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[导读]中国上海,2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48VAI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。

中国上海,2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。

RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装,与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比,可实现更高密度的安装。

新产品在VDS=48V工作条件下,可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围。同时,还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件:VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热,有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷,进而进一步降低电力成本。

新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个,不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售,通过电商平台均可购买。

未来,ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容,通过提供效率高且可靠性高的解决方案,为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。

<开发背景>

随着AI技术的飞速发展和普及,搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中,能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外,在数据中心和AI服务器领域,为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型,如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。

ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品,进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来,ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷,进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。

<应用示例>

• 48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路

• 48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)

• AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备

• UPS、应急电源系统(电池备份单元)

<关于EcoMOS™品牌>

EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。

EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

<术语解说>

*1) SOA(Safe Operating Area)

元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。

*2)热插拔电路

可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成,负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护,从而确保系统和所连接元器件的安全工作。

*3) 导通电阻(RDS(on))

MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,工作时的损耗(功率损耗)越少。

*4)浪涌电流(Inrush Current)

在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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