] RDS(ON)×Qg=120mΩ·nC(典型值)，RDS(ON)×Qrr=127mΩ·nC(典型值)